MOS管重要特性：3.寄生電容驅(qū)動(dòng)特性跟雙極性晶體管a相比，MOS管需要GS電壓高于一定的值才能導(dǎo)通，而且還要求較快的導(dǎo)通速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS、GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，理論上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流，由于對(duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)首先要留意的是可提供瞬間短路電流的大小;第二個(gè)要留意的是，普遍用于高速驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要柵極電壓大于源極電壓。而高速驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極導(dǎo)通電壓要比VCC高4V或10V，而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小。從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來(lái)給大家介紹一下MOS管里面常見(jiàn)的。西藏汽車級(jí)MOS管廠家
當(dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于BACKGATE正偏置時(shí)發(fā)生的情況。穿過(guò)GATEDIELECTRIC的電場(chǎng)加強(qiáng)了，有更多的電子從襯底被拉了上來(lái)。同時(shí)，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會(huì)出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過(guò)剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來(lái)越多的電子在表面積累，channel變成了強(qiáng)反轉(zhuǎn)。Channel形成時(shí)的電壓被稱為閾值電壓Vt。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時(shí)，不會(huì)形成channel。當(dāng)電壓差超過(guò)閾值電壓時(shí)，channel就出現(xiàn)了。
MOS管的工作原理mos管在電路中一般用作電子開(kāi)關(guān)，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開(kāi)路漏極，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件。這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開(kāi)關(guān)使用的電路形式比較多了。 云南MOS管總代MOS管的柵極電容很小，可以實(shí)現(xiàn)高頻應(yīng)用。
第五是輸入阻抗和噪聲能力不同。MOS管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，被普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，特別用MOS管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以獲得普通三極管很難達(dá)到的性能。然后是功耗損耗不同。同等情況下，采用MOS管時(shí)，功耗損耗低;而選用三極管時(shí)，功耗損耗要高出許多。當(dāng)然，在使用成本上，MOS管要高于三極管，因此根據(jù)兩種元件的特性，MOS管常用于高頻高速電路、大電流場(chǎng)所，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的中心區(qū)域;而三極管則用于低成本場(chǎng)所，達(dá)不到效果時(shí)才會(huì)考慮替換選用MOS管。
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管原理：P溝道增強(qiáng)型MOS管9因在N型襯底中生成P型反型層而得名，其通過(guò)光刻、擴(kuò)散的方法或其他手段，在N型襯底(基片)上制作出兩個(gè)摻雜的P區(qū)，分別引出電極(源極S和漏極D)，同時(shí)在漏極與源極之間的SiO2絕緣層上制作金屬柵極GQ。其結(jié)構(gòu)和工作原理與N溝道MOS管類似;只是使用的柵-源和漏-源電壓極性與N溝道MOS管相反。在正常工作時(shí)，P溝道增強(qiáng)型MOS管的襯底必須與源極相連，而漏極對(duì)源極的電壓VDS應(yīng)為負(fù)值，以保證兩個(gè)P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，同時(shí)為了在襯底頂表面附近形成導(dǎo)電溝道，柵極對(duì)源極的電壓也應(yīng)為負(fù)。 MOS驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)的幾個(gè)特別應(yīng)用解析及MOS管驅(qū)動(dòng)電流是怎么估算的呢？
熱穩(wěn)定性測(cè)試是指對(duì)MOS管的熱穩(wěn)定性進(jìn)行測(cè)試。熱穩(wěn)定性是指MOS管在高溫下的穩(wěn)定性。熱穩(wěn)定性測(cè)試可以通過(guò)高溫老化試驗(yàn)儀進(jìn)行。電熱應(yīng)力測(cè)試是指對(duì)MOS管的電熱應(yīng)力進(jìn)行測(cè)試。電熱應(yīng)力是指MOS管在高電壓下的穩(wěn)定性。電熱應(yīng)力測(cè)試可以通過(guò)高電壓老化試驗(yàn)儀進(jìn)行。
總結(jié)：MOS管的參數(shù)測(cè)試和可靠性評(píng)估是確保MOS管性能和可靠性的重要手段。MOS管的參數(shù)測(cè)試包括靜態(tài)參數(shù)測(cè)試和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，靜態(tài)參數(shù)測(cè)試包括開(kāi)關(guān)特性測(cè)試、漏電流測(cè)試、閾值電壓測(cè)試和電容測(cè)試，動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試包括開(kāi)關(guān)速度測(cè)試和反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試。MOS管的可靠性評(píng)估包括壽命測(cè)試、熱穩(wěn)定性測(cè)試和電熱應(yīng)力測(cè)試。這些測(cè)試可以通過(guò)各種測(cè)試設(shè)備和方法進(jìn)行。 MOS管是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。西藏汽車級(jí)MOS管廠家
mos管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別？西藏汽車級(jí)MOS管廠家
MOS做開(kāi)關(guān)管使用時(shí)，其工作狀態(tài)在截止區(qū)和可變電阻區(qū)之間切換，做放大管使用時(shí)，工作在飽和區(qū)。現(xiàn)如今，大部分的文檔對(duì)MOS的工作狀態(tài)的描述都是假設(shè)VGS不變，讓VDS增加，描述這一過(guò)程中MOS管工作狀態(tài)的變化。但當(dāng)我重新回頭看這么一段描述，浮上我腦海中的疑問(wèn)是：為什么VDS會(huì)增加？這是因?yàn)樵趯?shí)際的應(yīng)用場(chǎng)景中，VDS是基本固定不變的，一般是驅(qū)動(dòng)電壓VGS在運(yùn)行。而且在作者的工作中，接觸的都是工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的MOS，其導(dǎo)通壓降很小，很難想象VDS逐步增大的場(chǎng)景，所以下文將從VDS固定不變，VGS壓逐漸變大的角度分析MOS的開(kāi)通過(guò)程。 西藏汽車級(jí)MOS管廠家