MOS管作為開(kāi)關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在作為大功率開(kāi)關(guān)管應(yīng)用時(shí)，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個(gè)小電容器，輸入的開(kāi)關(guān)激勵(lì)信號(hào)，實(shí)際上是在對(duì)這個(gè)電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過(guò)程，在充放電的過(guò)程中，使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開(kāi)”與“關(guān)”的過(guò)程變慢，這是開(kāi)關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開(kāi)關(guān)管）。

由于MOS管在制造工藝上柵極S的引線的電流容量有一定的限度，所以在Q1在飽和導(dǎo)通時(shí)VCC對(duì)MOS管柵極S的瞬時(shí)充電電流巨大，極易損壞MOS管的輸入端，為了保護(hù)MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時(shí)充電的電流值，在柵極充電的電路中串接一個(gè)適當(dāng)?shù)某潆娤蘖麟娮琛?MOS管作用與特性是什么?貴州車規(guī)級(jí)MOS管

日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動(dòng)。不過(guò)PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類少等問(wèn)題，在高速驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無(wú)論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類，增強(qiáng)型NMOS管常見(jiàn)的重要原因，尤其在開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只需柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)的情況(高速驅(qū)動(dòng))。重慶車規(guī)級(jí)MOS管供應(yīng)商MOS管齊全知識(shí)及芯片型號(hào)匯總。

動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試是指對(duì)MOS管的動(dòng)態(tài)電學(xué)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，包括開(kāi)關(guān)速度、反向恢復(fù)時(shí)間等。（1）開(kāi)關(guān)速度測(cè)試開(kāi)關(guān)速度測(cè)試是指對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)速度進(jìn)行測(cè)試。開(kāi)關(guān)速度是指MOS管從開(kāi)啟到關(guān)閉或從關(guān)閉到開(kāi)啟的時(shí)間。開(kāi)關(guān)速度測(cè)試可以通過(guò)示波器進(jìn)行測(cè)試。（2）反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試是指對(duì)MOS管的反向恢復(fù)時(shí)間進(jìn)行測(cè)試。反向恢復(fù)時(shí)間是指MOS管在反向電壓下，從導(dǎo)通到截止再到反向恢復(fù)的時(shí)間。反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試可以通過(guò)示波器進(jìn)行測(cè)試。

場(chǎng)效應(yīng)管的品種很多，主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管兩大類，又都有N溝道和P溝道之分。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也叫做金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱為MOS場(chǎng)效應(yīng)管，分為耗盡型MOS管和增強(qiáng)型MOS管。場(chǎng)效應(yīng)管還有單柵極管和雙柵極管之分。雙柵場(chǎng)效應(yīng)管具有兩個(gè)相互獨(dú)立的柵極G1和G2，從構(gòu)造上看相當(dāng)于由兩個(gè)單柵場(chǎng)效應(yīng)管串聯(lián)而成，其輸出電流的變化遭到兩個(gè)柵極電壓的控制。雙柵場(chǎng)效應(yīng)管的這種特性，在作為高頻放大器、增益控制放大器、混頻器和解調(diào)器運(yùn)用時(shí)會(huì)帶來(lái)很大方便。 MOS驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)的幾個(gè)特別應(yīng)用解析及MOS管驅(qū)動(dòng)電流是怎么估算的呢？

無(wú)二次擊穿；由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會(huì)導(dǎo)致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會(huì)導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升，溫度進(jìn)一步的上升，更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降會(huì)導(dǎo)致晶體三極管的擊穿，這是一種導(dǎo)致電視機(jī)開(kāi)關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當(dāng)管溫度（或環(huán)境溫度）上升時(shí)，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOSFET開(kāi)關(guān)管，當(dāng)VGS控制電壓不變時(shí)，在250C溫度下IDS=3A，當(dāng)芯片溫度升高為1000C時(shí)，IDS降低到2A，這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性，使之不會(huì)產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。也就是MOS管沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象，可見(jiàn)采用MOS管作為開(kāi)關(guān)管，其開(kāi)關(guān)管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機(jī)開(kāi)關(guān)電源采用MOS管代替過(guò)去的普通晶體三極管后，開(kāi)關(guān)管損壞率大幅度降低也是一個(gè)極好的證明。 mos管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。西藏車規(guī)級(jí)MOS管工廠

MOS管是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。貴州車規(guī)級(jí)MOS管

MOS管有什么優(yōu)點(diǎn)：1)輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率?。嚎刂品绞綖殡妷嚎刂?，比較方便。由于柵源之間是二氧化硅（SiO2）絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達(dá)100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對(duì)激勵(lì)信號(hào)不會(huì)產(chǎn)生壓降，有電壓就可以驅(qū)動(dòng)，所以驅(qū)動(dòng)功率極小（靈敏度高）。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅(qū)動(dòng)集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅(qū)動(dòng)是需要功率的（Vb×Ib）。

2）開(kāi)關(guān)速度快:MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系，由于輸入容性特性的存在，使開(kāi)關(guān)的速度變慢，但是在作為開(kāi)關(guān)運(yùn)用時(shí)，可降低驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻，加快開(kāi)關(guān)速度（輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動(dòng)，加快了容性的充放電的時(shí)間）。MOSFET只靠多子導(dǎo)電，不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，因而關(guān)斷過(guò)程非常迅速，開(kāi)關(guān)時(shí)間在10—100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，使開(kāi)關(guān)總有滯后現(xiàn)象，影響開(kāi)關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開(kāi)關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對(duì)于普通的大功率晶體三極管來(lái)說(shuō)是難以想象的）。 貴州車規(guī)級(jí)MOS管