訊號(hào)線下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號(hào)電流經(jīng)過(guò)一個(gè)低阻抗的路徑返還其驅(qū)動(dòng)源，能夠有效減小輻射，而且由于地層的遮罩作用，使得電路對(duì)外輻射的靈敏度也會(huì)降低。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問(wèn)題，如雜訊容限和邏輯開(kāi)關(guān)門(mén)限電平紊亂，這個(gè)接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。遮罩是好的解決EMI問(wèn)題的有效方法。輻射源遮罩能夠極大限度的解決EMI問(wèn)題。在干擾源和干擾物件之間插入一金屬遮罩物，以阻擋干擾的傳播，可以做好預(yù)留設(shè)計(jì)。有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級(jí)連接的場(chǎng)合。成都藍(lán)牙耳機(jī)EMI分析整改示波器

EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場(chǎng)及把它們導(dǎo)通傳輸，電感或電容耦合通過(guò)自由或其組合，開(kāi)關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來(lái)源之一。開(kāi)關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。由開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的共模噪聲是大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的障礙，因此要采用輸入濾波器，將其插在線路與機(jī)架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。具體情況具體分析，其實(shí)EMI就是一種經(jīng)驗(yàn)，熟悉整改的方法就可以，真正的想要去計(jì)算出來(lái)很難的，到了整改現(xiàn)場(chǎng)也沒(méi)有那么多時(shí)間給你去計(jì)算吧，只有就地取材了，有時(shí)候一個(gè)元件的放置方法對(duì)其有很大的影響的！江蘇汽車(chē)電子EMI分析整改走線布線無(wú)論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過(guò)信號(hào)線傳導(dǎo)至其他設(shè)備。

整改一個(gè)二十幾瓦的電源。我就結(jié)合測(cè)試的曲線說(shuō)一下我的整改經(jīng)過(guò)吧。先上一個(gè)測(cè)試不通過(guò)的曲線：空間輻射的H方向的曲線這個(gè)電源是一個(gè)25W左右的開(kāi)關(guān)電源，電源的電路圖保密原因不方便上傳，但可以跟大家先說(shuō)明一下，此電路用了一個(gè)0。1uF的X電容和一個(gè)30mH的共模電感。次級(jí)輸出加了一個(gè)50uH的工字電感。這個(gè)產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒(méi)有接入熱地的。（也就是電源初級(jí)邊的電解電容的負(fù)極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。

從我做EMC的整改經(jīng)驗(yàn)來(lái)看我不能認(rèn)同這些朋友的意見(jiàn)。對(duì)于EMI實(shí)際測(cè)試，整改，有經(jīng)驗(yàn)都可以拿來(lái)大家分享，先不管理論對(duì)不對(duì)，實(shí)際結(jié)果是怎樣就怎樣，繼續(xù)分享我的經(jīng)驗(yàn)如下：+12V田字體輸出線材上繞CoRe（常用規(guī)格為KN-RN250080），對(duì)輻射60MHz-70MHz，有改善.在次級(jí)整流管上串磁珠（常用規(guī)格為MD-353015，MD-353012），對(duì)輻射45MHz75MHz，120MHz-200MHz均有改善.一次側(cè)地對(duì)二次側(cè)地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），此電容好是放在跨主變壓器兩地之間，對(duì)輻射30MHz-60MHz，有改善。電磁干擾就像傳染病般地透過(guò)電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問(wèn)題。

訊號(hào)線和接地平面之間存在訊號(hào)，輻射可以由訊號(hào)走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號(hào)走線下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時(shí)脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時(shí)脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時(shí)脈轉(zhuǎn)換過(guò)程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個(gè)主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。開(kāi)關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。天津可視化EMI分析整改隔離

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產(chǎn)品EMI問(wèn)題定位與整改：產(chǎn)品由于測(cè)試不能滿足電磁兼容項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)要求導(dǎo)致不能順利通過(guò)認(rèn)證，從而影響產(chǎn)品的上市與銷(xiāo)售。在諸多的電磁兼容測(cè)試項(xiàng)目中，不容易解決的是產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射（CE）以及輻射發(fā)射（RE）問(wèn)題。由于對(duì)電磁兼容測(cè)試項(xiàng)目原理不清楚，對(duì)EMI問(wèn)題的定位思路、解決對(duì)策、以及診斷工具沒(méi)有掌握，導(dǎo)致企業(yè)往往花費(fèi)大量的精力以及昂貴的測(cè)試費(fèi)用，還是不能解決產(chǎn)品的問(wèn)題。為幫助企業(yè)以及研發(fā)人員解決在實(shí)際產(chǎn)品測(cè)試與認(rèn)證過(guò)程中遇到問(wèn)題與困惑，培訓(xùn)通過(guò)對(duì)產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射（CE）以及輻射發(fā)射（RE）的測(cè)試原理分析，定位思路分析，各種解決對(duì)策講解，同時(shí)結(jié)合各類(lèi)產(chǎn)品實(shí)際問(wèn)題解決案例講解，使得參與培訓(xùn)的工程師可以在較短時(shí)間內(nèi)掌握產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射以及輻射發(fā)射等EMI問(wèn)題的解決思路與對(duì)策，快速解決產(chǎn)品的問(wèn)題，同時(shí)借助一定輔助EMI診斷工具，降低產(chǎn)品在測(cè)試過(guò)程中的實(shí)驗(yàn)室定位費(fèi)用，對(duì)企業(yè)縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品研發(fā)與物料成本具有重要意義！成都藍(lán)牙耳機(jī)EMI分析整改示波器