EMI整改：1、對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量；2、對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來壓制；3、也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。5M以上，以共摸干擾為主，采用壓制共摸的方法（整改建議）對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。電子產(chǎn)品要通過電源線傳導(dǎo)發(fā)射試驗和電源線抗擾度試驗，必須在電源線上使用干擾濾波器。江蘇芯片EMI分析整改走線布線

整改一個二十幾瓦的電源。這個產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒有接入熱地的。（也就是電源初級邊的電解電容的負(fù)極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。我就結(jié)合測試的曲線說一下我的整改經(jīng)過吧。先上一個測試不通過的曲線：空間輻射的H方向的曲線這個電源是一個25W左右的開關(guān)電源，電源的電路圖保密原因不方便上傳，但可以跟大家先說明一下，此電路用了一個0。1uF的X電容和一個30mH的共模電感。次級輸出加了一個50uH的工字電感。北京芯片EMI分析整改隔離信號接收端比較兩個電壓的差值來判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。

電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會降低某個裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f電子設(shè)備都會產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁雜訊干擾，就像傳染病般地透過電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動系統(tǒng)的一個主要問題。在許多國家，尤其在歐洲，對任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。電子產(chǎn)品要通過電源線傳導(dǎo)發(fā)射試驗和電源線抗擾度試驗，必須在電源線上使用干擾濾波器，靜電放電對設(shè)備電路的影響很大程度上是由于靜電放電電流周圍的高頻電磁場，這些電磁場由于頻率很高，因此很容易被導(dǎo)線所接收，對電路形成干擾凈，某設(shè)備在做靜電放電試驗時，發(fā)現(xiàn)當(dāng)在活動面板上進行放電時，電路出現(xiàn)故障。經(jīng)檢查，發(fā)現(xiàn)面板后面是一束電纜，面板上的靜電放電電流產(chǎn)生的電磁場在電纜束上感應(yīng)出了噪聲電流，形成干擾。在電纜的端口處安裝濾波器后，問題解決。

通常，高速數(shù)字電路的EMI發(fā)射帶寬可以通過下面的公式計算：F=1/πTr，F(xiàn)為開關(guān)電路產(chǎn)生的高EMI頻率，單位為GHz，Tr為信號的上升時間或者下降時間，單位為ns。比如，對于上升時間為1ns左右的器件，那么它所產(chǎn)生的高EMI頻率將為350MHz，而如果上升時間降為為500ps，那么它的高EMI發(fā)射頻率將為700MHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于系統(tǒng)正常的工作頻率，這將會在一定程度上影響周圍其他系統(tǒng)的正常工作。顯然，如果能減緩信號的上升沿，將會在很大程度上減少EMI，但是隨著電子設(shè)計和芯片制造水平的發(fā)展，器件總是朝著高速方向發(fā)展，單一的降低信號開關(guān)速率顯然是不現(xiàn)實的。但我們卻可以通過降低信號電壓來達到同樣的目的，因為在相同的時間內(nèi)，低電壓器件需要跨越的邏輯門電壓幅度較小，就同樣減緩器件的上升沿速率，所以低電壓器件也是高速電路發(fā)展的趨勢。在EMI測試中，信號線對于電磁噪聲來說是一個很好的耦合傳播途徑。

電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI；在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動態(tài)功率將從近端的電容獲取，而不是從遠(yuǎn)端的電源獲取，降低了雜訊干擾。另外，電源平面和地平面盡量完整。EMI又稱電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會降低某個裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f電子設(shè)備都會產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁噪聲干擾，就像傳染病般地透過電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動系統(tǒng)的一個主要問題。在許多國家，尤其在歐洲，對任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號，這兩個信號的振幅相同，相位相反。江蘇芯片EMI分析整改走線布線

在許多國家，尤其在歐洲，對任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。江蘇芯片EMI分析整改走線布線

高速線，一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號的VCLK了，好在其走線背面有地銅層，沒有條件的，至少要有一條較寬的地線“護送”，能包地就更理想了，有的時候需要在靠MCU一端串電阻，消除過沖（過沖對輻射影響很大），不要串得太大，以免引起延遲；還有就是背面不要有平行的線，正面也是；另外就是USB，要走差分線；低速較長的線，也不容忽視，盡可能用RC壓制高頻分量，靠近對外的接口處，要串磁豬,電源進線處，串小的共模電感，總而言之，輻射過強是較大的dv/dt，及較大的環(huán)路面積引起，想辦法壓制電壓瞬變，降低信號過沖，縮小信號與電流回流的環(huán)路面積。江蘇芯片EMI分析整改走線布線