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貴州車規(guī)級MOS管

來源: 發(fā)布時間:2024-02-24

MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動電路MOS管和普通晶體三極管相比,有諸多的優(yōu)點,但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時,由于MOS管具有的容性輸入特性,MOS管的輸入端,等于是一個小電容器,輸入的開關(guān)激勵信號,實際上是在對這個電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過程,在充放電的過程中,使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后,使“開”與“關(guān)”的過程變慢,這是開關(guān)元件不能允許的(功耗增加,燒壞開關(guān)管)。

由于MOS管在制造工藝上柵極S的引線的電流容量有一定的限度,所以在Q1在飽和導(dǎo)通時VCC對MOS管柵極S的瞬時充電電流巨大,極易損壞MOS管的輸入端,為了保護(hù)MOS管的安全,在具體的電路中必須采取措施限制瞬時充電的電流值,在柵極充電的電路中串接一個適當(dāng)?shù)某潆娤蘖麟娮琛?MOS管作用與特性是什么?貴州車規(guī)級MOS管

日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強型MOS管;其中,PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動。不過PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價格貴、替換種類少等問題,在高速驅(qū)動中,通常還是使用NMOS替代,這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類,增強型NMOS管常見的重要原因,尤其在開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中,一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開關(guān),相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性,VGS大于一定的值就會導(dǎo)通,適用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動),只需柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性是,VGS小于一定的值就會導(dǎo)通,適用于源極接VCC時的情況(高速驅(qū)動)。重慶車規(guī)級MOS管供應(yīng)商MOS管齊全知識及芯片型號匯總。

動態(tài)參數(shù)測試是指對MOS管的動態(tài)電學(xué)參數(shù)進(jìn)行測試,包括開關(guān)速度、反向恢復(fù)時間等。(1)開關(guān)速度測試開關(guān)速度測試是指對MOS管的開關(guān)速度進(jìn)行測試。開關(guān)速度是指MOS管從開啟到關(guān)閉或從關(guān)閉到開啟的時間。開關(guān)速度測試可以通過示波器進(jìn)行測試。(2)反向恢復(fù)時間測試反向恢復(fù)時間測試是指對MOS管的反向恢復(fù)時間進(jìn)行測試。反向恢復(fù)時間是指MOS管在反向電壓下,從導(dǎo)通到截止再到反向恢復(fù)的時間。反向恢復(fù)時間測試可以通過示波器進(jìn)行測試。

場效應(yīng)管的品種很多,主要分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管兩大類,又都有N溝道和P溝道之分。絕緣柵場效應(yīng)管也叫做金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,簡稱為MOS場效應(yīng)管,分為耗盡型MOS管和增強型MOS管。場效應(yīng)管還有單柵極管和雙柵極管之分。雙柵場效應(yīng)管具有兩個相互獨立的柵極G1和G2,從構(gòu)造上看相當(dāng)于由兩個單柵場效應(yīng)管串聯(lián)而成,其輸出電流的變化遭到兩個柵極電壓的控制。雙柵場效應(yīng)管的這種特性,在作為高頻放大器、增益控制放大器、混頻器和解調(diào)器運用時會帶來很大方便。 MOS驅(qū)動開關(guān)的幾個特別應(yīng)用解析及MOS管驅(qū)動電流是怎么估算的呢?

無二次擊穿;由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會導(dǎo)致集電極電流上升(正的溫度~電流特性)的現(xiàn)象,而集電極電流的上升又會導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升,溫度進(jìn)一步的上升,更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降,這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降會導(dǎo)致晶體三極管的擊穿,這是一種導(dǎo)致電視機開關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象,也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度~電流特性,即當(dāng)管溫度(或環(huán)境溫度)上升時,溝道電流IDS反而下降。例如;一只IDS=10A的MOSFET開關(guān)管,當(dāng)VGS控制電壓不變時,在250C溫度下IDS=3A,當(dāng)芯片溫度升高為1000C時,IDS降低到2A,這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性,使之不會產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。也就是MOS管沒有二次擊穿現(xiàn)象,可見采用MOS管作為開關(guān)管,其開關(guān)管的損壞率大幅度的降低,近兩年電視機開關(guān)電源采用MOS管代替過去的普通晶體三極管后,開關(guān)管損壞率大幅度降低也是一個極好的證明。 mos管也稱場效應(yīng)管,首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。西藏車規(guī)級MOS管工廠

MOS管是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。貴州車規(guī)級MOS管

MOS管有什么優(yōu)點:1)輸入阻抗高,驅(qū)動功率小:控制方式為電壓控制,比較方便。由于柵源之間是二氧化硅(SiO2)絕緣層,柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻,一般達(dá)100MΩ左右,交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高,對激勵信號不會產(chǎn)生壓降,有電壓就可以驅(qū)動,所以驅(qū)動功率極小(靈敏度高)。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb,再產(chǎn)生基極電流Ib,才能驅(qū)動集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅(qū)動是需要功率的(Vb×Ib)。

2)開關(guān)速度快:MOSFET的開關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系,由于輸入容性特性的存在,使開關(guān)的速度變慢,但是在作為開關(guān)運用時,可降低驅(qū)動電路內(nèi)阻,加快開關(guān)速度(輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動,加快了容性的充放電的時間)。MOSFET只靠多子導(dǎo)電,不存在少子儲存效應(yīng),因而關(guān)斷過程非常迅速,開關(guān)時間在10—100ns之間,工作頻率可達(dá)100kHz以上,普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲效應(yīng),使開關(guān)總有滯后現(xiàn)象,影響開關(guān)速度的提高(目前采用MOS管的開關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S~150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的)。 貴州車規(guī)級MOS管

標(biāo)簽: MOS管 二極管 放電管 保險絲