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MOSFET探針臺(tái)維保

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-06-23

探針臺(tái)的各種應(yīng)用,例如器件表征和建模,RF /微波,晶片級(jí)可靠性,故障分析,設(shè)計(jì)驗(yàn)證,和大功率。滿足先進(jìn)半導(dǎo)體測試市場的要求,主要用于解決故障分析,設(shè)計(jì)驗(yàn)證,IC工程,晶圓級(jí)可靠性以及MEMS,高功率,RF和mmW器件測試的特殊要求。系統(tǒng)噪聲,非常精確和高度可靠的DC / CV,RF和高功率測量。用于在寬溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體的低接觸電阻測量。帶互鎖功能的安全光幕可通過互鎖系統(tǒng)關(guān)閉儀器,從而保護(hù)用戶免受意外高壓沖擊。該系統(tǒng)具有后門,并由互鎖保護(hù),以提供簡便的初始測量設(shè)置。給大家普及一下探針臺(tái)是干什么用的。MOSFET探針臺(tái)維保

低溫探針臺(tái)中低電流測量的注意事項(xiàng):低電流測量(低于 1 nA)是評(píng)估成熟和新興半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)和制造質(zhì)量的關(guān)鍵工具。在這種情況下,器件材料、生長參數(shù)或器件幾何形狀的修改會(huì)導(dǎo)致器件中出現(xiàn)不希望的和無關(guān)的電流路徑。這些所謂的漏電流可能是由材料缺陷、柵極氧化物形態(tài)、襯底選擇和電場分布造成的,并導(dǎo)致器件性能下降——常見的是功耗過大。由于許多這些泄漏路徑背后的物理機(jī)制具有眾所周知的溫度依賴性,因此低溫探測測量可以成為識(shí)別電流泄漏的精確機(jī)制的有用評(píng)估工具,特別是對(duì)于新材料和器件架構(gòu)。山東探針臺(tái)產(chǎn)品介紹探針臺(tái)與顯示器一體化設(shè)計(jì)。

探針臺(tái)是半導(dǎo)體(包含集成電路、分立器材、光電器材、傳感器)行業(yè)重要的檢測配備之一,其廣泛應(yīng)用于雜亂、高速器材的ing密電氣測量,旨在保證質(zhì)量及可靠性,并縮減研發(fā)時(shí)刻和器材制作工藝的本錢。探計(jì)臺(tái)用于晶圓加工之后、封裝工藝之前的CP測驗(yàn)環(huán)節(jié),負(fù)責(zé)晶圓的輸送與定位,使晶圓上的晶粒依次與探針觸模并逐人測驗(yàn)。在半導(dǎo)體器材與集成電路制作工藝中,從單晶硅棒的制取到ZU終器材制作的完結(jié)需經(jīng)過雜亂的工序,可分為前道工序與后道工序,探針臺(tái)是檢測半導(dǎo)體芯片的電參數(shù)、光參數(shù)的關(guān)鍵設(shè)備。

光電流測試探針臺(tái)系統(tǒng)是在金相顯微鏡基礎(chǔ)上導(dǎo)入另一路光源,用于輻照樣品以測試樣品在特定波長及能量下的電氣特性等測試目的。l本顯微鏡設(shè)計(jì)為雙光路或3光路,其中一路為導(dǎo)入光通路,另一到兩路為成像光路導(dǎo)入光為平行的激光或其它線性光源,波長范圍200nm~20000nm,中間可加入多個(gè)波片過濾,起偏及偏振角度無級(jí)360度調(diào)節(jié)。光斑輻照直徑有650nm紅光指示。l所有模塊均可拉出設(shè)計(jì),對(duì)導(dǎo)入光性質(zhì)無影響。導(dǎo)入光光路可選擇一個(gè)光時(shí)間開關(guān),精確控制導(dǎo)入光的輻照時(shí)間,精度1ms,范圍2ms~∞,在控制界面上可對(duì)各種參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)設(shè)置。成像光路為同軸照明金相成像,其中一路為1倍成像,可選擇第2路成像,為物鏡的0.25~10倍率,通常在高低溫測試系統(tǒng)里會(huì)用到,同一個(gè)物鏡不切換,得到兩個(gè)不同視野的成像。定制探針臺(tái)具有優(yōu)良的機(jī)械系統(tǒng),穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),符合人體工程學(xué),以及多項(xiàng)升級(jí)功能。

手動(dòng)探針臺(tái)基本配置(包含探針臺(tái)主體、顯微鏡、針座、探針等),探針臺(tái)主體-可測試晶圓尺寸:4英寸weili-樣品臺(tái)行程:100mm*100mm-移動(dòng)分辨率:~:360度-低漏電底柵接口,標(biāo)準(zhǔn)Triax輸出-可選400度高溫樣品臺(tái)顯微鏡-三目連續(xù)變倍體鏡,LED環(huán)形照明-光學(xué)變倍總倍率45倍,物鏡,總放大倍率約700倍針座-磁性吸附底座,XYZ移動(dòng)范圍:12mm-移動(dòng)分辨率2um-標(biāo)配4個(gè),可裝6個(gè)-漏電設(shè)計(jì),漏電流探針低于100fA-Triax標(biāo)準(zhǔn)接口輸出,Keithley原裝低噪聲Triax線纜-低漏設(shè)計(jì)電探針,針尖探針探針直徑標(biāo)配10um,1um尺寸。 探針臺(tái)廣泛應(yīng)用于科研單位研發(fā)測試、院校教學(xué)操作、企業(yè)實(shí)驗(yàn)室芯片失效分析等領(lǐng)域。湖南高低溫探針臺(tái)

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波銘科儀CH-196高低溫真空探針臺(tái)是我司自主研發(fā)的一款在極端環(huán)境下給樣品加載電學(xué)信號(hào)的設(shè)備。可以實(shí)現(xiàn)器件及材料表征的IV/CV特性測試,射頻測試,光電測試等。通過液氮或者壓縮機(jī)制冷,可以在防輻射屏內(nèi)營造一個(gè)穩(wěn)定的測試環(huán)境。在特殊材料,半導(dǎo)體器件等研究方向具有***運(yùn)用。一般用于相關(guān)單位實(shí)驗(yàn)室。產(chǎn)品優(yōu)勢:防輻射屏和熱沉設(shè)計(jì)降溫速度快,常溫降至77k<25mins,提高測試效率液氮自動(dòng)控制系統(tǒng),液氮流量模塊和溫度控制模塊一起聯(lián)動(dòng)共同控制溫度。MOSFET探針臺(tái)維保

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