MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動電路MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點，但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個小電容器，輸入的開關(guān)激勵信號，實際上是在對這個電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過程，在充放電的過程中，使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開”與“關(guān)”的過程變慢，這是開關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開關(guān)管）。

由于MOS管在制造工藝上柵極S的引線的電流容量有一定的限度，所以在Q1在飽和導(dǎo)通時VCC對MOS管柵極S的瞬時充電電流巨大，極易損壞MOS管的輸入端，為了保護(hù)MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時充電的電流值，在柵極充電的電路中串接一個適當(dāng)?shù)某潆娤蘖麟娮琛?MOS管作用與特性是什么?貴州車規(guī)級MOS管

日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動。不過PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價格貴、替換種類少等問題，在高速驅(qū)動中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類，增強型NMOS管常見的重要原因，尤其在開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會導(dǎo)通，適用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動)，只需柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會導(dǎo)通，適用于源極接VCC時的情況(高速驅(qū)動)。重慶車規(guī)級MOS管供應(yīng)商MOS管齊全知識及芯片型號匯總。

動態(tài)參數(shù)測試是指對MOS管的動態(tài)電學(xué)參數(shù)進(jìn)行測試，包括開關(guān)速度、反向恢復(fù)時間等。（1）開關(guān)速度測試開關(guān)速度測試是指對MOS管的開關(guān)速度進(jìn)行測試。開關(guān)速度是指MOS管從開啟到關(guān)閉或從關(guān)閉到開啟的時間。開關(guān)速度測試可以通過示波器進(jìn)行測試。（2）反向恢復(fù)時間測試反向恢復(fù)時間測試是指對MOS管的反向恢復(fù)時間進(jìn)行測試。反向恢復(fù)時間是指MOS管在反向電壓下，從導(dǎo)通到截止再到反向恢復(fù)的時間。反向恢復(fù)時間測試可以通過示波器進(jìn)行測試。

場效應(yīng)管的品種很多，主要分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管兩大類，又都有N溝道和P溝道之分。絕緣柵場效應(yīng)管也叫做金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱為MOS場效應(yīng)管，分為耗盡型MOS管和增強型MOS管。場效應(yīng)管還有單柵極管和雙柵極管之分。雙柵場效應(yīng)管具有兩個相互獨立的柵極G1和G2，從構(gòu)造上看相當(dāng)于由兩個單柵場效應(yīng)管串聯(lián)而成，其輸出電流的變化遭到兩個柵極電壓的控制。雙柵場效應(yīng)管的這種特性，在作為高頻放大器、增益控制放大器、混頻器和解調(diào)器運用時會帶來很大方便。 MOS驅(qū)動開關(guān)的幾個特別應(yīng)用解析及MOS管驅(qū)動電流是怎么估算的呢？

無二次擊穿；由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會導(dǎo)致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升，溫度進(jìn)一步的上升，更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降會導(dǎo)致晶體三極管的擊穿，這是一種導(dǎo)致電視機開關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當(dāng)管溫度（或環(huán)境溫度）上升時，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOSFET開關(guān)管，當(dāng)VGS控制電壓不變時，在250C溫度下IDS=3A，當(dāng)芯片溫度升高為1000C時，IDS降低到2A，這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性，使之不會產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。也就是MOS管沒有二次擊穿現(xiàn)象，可見采用MOS管作為開關(guān)管，其開關(guān)管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機開關(guān)電源采用MOS管代替過去的普通晶體三極管后，開關(guān)管損壞率大幅度降低也是一個極好的證明。 mos管也稱場效應(yīng)管，首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。西藏車規(guī)級MOS管工廠

MOS管是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。貴州車規(guī)級MOS管

MOS管有什么優(yōu)點：1)輸入阻抗高，驅(qū)動功率小：控制方式為電壓控制，比較方便。由于柵源之間是二氧化硅（SiO2）絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達(dá)100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對激勵信號不會產(chǎn)生壓降，有電壓就可以驅(qū)動，所以驅(qū)動功率極小（靈敏度高）。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅(qū)動集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅(qū)動是需要功率的（Vb×Ib）。

2）開關(guān)速度快:MOSFET的開關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系，由于輸入容性特性的存在，使開關(guān)的速度變慢，但是在作為開關(guān)運用時，可降低驅(qū)動電路內(nèi)阻，加快開關(guān)速度（輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動，加快了容性的充放電的時間）。MOSFET只靠多子導(dǎo)電，不存在少子儲存效應(yīng)，因而關(guān)斷過程非常迅速，開關(guān)時間在10—100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，使開關(guān)總有滯后現(xiàn)象，影響開關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的）。 貴州車規(guī)級MOS管