无码毛片内射白浆视频,四虎家庭影院,免费A级毛片无码A∨蜜芽试看,高H喷水荡肉爽文NP肉色学校

MOS管是一種常用的半導(dǎo)體器件，也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它由金屬、氧化物和半導(dǎo)體材料組成，具有高頻、高電壓、高溫等優(yōu)點(diǎn)，常應(yīng)用于電子設(shè)備中。MOS管的工作原理是通過控制柵極電壓來改變導(dǎo)電區(qū)域的電阻，從而實(shí)現(xiàn)電流的控制。它可以作為開關(guān)、放大器、振蕩器等電路中的關(guān)鍵元件，具有很高的可靠性和穩(wěn)定性。在使用MOS管時(shí)，需要注意以下幾點(diǎn)：，應(yīng)避免過高的靜態(tài)電壓。，應(yīng)注意輸入信號(hào)的阻抗匹配。，應(yīng)注意溫度變化對(duì)電路性能的影響。，應(yīng)注意靜電放電等問題?？傊?，MOS管是一種重要的半導(dǎo)體器件，在使用時(shí)需要注意以上幾點(diǎn)，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。 mos管的外形和三極管，可控硅，三端穩(wěn)壓器，IGBT類...

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種半導(dǎo)體器件，是現(xiàn)代電子技術(shù)中重要的器件之一。MOS管的優(yōu)缺點(diǎn)決定了它們?cè)诓煌瑧?yīng)用場(chǎng)景中的適用性。 MOS管的缺點(diǎn)電壓限制：MOS管的工作電壓范圍有限，通常在幾伏到幾十伏之間。這意味著它們不能用于高電壓應(yīng)用，例如電力系統(tǒng)和高壓電機(jī)。溫度敏感：MOS管的性能受溫度影響較大，溫度升高會(huì)導(dǎo)致電阻增加，從而降低性能。這使得MOS管不適合用于高溫環(huán)境下的應(yīng)用。噪聲：MOS管的輸出信號(hào)可能會(huì)受到噪聲的影響，這可能會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真。這使得MOS管不適合用于需要高精度的應(yīng)用。 mos管的外...

每一個(gè)MOS管都提供有三個(gè)電極:Gate柵極(表示為“G”)、Source源極(表示為“S”)、Drain漏極(表示為“D”)。接線時(shí)，對(duì)于N溝道的電源輸入為D，輸出為S;P溝道的電源輸入為S，輸出為D;且增強(qiáng)型、耗盡型的接法基本一樣。 N溝道型場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，而P溝道型場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場(chǎng)效應(yīng)管輸出電流由輸入的電壓(或稱場(chǎng)電壓)控制，其輸入的電流極小或沒有電流輸入，使得該器件有很高的輸入阻抗，這也是MOS管被稱為場(chǎng)效應(yīng)管的重要原因。 mos管作為開關(guān)工作在什么區(qū)？云南車規(guī)級(jí)MOS管總代 MOS管是一種常見的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子...

無二次擊穿；由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會(huì)導(dǎo)致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會(huì)導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升，溫度進(jìn)一步的上升，更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降會(huì)導(dǎo)致晶體三極管的擊穿，這是一種導(dǎo)致電視機(jī)開關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當(dāng)管溫度（或環(huán)境溫度）上升時(shí)，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOSFET開關(guān)管，當(dāng)VGS控制電壓不變時(shí)，在25...

如何選擇NMOS明白了NMOS的用法之后呢，我們來看一下要如何選擇一個(gè)合適的NMOS，也就是NMOS是如何選型的。那對(duì)于一個(gè)初學(xué)者來說，有四個(gè)比較重要的參數(shù)需要來關(guān)注一下。首先是封裝，第二個(gè)是vgsth，第三個(gè)是Rdson上，第四個(gè)是Cgs。封裝比較簡單，它指的就是一個(gè)MOS管這個(gè)外形和尺寸的種類也有很多。一般來說封裝越大，它能承受的電流也就越大。為了搞明白另外三個(gè)參數(shù)呢，我們先要來介紹一下NMOS的等效模型。 MOS其實(shí)可以看成是一個(gè)由電壓控制的電阻。這個(gè)電壓指的是g、s兩端的電壓差，電阻指的是d、s之間的電阻。這個(gè)電阻的大小呢，它會(huì)隨著g、s電壓的變化而產(chǎn)生變化。當(dāng)然它們不是線性...

MOS管的優(yōu)點(diǎn)低功耗：MOS管的靜態(tài)功耗很低，因?yàn)樗鼈冎恍枰奈⑿〉碾娏鱽砭S持其狀態(tài)。這使得MOS管非常適合用于電池供電的設(shè)備，例如移動(dòng)電話和筆記本電腦。高輸入阻抗：MOS管的輸入阻抗非常高，這意味著它們可以接受非常小的輸入信號(hào)，并且不會(huì)對(duì)信號(hào)產(chǎn)生影響。這使得MOS管非常適合用于放大器和傳感器等需要高靈敏度的應(yīng)用。高速開關(guān)：MOS管的開關(guān)速度非常快，可以在納秒級(jí)別內(nèi)完成開關(guān)操作。這使得MOS管非常適合用于高速數(shù)字電路和通信系統(tǒng)。集成度高：MOS管可以集成在單個(gè)芯片上，這使得它們非常適合用于集成電路（IC）和微處理器等需要高集成度的應(yīng)用?？煽啃愿撸篗OS管的結(jié)構(gòu)簡單，沒有機(jī)械部件，因此它們...

N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)，P型襯底上制作兩個(gè)高摻雜的N區(qū)，引出作為漏極D和源極S，襯底上再制作一塊絕緣層，絕緣層上在制作一層金屬電極，引出作為柵極G，即構(gòu)成了常見的N溝道增強(qiáng)型MOS管。一般而言，襯底B和S極會(huì)連在一起，當(dāng)在柵極處加正電壓時(shí)，靠近襯底的絕緣層會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷，當(dāng)感應(yīng)電荷足夠多時(shí)，D和S之間形成導(dǎo)電溝道，只要DS之間有電壓，即可產(chǎn)生電流。另外，從結(jié)構(gòu)上看，襯底B和S以及D之間都有一個(gè)PN結(jié)，但是B和S連在一起，所以BS之間的PN結(jié)被短路，B（S）和D之間的PN結(jié)即是的MOS的寄生二極管。 mos管和三級(jí)管的區(qū)別在哪？成都工業(yè)級(jí)MOS管總代理 MOS管的工作原理增強(qiáng)型MOS管...

MOS管的參數(shù)測(cè)試是指對(duì)MOS管的各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試和評(píng)估，以確定其性能是否符合要求。MOS管的主要參數(shù)包括靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)。1.靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試是指對(duì)MOS管的靜態(tài)電學(xué)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，包括開關(guān)特性、漏電流、閾值電壓、電容等。（1）開關(guān)特性測(cè)試開關(guān)特性測(cè)試是指對(duì)MOS管的開關(guān)特性進(jìn)行測(cè)試，包括開啟電壓、關(guān)閉電壓、開啟時(shí)間、關(guān)閉時(shí)間等。開關(guān)特性測(cè)試可以通過直流電源和示波器進(jìn)行測(cè)試。（2）漏電流測(cè)試漏電流測(cè)試是指對(duì)MOS管的漏電流進(jìn)行測(cè)試。漏電流是指在MOS管關(guān)閉狀態(tài)下，從漏極到源極的電流。漏電流測(cè)試可以通過直流電源和萬用表進(jìn)行測(cè)試。（3）閾值電壓測(cè)試閾值電壓測(cè)試是指對(duì)MOS管的閾值電壓...

MOS管的英文全稱叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOS管的構(gòu)造在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道（NPN型）增強(qiáng)型M...

日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動(dòng)。不過PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類少等問題，在高速驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類，增強(qiáng)型NMOS管常見的重要原因，尤其在開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只需柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)的情況(高速驅(qū)動(dòng))。MOS管這一半導(dǎo)體...

作為一般的電器電視機(jī)維修人員在測(cè)量晶體三極管或二極管時(shí)，一般是采用普通的萬用表來判斷三極管或者二極管的好壞，雖然對(duì)所判斷的三極管或二極管的電氣參數(shù)沒法確認(rèn)，但是只要方法正確對(duì)于確認(rèn)晶體三極管的“好”與“壞”還是沒有問題的。同樣MOS管也可以應(yīng)用萬用表來判斷其“好”與“壞”,從一般的維修來說，也可以滿足需求了。檢測(cè)必須采用指針式萬用表（數(shù)字表是不適宜測(cè)量半導(dǎo)體器件的）。對(duì)于功率型MOSFET開關(guān)管都屬N溝道增強(qiáng)型，各生產(chǎn)廠的產(chǎn)品也幾乎都采用相同的TO-220F封裝形式（指用于開關(guān)電源中的功率為50—200W的場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管），其三個(gè)電極排列也一致，即將三只引腳向下，打印型號(hào)面向自巳，左側(cè)引腳為...

溫度失效是MOS管的另一個(gè)常見失效模式。當(dāng)MOS管長時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，會(huì)導(dǎo)致器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化，從而導(dǎo)致器件性能下降或失效。溫度失效通常分為以下幾種類型：（1）漏電流增加：當(dāng)MOS管長時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，漏電流會(huì)增加，導(dǎo)致器件失效。（2）柵極氧化層損壞：當(dāng)MOS管長時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，柵極氧化層會(huì)發(fā)生損壞，導(dǎo)致漏電流增加，會(huì)導(dǎo)致器件失效。（3）金屬遷移：當(dāng)MOS管長時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，金屬線路會(huì)發(fā)生遷移，導(dǎo)致電阻增加，會(huì)導(dǎo)致器件失效。 MOS管作用與特性是什么?西藏車規(guī)級(jí)MOS管直銷 無二次擊穿；由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會(huì)導(dǎo)致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）...

MOS管的應(yīng)用場(chǎng)景數(shù)字電路：MOS管的高速開關(guān)和低功耗使其非常適合用于數(shù)字電路，例如微處理器和數(shù)字信號(hào)處理器。放大器：MOS管的高輸入阻抗和低噪聲使其非常適合用于放大器和傳感器等需要高靈敏度的應(yīng)用。電源管理：MOS管的低功耗和高效率使其非常適合用于電源管理，例如電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。通信系統(tǒng)：MOS管的高速開關(guān)和低功耗使其非常適合用于通信系統(tǒng)，例如無線電和衛(wèi)星通信。汽車電子：MOS管的高可靠性和低功耗使其非常適合用于汽車電子，例如發(fā)動(dòng)機(jī)控制和車載娛樂系統(tǒng)。 MOS的基礎(chǔ)用法，它大量的被應(yīng)用在一些開關(guān)電源的電路上。云南汽車MOS管聯(lián)系電話 無二次擊穿；由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)...

作為一般的電器電視機(jī)維修人員在測(cè)量晶體三極管或二極管時(shí)，一般是采用普通的萬用表來判斷三極管或者二極管的好壞，雖然對(duì)所判斷的三極管或二極管的電氣參數(shù)沒法確認(rèn)，但是只要方法正確對(duì)于確認(rèn)晶體三極管的“好”與“壞”還是沒有問題的。同樣MOS管也可以應(yīng)用萬用表來判斷其“好”與“壞”,從一般的維修來說，也可以滿足需求了。檢測(cè)必須采用指針式萬用表（數(shù)字表是不適宜測(cè)量半導(dǎo)體器件的）。對(duì)于功率型MOSFET開關(guān)管都屬N溝道增強(qiáng)型，各生產(chǎn)廠的產(chǎn)品也幾乎都采用相同的TO-220F封裝形式（指用于開關(guān)電源中的功率為50—200W的場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管），其三個(gè)電極排列也一致，即將三只引腳向下，打印型號(hào)面向自巳，左側(cè)引腳為...

MOS管快速入門到精通 6.MOS管的開關(guān)條件N溝道—導(dǎo)通時(shí)Ug>Us,Ugs>Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通P溝道—導(dǎo)通時(shí)Ug|Ugs(th)| 7.相關(guān)概念BJTBipolarJunctionTransistor雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；FETFieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件.按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡稱JFET）、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡稱MOSFET）兩大類按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵...

MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時(shí)，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個(gè)小電容器，輸入的開關(guān)激勵(lì)信號(hào)，實(shí)際上是在對(duì)這個(gè)電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過程，在充放電的過程中，使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開”與“關(guān)”的過程變慢，這是開關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開關(guān)管）。 由于MOS管在制造工藝上柵極S的引線的電流容量有一定的限度，所以在Q1在飽和導(dǎo)通時(shí)VCC對(duì)MOS管柵極S的瞬時(shí)充電電流巨大，極易損壞MOS管的輸入端，為了保護(hù)MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時(shí)充電...

MOS管的開通過程關(guān)于MOS管的開通過程，網(wǎng)絡(luò)上有許多文檔進(jìn)行分析，其來源應(yīng)為一篇帶感性負(fù)載的MOS管開通過程的分析，很多轉(zhuǎn)發(fā)該文章的網(wǎng)文卻常常忽略了這一點(diǎn)，把這個(gè)過程當(dāng)做了所有場(chǎng)景下MOS的開通過程。因此，在分析之前，先說明本文分析的前提：阻性負(fù)載下，VDS固定時(shí)，加驅(qū)動(dòng)電壓VGS的情況下，MOS管的導(dǎo)通過程分析。 帶阻性負(fù)載的MOS管電路在GS、GD、DS之間都有寄生電容，在DS之間還有一個(gè)寄生二極管。在t0時(shí)刻，MOS管柵極加一驅(qū)動(dòng)電壓VGS,其值為MOS管完全導(dǎo)通所需要的驅(qū)動(dòng)電壓VGS(sat)后續(xù)，若負(fù)載繼續(xù)加重，使漏極電流繼續(xù)上升，則MOS管的電流將會(huì)飽和，MOS管進(jìn)入飽...

MOS管，即金屬(Metal)一氧化物(Oxide)一半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管a相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍“大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì)，在開關(guān)電源a、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。MOS管的種類及結(jié)構(gòu)MOS管是FET的一種(另一種為JFET結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管a)，主要有兩種結(jié)構(gòu)形式:N溝道型和P溝道型;又根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)原理的不同，分為耗盡型(當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流)和增強(qiáng)型(當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流)兩種。...

溫度失效是MOS管的另一個(gè)常見失效模式。當(dāng)MOS管長時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，會(huì)導(dǎo)致器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化，從而導(dǎo)致器件性能下降或失效。溫度失效通常分為以下幾種類型：（1）漏電流增加：當(dāng)MOS管長時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，漏電流會(huì)增加，導(dǎo)致器件失效。（2）柵極氧化層損壞：當(dāng)MOS管長時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，柵極氧化層會(huì)發(fā)生損壞，導(dǎo)致漏電流增加，會(huì)導(dǎo)致器件失效。（3）金屬遷移：當(dāng)MOS管長時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，金屬線路會(huì)發(fā)生遷移，導(dǎo)致電阻增加，會(huì)導(dǎo)致器件失效。 mos管有幾種類型各有什么特點(diǎn)？四川MOS管代理 MOS管集成電路的性能及特點(diǎn)1.功耗低MOS管集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，工作時(shí)兩個(gè)...

溫度失效是MOS管的另一個(gè)常見失效模式。當(dāng)MOS管長時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，會(huì)導(dǎo)致器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化，從而導(dǎo)致器件性能下降或失效。溫度失效通常分為以下幾種類型：（1）漏電流增加：當(dāng)MOS管長時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，漏電流會(huì)增加，導(dǎo)致器件失效。（2）柵極氧化層損壞：當(dāng)MOS管長時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，柵極氧化層會(huì)發(fā)生損壞，導(dǎo)致漏電流增加，會(huì)導(dǎo)致器件失效。（3）金屬遷移：當(dāng)MOS管長時(shí)間處于高溫環(huán)境中時(shí)，金屬線路會(huì)發(fā)生遷移，導(dǎo)致電阻增加，會(huì)導(dǎo)致器件失效。 多維度介紹MOS管，了解MOS管，看這個(gè)就夠了！汽車級(jí)MOS管供應(yīng)廠家 MOS管的工作原理增強(qiáng)型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)...

MOS管的可靠性評(píng)估是指對(duì)MOS管的可靠性進(jìn)行評(píng)估，包括壽命測(cè)試、熱穩(wěn)定性測(cè)試、電熱應(yīng)力測(cè)試等。壽命測(cè)試壽命測(cè)試是指對(duì)MOS管的壽命進(jìn)行測(cè)試。壽命是指MOS管在一定條件下的使用壽命。壽命測(cè)試可以通過加速壽命測(cè)試和常規(guī)壽命測(cè)試進(jìn)行。（1）加速壽命測(cè)試加速壽命測(cè)試是指在高溫、高電壓等條件下，對(duì)MOS管的壽命進(jìn)行測(cè)試。加速壽命測(cè)試可以通過高溫老化試驗(yàn)儀進(jìn)行。（2）常規(guī)壽命測(cè)試常規(guī)壽命測(cè)試是指在正常使用條件下，對(duì)MOS管的壽命進(jìn)行測(cè)試。常規(guī)壽命測(cè)試可以通過長時(shí)間的使用測(cè)試進(jìn)行。 MOS管的工作原理是通過控制柵極電壓來控制漏極電流。汽車級(jí)MOS管代理 每一個(gè)MOS管都提供有三個(gè)電極:Gate柵極(...

P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管原理：P溝道耗盡型MOS管的工作原理與N溝道耗盡型MOS管完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性也不同。5、耗盡型與增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端(Gate)不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有在開啟后，才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道;兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS(柵極電壓)可以用正、零、負(fù)電壓控制導(dǎo)通，而增強(qiáng)型MOS管a必須使得VGS>VGS(th)(柵極閾值電壓)才行。由于耗盡型N溝道MOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+正離子(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子)，當(dāng)VGS=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的...

MOS管是屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，柵極是無直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷聚集，產(chǎn)生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。早期生產(chǎn)的MOS管大都沒有防靜電的措施，所以在保管及應(yīng)用上要非常小心，特別是功率較小的MOS管，由于功率較小的MOS管輸入電容比較小，接觸到靜電時(shí)產(chǎn)生的電壓較高，容易引起靜電擊穿。 而近期的增強(qiáng)型大功率MOS管則有比較大的區(qū)別，首先由于功能較大輸入電容也比較大，這樣接觸到靜電就有一個(gè)充電的過程，產(chǎn)生的電壓較小，引起擊穿的可能較小，再者現(xiàn)在的大功率MOS管在內(nèi)部的柵極和源極有一個(gè)保護(hù)的穩(wěn)壓管DZ，把靜電嵌位于保護(hù)穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值以下，有效的保護(hù)了柵極和源極的絕...

MOS管重要特性：3.寄生電容驅(qū)動(dòng)特性跟雙極性晶體管a相比，MOS管需要GS電壓高于一定的值才能導(dǎo)通，而且還要求較快的導(dǎo)通速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS、GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，理論上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流，由于對(duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)首先要留意的是可提供瞬間短路電流的大小;第二個(gè)要留意的是，普遍用于高速驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要柵極電壓大于源極電壓。而高速驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極導(dǎo)通電壓要比VCC高4V或10V，而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻...

MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時(shí)，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個(gè)小電容器，輸入的開關(guān)激勵(lì)信號(hào)，實(shí)際上是在對(duì)這個(gè)電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過程，在充放電的過程中，使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開”與“關(guān)”的過程變慢，這是開關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開關(guān)管）。 由于MOS管在制造工藝上柵極S的引線的電流容量有一定的限度，所以在Q1在飽和導(dǎo)通時(shí)VCC對(duì)MOS管柵極S的瞬時(shí)充電電流巨大，極易損壞MOS管的輸入端，為了保護(hù)MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時(shí)充電...

MOS管重要特性：3.寄生電容驅(qū)動(dòng)特性跟雙極性晶體管a相比，MOS管需要GS電壓高于一定的值才能導(dǎo)通，而且還要求較快的導(dǎo)通速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS、GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，理論上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流，由于對(duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)首先要留意的是可提供瞬間短路電流的大小;第二個(gè)要留意的是，普遍用于高速驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要柵極電壓大于源極電壓。而高速驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極導(dǎo)通電壓要比VCC高4V或10V，而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻...

MOS管的優(yōu)點(diǎn)低功耗：MOS管的靜態(tài)功耗很低，因?yàn)樗鼈冎恍枰奈⑿〉碾娏鱽砭S持其狀態(tài)。這使得MOS管非常適合用于電池供電的設(shè)備，例如移動(dòng)電話和筆記本電腦。高輸入阻抗：MOS管的輸入阻抗非常高，這意味著它們可以接受非常小的輸入信號(hào)，并且不會(huì)對(duì)信號(hào)產(chǎn)生影響。這使得MOS管非常適合用于放大器和傳感器等需要高靈敏度的應(yīng)用。高速開關(guān)：MOS管的開關(guān)速度非常快，可以在納秒級(jí)別內(nèi)完成開關(guān)操作。這使得MOS管非常適合用于高速數(shù)字電路和通信系統(tǒng)。集成度高：MOS管可以集成在單個(gè)芯片上，這使得它們非常適合用于集成電路（IC）和微處理器等需要高集成度的應(yīng)用。可靠性高：MOS管的結(jié)構(gòu)簡單，沒有機(jī)械部件，因此它們...

MOS管的驅(qū)動(dòng)1、圖騰柱驅(qū)動(dòng)。上圖是標(biāo)準(zhǔn)的圖騰柱驅(qū)動(dòng)的電路圖，其實(shí)圖騰柱與推挽原理是一樣的，叫法不同而已。使用圖騰柱驅(qū)動(dòng)的目的在于給MOS管提供足夠的灌電流和拉電流。2、柵極泄放電阻。在不使用圖騰柱驅(qū)動(dòng)時(shí)，一般在柵極到地之間加泄放電阻，即上圖中的R3。由于柵源之間寄生電容的存在，當(dāng)柵極的驅(qū)動(dòng)電壓拉低時(shí)，MOS管并不會(huì)立即關(guān)斷，這個(gè)過程不僅影響了MOS的關(guān)斷速度，同時(shí)也增大了MOS的開關(guān)損耗。所以增加?xùn)艠O泄放電阻用以減小寄生電容的影響。在使用圖騰柱驅(qū)動(dòng)時(shí)，由于PNP管的存在，該電阻可以省略。3、當(dāng)?shù)蛪簜?cè)驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)MOS管時(shí)，圖騰柱并不能實(shí)現(xiàn)功能，因此需要通過自舉電路來實(shí)現(xiàn)。仔細(xì)分析上圖，相當(dāng)...

MOS管快速入門到精通： 1. 三個(gè)極的判定：G極(gate)—柵極，不用說比較好認(rèn)S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。 2. N溝道與P溝道判別：箭頭指向G極的是N溝道，箭頭背向G極的是P溝道。 3. 寄生二極管方向判定：不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S。 4. MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能1>信號(hào)切換2>電壓通斷5.MOS管用作開關(guān)時(shí)在電路中的連接方法關(guān)鍵點(diǎn):1>確定那一極連接輸入端，那一極...

如何選擇NMOS明白了NMOS的用法之后呢，我們來看一下要如何選擇一個(gè)合適的NMOS，也就是NMOS是如何選型的。那對(duì)于一個(gè)初學(xué)者來說，有四個(gè)比較重要的參數(shù)需要來關(guān)注一下。首先是封裝，第二個(gè)是vgsth，第三個(gè)是Rdson上，第四個(gè)是Cgs。封裝比較簡單，它指的就是一個(gè)MOS管這個(gè)外形和尺寸的種類也有很多。一般來說封裝越大，它能承受的電流也就越大。為了搞明白另外三個(gè)參數(shù)呢，我們先要來介紹一下NMOS的等效模型。 MOS其實(shí)可以看成是一個(gè)由電壓控制的電阻。這個(gè)電壓指的是g、s兩端的電壓差，電阻指的是d、s之間的電阻。這個(gè)電阻的大小呢，它會(huì)隨著g、s電壓的變化而產(chǎn)生變化。當(dāng)然它們不是線性...