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原板上所用變壓器,只在外面增加一個屏蔽層。測試可以通過不過余量很小只有1dB。顯然來能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。根據(jù)以上的情況做了第二次修改,將變壓器更新成前面提到過的改變了繞線方式的變壓器。用頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線不是有點高,并且成有規(guī)律的波形。用頻譜分別對MOS管的G、D、S三個腳接觸看一下是哪個腳是輻射源,發(fā)現(xiàn)D極的輻射源大。于是我在D極上串了一個通用的插件磁珠。固有的電流及電壓波形,以非??焖俚拈_關(guān)時間變化。上海電氣電力EMI分析整改系統(tǒng)
EMI分為傳導(dǎo)與輻射兩部分,對于EMI解決方案,相關(guān)理論書籍也很多,作為一位電源產(chǎn)品開發(fā)工程師,即使你看了很多EMI處理方面的書籍,但碰到處理EMI問題,還是無從下手,或是不能對癥下藥,在這兒我們不妨先拋開讓人難以理解的理論,針對我們在處理實際EMI問題的一些經(jīng)驗對策總結(jié),也歡迎有同樣經(jīng)驗的工程師也來發(fā)表自己的看法,1MHZ以內(nèi),以差模干擾為主。(整改建議)1、增大X電容量;2、添加差模電感;率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。1MHZ-5MHZ,差模共模混合,采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決,(整改建議)。福建家電燈具EMI分析整改屏蔽具體情況具體分析,其實 EMI 就是一種經(jīng)驗,熟悉整改的方法就可以。
電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會降低某個裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能,或可能對生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?;蛘f電子設(shè)備都會產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁雜訊干擾,就像傳染病般地透過電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動系統(tǒng)的一個主要問題。在許多國家,尤其在歐洲,對任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。特點:l封裝小,能有效節(jié)省電路板空間;l能有效壓制共模噪聲;l差模截止頻率>3.5GHz;l對高速差動傳輸線信號幾乎沒有影響;l滿足HDMI的TRD標(biāo)準(zhǔn);端口類型;模擬信號輸出端口(外部連接線,音頻等);數(shù)字信號輸出端口(內(nèi)部連接口/連接線,LVDS,USB,SD,HDMI,等),信號類型一般為差分形式。
再一個方法就是在輸入輸出之間放一個濾波器。這只對系統(tǒng)地和機(jī)框地距離很近時比較有效。對于AC線路,用一個有非常小的雜散電容的耦合電感,兩個安全的經(jīng)認(rèn)證的電容(X電容)放在輸入線路間即可,并在每個線路到地放一個小的Y電容,則可以有效地壓制開關(guān)噪聲,令其達(dá)到可以接受的水平。在開關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的,理想的EMI及RFI會用一點點電路,加一點成本,重量,減一點點效率即可達(dá)到,理想的是一個方框或旁路掉干擾噪聲即可,這可以用插入一個對噪聲為高阻抗的元件放入壓制電路通道,并將其通過低阻抗通道旁路到地。電子產(chǎn)品要通過電源線傳導(dǎo)發(fā)射試驗和電源線抗擾度試驗,必須在電源線上使用干擾濾波器。
20-30MHZ,(整改建議)1、對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置;2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;3、在變壓器外面包銅箔;變壓器里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上,開關(guān)電源已基本輻射量很小,一般均可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對GND并的CY電容(容量范圍470PF-4700PF),對輻射的50MHz-110MHz,190MHz-240MHz均有改善.高壓地對Case地跨CY電容(容量范圍470PF-4700PF),對輻射40MHz-55MHz,80MHz-130MHz,160MHz-180MHz,均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容(容量范圍1000PF-4700PF/1KV),對輻射40MHz-90MHz,110MHz-170MHz均有改善。信號接收端比較兩個電壓的差值來判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。江蘇新能源汽車EMI分析整改濾波器
無論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過信號線傳導(dǎo)至其他設(shè)備。上海電氣電力EMI分析整改系統(tǒng)
有效降低電路EMI的技巧:因CMOS電路在時脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn),而在時脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零,所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值,不是平均值。在時脈轉(zhuǎn)換過程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個主要的輻射源,近端位置增加旁路電容,那晶片所需的電流直接由該電容提供,避免了電流浪涌的產(chǎn)生,減少了雜訊。在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號介面等位置增加旁路電容,有助于濾除積體電路的開關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理,電容要靠近接腳擺放。上海電氣電力EMI分析整改系統(tǒng)