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訊號線下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號電流經(jīng)過一個(gè)低阻抗的路徑返還其驅(qū)動(dòng)源，能夠有效減小輻射，而且由于地層的遮罩作用，使得電路對外輻射的靈敏度也會(huì)降低。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問題，如雜訊容限和邏輯開關(guān)門限電平紊亂，這個(gè)接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。遮罩是好的解決EMI問題的有效方法。輻射源遮罩能夠極大限度的解決EMI問題。在干擾源和干擾物件之間插入一金屬遮罩物，以阻擋干擾的傳播，可以做好預(yù)留設(shè)計(jì)。有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級連接的場合。成都藍(lán)牙耳機(jī)EMI分析整改示波器EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場及把它們導(dǎo)通傳輸，電感或電容耦合通...

任何信號的傳輸都存在一個(gè)閉環(huán)的回路，當(dāng)電流從驅(qū)動(dòng)端流入接收端的時(shí)候，必然會(huì)有一個(gè)回流電流通過與之相鄰的導(dǎo)體從接收端回流至驅(qū)動(dòng)端，構(gòu)成一個(gè)閉合的環(huán)路，而環(huán)路的大小卻和EMI的產(chǎn)生有著很大的關(guān)系，我們都知道，每一個(gè)環(huán)路都可以等效為一個(gè)天線，環(huán)路數(shù)量或者面積越大，引起的EMI也越強(qiáng)。我們知道，交流信號會(huì)自動(dòng)選取阻抗小的路徑返回驅(qū)動(dòng)端，但實(shí)際情況中，信號不可能始終保持的理想路徑，特別是在高密度布線的PCB板上，過孔，縫隙等都可能降低參考平面理想的特性，而是表現(xiàn)為更復(fù)雜的回流形式。在電路板上，差分走線必須是等長、等寬、緊密靠近、且在同一層面的兩根線。上海多媒體EMI分析整改示波器電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或...

我們來分析一下EMI的產(chǎn)生，忽略自然干擾的影響，在電子電路系統(tǒng)中我們主要考慮是電壓瞬變和信號的回流這兩方面。對于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對于高速的數(shù)字器件來說，產(chǎn)生高頻交流信號時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道，數(shù)字信號在開關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時(shí)間來決定，信號上升和下降速率越快，即開關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時(shí)間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射，這個(gè)電磁能量的外泄就會(huì)造成電磁...

若是用軍標(biāo)測試，相應(yīng)的會(huì)嚴(yán)格一些，所以EUT測試超標(biāo)很正常。對電源適配器的EMI和EMC主要影響的幾個(gè)因素在于電源適配器的開關(guān)電路,電路板設(shè)計(jì)和接地電路以及開關(guān)電路等各個(gè)功能電路等方面.消除就是用將干擾源通過熱能的方式損耗掉，這種是制本的方式。切除干擾傳導(dǎo)的途徑就是將干擾向外傳遞的路徑切斷，使其無法向外干擾，也就是我們常做的濾波，屏蔽等方法。c.疏導(dǎo)干擾源這種就是將干擾源引到不是敏感的元器件上如旁路，去藉，接地等方式。差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號，這兩個(gè)信號的振幅相同，相位相反。鄭州研發(fā)級EMI分析整改方法電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI；在輸出端合理配置電...

從我做EMC的整改經(jīng)驗(yàn)來看我不能認(rèn)同這些朋友的意見。我從事整改好幾年經(jīng)我手整改過的產(chǎn)品有電源，有陸軍標(biāo)的逆變電源，有工業(yè)電源，也有大功率的LED電源，還有音視頻產(chǎn)品，我對這些產(chǎn)品的工和原理只是知道個(gè)大概，無論如何也比不上各位工程師，但我一樣可以半這些產(chǎn)品整改符合EMC的要求同時(shí)也讓各業(yè)企懣意。說到EMC的整改問題，相信各位接觸過的工程師都會(huì)有很刻記憶。本人瀏覽了一些朋友對EMC的認(rèn)識，有的朋友認(rèn)為不是自己設(shè)計(jì)的電路或自己布的PCB，那別人就對這個(gè)電源過EMC沒有更好的方法，還有的一些朋友對電源的IC的功能情有獨(dú)鐘，他們可以分析出很多的情況。認(rèn)為是這個(gè)IC的功能影響到了產(chǎn)品的EMC的指標(biāo)。有效降...

整改一個(gè)二十幾瓦的電源。這個(gè)產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒有接入熱地的。（也就是電源初級邊的電解電容的負(fù)極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。我就結(jié)合測試的曲線說一下我的整改經(jīng)過吧。先上一個(gè)測試不通過的曲線：空間輻射的H方向的曲線這個(gè)電源是一個(gè)25W左右的開關(guān)電源，電源的電路圖保密原因不方便上傳，但可以跟大家先說明一下，此電路用了一個(gè)0。1uF的X電容和一個(gè)30mH的共模電感。次級輸出加了一個(gè)50uH的工字電感。電源平面和地平面盡量完整。廣州儀器儀表EMI分析整改接地EMI分為傳導(dǎo)與輻射兩部分，對于EMI解決方案，相關(guān)理論書籍也很多，作為一位電源產(chǎn)品開發(fā)工程師，即使你看了...

不同的電源有不同的要求。真正的實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的，確實(shí)如此，板框?qū)е虏季值南拗?，空間的限制，EMI線路放不下，比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大，加太大了，燈會(huì)閃爍。有時(shí)電源不能加Y電容等。EMI整改：1、對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量；2、對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來壓制；3、也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。5M以上，以共摸干擾為主，采用壓制共摸的方法（整改建議）對于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉...

原板上所用變壓器，只在外面增加一個(gè)屏蔽層。測試可以通過不過余量很小只有1dB。顯然來能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。根據(jù)以上的情況做了第二次修改，將變壓器更新成前面提到過的改變了繞線方式的變壓器。用頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線不是有點(diǎn)高，并且成有規(guī)律的波形。用頻譜分別對MOS管的G、D、S三個(gè)腳接觸看一下是哪個(gè)腳是輻射源，發(fā)現(xiàn)D極的輻射源大。于是我在D極上串了一個(gè)通用的插件磁珠。許多國家，對任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。充電樁EMI分析整改方式有效降低電路EMI的技巧：當(dāng)存在一個(gè)磁場時(shí)，一個(gè)由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線，并且把磁...

整改一個(gè)二十幾瓦的電源。這個(gè)產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒有接入熱地的。（也就是電源初級邊的電解電容的負(fù)極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。我就結(jié)合測試的曲線說一下我的整改經(jīng)過吧。先上一個(gè)測試不通過的曲線：空間輻射的H方向的曲線這個(gè)電源是一個(gè)25W左右的開關(guān)電源，電源的電路圖保密原因不方便上傳，但可以跟大家先說明一下，此電路用了一個(gè)0。1uF的X電容和一個(gè)30mH的共模電感。次級輸出加了一個(gè)50uH的工字電感。具體情況具體分析，其實(shí) EMI 就是一種經(jīng)驗(yàn)，熟悉整改的方法就可以。天津汽車電子EMI分析整改濾波器對于電源產(chǎn)品主要有的敏感元器件就是變壓器、MOS管、二極管。所...

EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場及把它們導(dǎo)通傳輸，電感或電容耦合通過自由或其組合，開關(guān)電源是對EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來源之一。開關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。由開關(guān)產(chǎn)生的共模噪聲是大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的障礙，因此要采用輸入濾波器，將其插在線路與機(jī)架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。具體情況具體分析，其實(shí)EMI就是一種經(jīng)驗(yàn)，熟悉整改的方法就可以，真正的想要去計(jì)算出來很難的，到了整改現(xiàn)場也沒有那么多時(shí)間給你去計(jì)算吧，只有就地取材了，有時(shí)候一個(gè)元件的放置方法對其有很大的影響的！電流的強(qiáng)度與閉合環(huán)路的面積成正比。廣州EMI...

我從事整改好幾年經(jīng)我手整改過的產(chǎn)品有電源，有陸軍標(biāo)的逆變電源，有工業(yè)電源，也有大功率的LED電源，還有音視頻產(chǎn)品，我對這些產(chǎn)品的工和原理只是知道個(gè)大概，無論如何也比不上各位工程師，但我一樣可以半這些產(chǎn)品整改符合EMC的要求同時(shí)也讓各業(yè)企懣意。說到EMC的整改問題，相信各位接觸過的工程師都會(huì)有很刻記憶。本人瀏覽了一些朋友對EMC的認(rèn)識，有的朋友認(rèn)為不是自己設(shè)計(jì)的電路或自己布的PCB，那別人就對這個(gè)電源過EMC沒有更好的方法，還有的一些朋友對電源的IC的功能情有獨(dú)鐘，他們可以分析出很多的情況。認(rèn)為是這個(gè)IC的功能影響到了產(chǎn)品的EMC的指標(biāo)。信號端口濾波的好壞是影響設(shè)備EMI是否超標(biāo)的一個(gè)重要因素。...

EMI，電磁干擾度，描述電子、電氣產(chǎn)品在正常工作狀態(tài)下對外界的干擾；EMI又包括傳導(dǎo)干擾CE（conductionemission）和輻射干擾RE(radiationemission)以及諧波harmonic。EMC包括EMI(interference)和EMS(susceptibility),也就是電磁干擾和電磁抗干擾。EMC電磁能量的檢測、抗電磁干擾性試驗(yàn)、檢測結(jié)果的統(tǒng)計(jì)處理、電磁能量輻射壓制技術(shù)、雷電和地磁等自然電磁現(xiàn)象、電場磁場對人體的影響、電場強(qiáng)度的國際標(biāo)準(zhǔn)、電磁能量的傳輸途徑、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及限制等均包含在EMC之內(nèi)。EMI是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。敏感...

若是用軍標(biāo)測試，相應(yīng)的會(huì)嚴(yán)格一些，所以EUT測試超標(biāo)很正常。對電源適配器的EMI和EMC主要影響的幾個(gè)因素在于電源適配器的開關(guān)電路,電路板設(shè)計(jì)和接地電路以及開關(guān)電路等各個(gè)功能電路等方面.消除就是用將干擾源通過熱能的方式損耗掉，這種是制本的方式。切除干擾傳導(dǎo)的途徑就是將干擾向外傳遞的路徑切斷，使其無法向外干擾，也就是我們常做的濾波，屏蔽等方法。c.疏導(dǎo)干擾源這種就是將干擾源引到不是敏感的元器件上如旁路，去藉，接地等方式。有時(shí)候一個(gè)元件的放置方法對其有很大的影響的！安徽研發(fā)級EMI分析整改示波器在信號處理中，濾波器的使用是常見的信號處理方式之一。那么什么樣的濾波器才能滿足工程師的設(shè)計(jì)要求呢？下面為...

原板上所用變壓器，只在外面增加一個(gè)屏蔽層。測試可以通過不過余量很小只有1dB。顯然來能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。根據(jù)以上的情況做了第二次修改，將變壓器更新成前面提到過的改變了繞線方式的變壓器。用頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線不是有點(diǎn)高，并且成有規(guī)律的波形。用頻譜分別對MOS管的G、D、S三個(gè)腳接觸看一下是哪個(gè)腳是輻射源，發(fā)現(xiàn)D極的輻射源大。于是我在D極上串了一個(gè)通用的插件磁珠。EMI是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。浙江射頻EMI分析整改產(chǎn)品EMI問題定位與整改：產(chǎn)品由于測試不能滿足電磁兼容項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)要求導(dǎo)致不能順...

對于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對于高速的數(shù)字器件來說，產(chǎn)生高頻交流信號時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道，數(shù)字信號在開關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時(shí)間來決定，信號上升和下降速率越快，即開關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時(shí)間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射，這個(gè)電磁能量的外泄就會(huì)造成電磁干擾問題。無論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過信號線傳導(dǎo)至其他設(shè)備。江蘇射頻EMI分析整改報(bào)告整改方案，如下：從傳...

對于電源產(chǎn)品主要有的敏感元器件就是變壓器、MOS管、二極管。所以只要解決好這三個(gè)方面的協(xié)調(diào)問題EMC就不難搞定。而解決EMC的方法概括來說就是：消除干擾源、切除干優(yōu)傳導(dǎo)的途徑、疏導(dǎo)干擾源。原板上所用變壓器，只在外面增加一個(gè)屏蔽層。測試可以通過不過余量很小只有1dB。顯然來能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。根據(jù)以上的情況做了第二次修改，將變壓器更新成前面提到過的改變了繞線方式的變壓器。用頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線不是有點(diǎn)高，并且成有規(guī)律的波形。用頻譜分別對MOS管的G、D、S三個(gè)腳接觸看一下是哪個(gè)腳是輻射源，發(fā)現(xiàn)D極的輻射源大。于是我在D極上...

產(chǎn)品EMI問題定位與整改：產(chǎn)品由于測試不能滿足電磁兼容項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)要求導(dǎo)致不能順利通過認(rèn)證，從而影響產(chǎn)品的上市與銷售。在諸多的電磁兼容測試項(xiàng)目中，不容易解決的是產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射（CE）以及輻射發(fā)射（RE）問題。由于對電磁兼容測試項(xiàng)目原理不清楚，對EMI問題的定位思路、解決對策、以及診斷工具沒有掌握，導(dǎo)致企業(yè)往往花費(fèi)大量的精力以及昂貴的測試費(fèi)用，還是不能解決產(chǎn)品的問題。為幫助企業(yè)以及研發(fā)人員解決在實(shí)際產(chǎn)品測試與認(rèn)證過程中遇到問題與困惑，培訓(xùn)通過對產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射（CE）以及輻射發(fā)射（RE）的測試原理分析，定位思路分析，各種解決對策講解，同時(shí)結(jié)合各類產(chǎn)品實(shí)際問題解決案例講解，使得參與培訓(xùn)的工程師可以在較短時(shí)間...

在信號處理中，濾波器的使用是常見的信號處理方式之一。那么什么樣的濾波器才能滿足工程師的設(shè)計(jì)要求呢？下面為大家介紹的信號端口濾波器件將是明智的選擇。信號端口濾波需要考慮的問題點(diǎn)：l端口傳輸信號不能由于任何原因信號不完整的問題；l普通磁珠，差分濾波器會(huì)對差分信號產(chǎn)生衰減，阻抗過大甚至引起差分信號時(shí)序錯(cuò)亂，左右信號不對稱。（共模濾波器可以使差分信號順利通過，而對共模的干擾信號呈較高阻抗）；這是我從LVDS信號線上抓的一個(gè)頻譜，區(qū)域的尖峰，在頻譜上一直很穩(wěn)定，一般這種信號是時(shí)鐘串?dāng)_到信號線上的信號，必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會(huì)變化，這是有用的信號，不能有所破壞。電源DC-DC晶片的VIN...

通常，高速數(shù)字電路的EMI發(fā)射帶寬可以通過下面的公式計(jì)算：F=1/πTr，F(xiàn)為開關(guān)電路產(chǎn)生的高EMI頻率，單位為GHz，Tr為信號的上升時(shí)間或者下降時(shí)間，單位為ns。比如，對于上升時(shí)間為1ns左右的器件，那么它所產(chǎn)生的高EMI頻率將為350MHz，而如果上升時(shí)間降為為500ps，那么它的高EMI發(fā)射頻率將為700MHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于系統(tǒng)正常的工作頻率，這將會(huì)在一定程度上影響周圍其他系統(tǒng)的正常工作。顯然，如果能減緩信號的上升沿，將會(huì)在很大程度上減少EMI，但是隨著電子設(shè)計(jì)和芯片制造水平的發(fā)展，器件總是朝著高速方向發(fā)展，單一的降低信號開關(guān)速率顯然是不現(xiàn)實(shí)的。但我們卻可以通過降低信號電壓來達(dá)到同樣的目的...

高速線，一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號的VCLK了，好在其走線背面有地銅層，沒有條件的，至少要有一條較寬的地線“護(hù)送”，能包地就更理想了，有的時(shí)候需要在靠MCU一端串電阻，消除過沖（過沖對輻射影響很大），不要串得太大，以免引起延遲；還有就是背面不要有平行的線，正面也是；另外就是USB，要走差分線；低速較長的線，也不容忽視，盡可能用RC壓制高頻分量，靠近對外的接口處，要串磁豬,電源進(jìn)線處，串小的共模電感，總而言之，輻射過強(qiáng)是較大的dv/dt，及較大的環(huán)路面積引起，想辦法壓制電壓瞬變，降低信號過沖，縮小信號與電流回流的環(huán)路面積。EMI 整改：對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器，調(diào)...

在EMI測試中，信號線對于電磁噪聲來說是一個(gè)很好的耦合傳播途徑，無論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過信號線傳導(dǎo)至其他設(shè)備，因此信號端口濾波的好壞是影響設(shè)備EMI是否超標(biāo)的一個(gè)重要因素。差分傳輸是一種信號傳輸?shù)募夹g(shù)，區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號線一根地線的單端信號傳輸，差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號，這兩個(gè)信號的振幅相同，相位相反。在這兩根線上的傳輸?shù)男盘柧褪遣罘中盘枴Ｐ盘柦邮斩吮容^這兩個(gè)電壓的差值來判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。在電路板上，差分走線必須是等長、等寬、緊密靠近、且在同一層面的兩根線。遮罩是好的解決EMI問題的有效方法。多媒體EMI分析整改接地EMI整改和調(diào)試是工程師在設(shè)計(jì)中不可回避的問題：一次性很...

電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI；在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取，而不是從遠(yuǎn)端的電源獲取，降低了雜訊干擾。另外，電源平面和地平面盡量完整。EMI又稱電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁噪聲干擾，就像傳染病般地透過電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問題。在許多國家，尤其在歐洲，對任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。敏感訊號用地包住，這樣包地即提供了訊號短回流路徑，也能消除與其他相鄰訊...

分析信號回流對EMI的影響，可以看到：信號和回流外部區(qū)域，由于磁場的極性相反，可以相互抵消，而中間部分是加強(qiáng)的，這也是對外輻射的主要來源。很明顯，我們只要縮短信號和回流之間的距離，就可以更好的抵消的電磁場，同時(shí)也能降低中間加強(qiáng)部分的面積，很大壓制EMI。但如果由于相鄰的參考平面上存在縫隙等非理想因素，這就導(dǎo)致了回流的面積增大，低電感的耦合作用減弱，將會(huì)有更多的回流通過其它途徑或者直接釋放到空中，這就會(huì)導(dǎo)致EMI的很大增加。有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級連接的場合。福建可視化EMI分析整改隔離產(chǎn)品EMI問題定位與整改：產(chǎn)品由于測試不能滿足電磁兼容項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)要求導(dǎo)致不能順利通過認(rèn)證，從而影響產(chǎn)...

信號端口濾波需要考慮的問題點(diǎn)：l端口傳輸信號不能由于任何原因信號不完整的問題；l普通磁珠，差分濾波器會(huì)對差分信號產(chǎn)生衰減，阻抗過大甚至引起差分信號時(shí)序錯(cuò)亂，左右信號不對稱。（共模濾波器可以使差分信號順利通過，而對共模的干擾信號呈較高阻抗）；這是我從LVDS信號線上抓的一個(gè)頻譜，區(qū)域的尖峰，在頻譜上一直很穩(wěn)定，一般這種信號是時(shí)鐘串?dāng)_到信號線上的信號，必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會(huì)變化，這是有用的信號，不能有所破壞。固有的電流及電壓波形，以非常快速的開關(guān)時(shí)間變化。重慶 多媒體EMI分析整改報(bào)告整改一個(gè)二十幾瓦的電源。這個(gè)產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒有接入熱地的。（也就...

較小面積環(huán)路中通過的磁通量也少，感應(yīng)出的電流也較小，因此環(huán)路面積必須小。保持訊號路徑和它的地返回線緊靠在一起將有助于小化地線環(huán)路，避免出現(xiàn)潛在的天線環(huán)。每根訊號好能做到與地的回流路徑短，回路面積越小，訊號的抗干擾能力越強(qiáng)，對外的EMI也達(dá)小。敏感訊號用地包住，這樣包地即提供了訊號短回流路徑，也能消除與其他相鄰訊號的干擾。例如時(shí)脈訊號、高頻訊號等，在PCB設(shè)計(jì)時(shí)進(jìn)行包地處理，并打些地孔，可有效降低EMI。不同的電源有不同的要求。真正的實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的，確實(shí)如此，板框?qū)е虏季值南拗疲臻g的限制，EMI線路放不下，比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大，加太大了，燈會(huì)閃爍。有時(shí)候一個(gè)元件的放置方法...

EMI整改：1、對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量；2、對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來壓制；3、也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。5M以上，以共摸干擾為主，采用壓制共摸的方法（整改建議）對于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。電子產(chǎn)品要通過電源線傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)和電源線抗擾度試驗(yàn)，必須在電源線上使用干擾濾波器。江蘇芯片EMI分析整改走線布線整改一個(gè)二十幾瓦的電源...

原板上所用變壓器，只在外面增加一個(gè)屏蔽層。測試可以通過不過余量很小只有1dB。顯然來能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。根據(jù)以上的情況做了第二次修改，將變壓器更新成前面提到過的改變了繞線方式的變壓器。用頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線不是有點(diǎn)高，并且成有規(guī)律的波形。用頻譜分別對MOS管的G、D、S三個(gè)腳接觸看一下是哪個(gè)腳是輻射源，發(fā)現(xiàn)D極的輻射源大。于是我在D極上串了一個(gè)通用的插件磁珠。固有的電流及電壓波形，以非?？焖俚拈_關(guān)時(shí)間變化。上海電氣電力EMI分析整改系統(tǒng)EMI分為傳導(dǎo)與輻射兩部分，對于EMI解決方案，相關(guān)理論書籍也很多，作為一位電源產(chǎn)品開...

在開關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會(huì)用一點(diǎn)點(diǎn)電路，加一點(diǎn)成本，重量，減一點(diǎn)點(diǎn)效率即可達(dá)到，理想的是一個(gè)方框或旁路掉干擾噪聲即可，這可以用插入一個(gè)對噪聲為高阻抗的元件放入壓制電路通道，并將其通過低阻抗通道旁路到地。再一個(gè)方法就是在輸入輸出之間放一個(gè)濾波器。這只對系統(tǒng)地和機(jī)框地距離很近時(shí)比較有效。對于AC線路，用一個(gè)有非常小的雜散電容的耦合電感，兩個(gè)安全的經(jīng)認(rèn)證的電容（X電容）放在輸入線路間即可，并在每個(gè)線路到地放一個(gè)小的Y電容，則可以有效地壓制開關(guān)噪聲，令其達(dá)到可以接受的水平。電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能。北...

信號端口濾波需要考慮的問題點(diǎn)：l端口傳輸信號不能由于任何原因信號不完整的問題；l普通磁珠，差分濾波器會(huì)對差分信號產(chǎn)生衰減，阻抗過大甚至引起差分信號時(shí)序錯(cuò)亂，左右信號不對稱。（共模濾波器可以使差分信號順利通過，而對共模的干擾信號呈較高阻抗）；這是我從LVDS信號線上抓的一個(gè)頻譜，區(qū)域的尖峰，在頻譜上一直很穩(wěn)定，一般這種信號是時(shí)鐘串?dāng)_到信號線上的信號，必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會(huì)變化，這是有用的信號，不能有所破壞。在許多國家，尤其在歐洲，對任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。西安家電燈具EMI分析整改方法EMI整改和調(diào)試是工程師在設(shè)計(jì)中不可回避的問題：一次性很難通過昂貴的EMI一...

20-30MHZ，（整改建議）1、對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ?，以非常快速的開關(guān)時(shí)間變化。200MHZ以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，...