廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司成立于 2023 年,總部位于東莞松山湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū),注冊(cè)資本 2000 萬元。作為高新企業(yè)和廣東省專精特新企業(yè),公司專注于半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、LCD 光刻膠、納米壓印光刻膠、半導(dǎo)體錫膏、焊片及靶材等領(lǐng)域。其光刻膠產(chǎn)品以高分辨率、耐蝕刻性和環(huán)保特性著稱,廣泛應(yīng)用于芯片制造、顯示面板及精密電子元件生產(chǎn)。
公司依托 23 年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)積累,構(gòu)建了完整的技術(shù)研發(fā)體系,擁有全自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備及多項(xiàng)技術(shù)。原材料均選用美國(guó)、德國(guó)、日本進(jìn)口的材料,并通過 ISO9001:2008 質(zhì)量管理體系認(rèn)證,生產(chǎn)流程嚴(yán)格執(zhí)行 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理標(biāo)準(zhǔn),確保產(chǎn)品穩(wěn)定性與一致性。目前,吉田半導(dǎo)體已與多家世界 500 強(qiáng)企業(yè)及電子加工企業(yè)建立長(zhǎng)期合作,產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球市場(chǎng),致力于成為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的企業(yè)。
告別顯影殘留!化學(xué)增幅型光刻膠助力封裝。廣州負(fù)性光刻膠感光膠
主要優(yōu)勢(shì):細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
技術(shù)積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn),實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,分辨率達(dá)3μm,適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。
技術(shù)壁壘:掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術(shù),部分原材料純度達(dá)PPT級(jí),金屬離子含量低于0.1ppb,良率超99%。
產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局
產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如:
? LCD光刻膠:適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù),與京東方、TCL華星合作開發(fā)高分辨率產(chǎn)品,良率提升至98%。
? 半導(dǎo)體錫膏:供應(yīng)華為、OPPO等企業(yè),年采購(gòu)量超200噸,用于5G手機(jī)主板封裝。
技術(shù)化延伸:計(jì)劃2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā),目標(biāo)進(jìn)入中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)供應(yīng)鏈。
質(zhì)量控制與生產(chǎn)能力
通過ISO9001:2008質(zhì)量體系認(rèn)證,生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理,原材料采用美、德、日進(jìn)口高質(zhì)量材料。擁有全自動(dòng)化生產(chǎn)線,年產(chǎn)能達(dá)2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規(guī)模訂單交付。
安徽激光光刻膠價(jià)格聚焦封裝需求,吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一姑式服務(wù)。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司以全球化視野布局市場(chǎng),通過嚴(yán)格的質(zhì)量管控與完善的服務(wù)體系贏得客戶信賴。公司產(chǎn)品不僅通過 ISO9001 認(rèn)證,更以進(jìn)口原材料和精細(xì)化生產(chǎn)流程保障品質(zhì),例如錫膏產(chǎn)品采用無鹵無鉛配方,符合環(huán)保要求,適用于電子產(chǎn)品制造。其銷售網(wǎng)絡(luò)覆蓋全球,與富士康、聯(lián)想等企業(yè)保持長(zhǎng)期合作,并在全國(guó)重點(diǎn)區(qū)域設(shè)立辦事處,提供本地化技術(shù)支持與售后服務(wù)。
作為廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè),吉田半導(dǎo)體始終將技術(shù)研發(fā)視為核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司投入大量資源開發(fā)新型光刻膠及焊接材料,例如 BGA 助焊膏和針筒錫膏,滿足精密電子組裝的需求。同時(shí),依托東莞 “世界工廠” 的產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)勢(shì),公司強(qiáng)化供應(yīng)鏈協(xié)同,縮短交付周期,為客戶提供高效解決方案。未來,吉田半導(dǎo)體將持續(xù)深化技術(shù)創(chuàng)新與全球合作,助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更高臺(tái)階。
客戶認(rèn)證:從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)線的漫長(zhǎng)“闖關(guān)”
驗(yàn)證周期與試錯(cuò)成本
半導(dǎo)體光刻膠需經(jīng)歷PRS(性能測(cè)試)、STR(小試)、MSTR(中批量驗(yàn)證)等階段,周期長(zhǎng)達(dá)2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動(dòng)驗(yàn)證,直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺(tái)認(rèn)證。試錯(cuò)成本極高,單次晶圓測(cè)試費(fèi)用超百萬元,且客戶為維持產(chǎn)線穩(wěn)定,通常不愿更換供應(yīng)商。
設(shè)備與工藝的協(xié)同難題
光刻膠需與光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)等設(shè)備高度匹配。國(guó)內(nèi)企業(yè)因缺乏ASML EUV光刻機(jī)測(cè)試資源,只能依賴二手設(shè)備或與晶圓廠合作驗(yàn)證,導(dǎo)致研發(fā)效率低下。例如,華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)的EUV光刻膠因無法接入ASML原型機(jī)測(cè)試,性能參數(shù)難以對(duì)標(biāo)國(guó)際。
無鹵無鉛錫膏廠家吉田,RoHS 認(rèn)證,為新能源領(lǐng)域提供服務(wù)!
工藝流程
? 目的:去除基板表面油污、顆粒,增強(qiáng)感光膠附著力。
? 方法:
? 化學(xué)清洗(硫酸/雙氧水、去離子水);
? 表面處理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化處理)。
涂布(Coating)
? 方式:
? 旋涂:半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域,厚度控制精確(納米至微米級(jí)),轉(zhuǎn)速500-5000rpm;
? 噴涂/輥涂:PCB/MEMS領(lǐng)域,適合大面積或厚膠(微米至百微米級(jí),如負(fù)性膠可達(dá)100μm)。
? 關(guān)鍵參數(shù):膠液黏度、涂布速度、基板溫度(影響厚度均勻性)。
前烘(Soft Bake)
? 目的:揮發(fā)溶劑,固化膠膜,增強(qiáng)附著力和穩(wěn)定性。
? 條件:
? 溫度:60-120℃(正性膠通常更低,如90℃;負(fù)性膠可至100℃以上);
? 時(shí)間:5-30分鐘(根據(jù)膠厚調(diào)整,厚膠需更長(zhǎng)時(shí)間)。
曝光(Exposure)
? 光源:
? 紫外光(UV):G線(436nm)、I線(365nm)用于傳統(tǒng)光刻(分辨率≥1μm);
? 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程(分辨率至20nm);
? 極紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性膠適用)。
? 曝光方式:
? 接觸式/接近式:掩膜版與膠膜直接接觸(PCB、MEMS,低成本但精度低);
? 投影式:通過物鏡聚焦(半導(dǎo)體,分辨率高,如ArF光刻機(jī)精度達(dá)22nm)。
光刻膠技術(shù)突破加速,對(duì)芯片制造行業(yè)有哪些影響?北京阻焊光刻膠生產(chǎn)廠家
松山湖半導(dǎo)體材料廠家吉田,全系列產(chǎn)品支持小批量試產(chǎn)!廣州負(fù)性光刻膠感光膠
吉田半導(dǎo)體 SU-3 負(fù)性光刻膠:國(guó)產(chǎn)技術(shù)賦能 5G 芯片封裝
自主研發(fā) SU-3 負(fù)性光刻膠支持 3 微米厚膜加工,成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對(duì) 5G 芯片封裝需求,吉田半導(dǎo)體自主研發(fā) SU-3 負(fù)性光刻膠,分辨率達(dá) 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學(xué)性確保復(fù)雜圖形的完整性,已應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國(guó)產(chǎn)原材料與工藝,不采用國(guó)外材料,成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%,幫助客戶提升封裝良率至 98.5%,為國(guó)產(chǎn) 5G 芯片制造提供關(guān)鍵材料支撐。
廣州負(fù)性光刻膠感光膠