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全品類(lèi)覆蓋
吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線(xiàn)涵蓋正性 / 負(fù)性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求,技術(shù)布局全面性于多數(shù)國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商。
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關(guān)鍵技術(shù)突破
納米壓印技術(shù):JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達(dá) 250℃,支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制,適用于第三代半導(dǎo)體(GaN/SiC)及 Mini LED 等新興領(lǐng)域,技術(shù)指標(biāo)接近國(guó)際先進(jìn)水平。
水性環(huán)保配方:JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機(jī)溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保性能優(yōu)于同類(lèi)產(chǎn)品。
厚膜工藝能力:JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控(達(dá)數(shù)十微米),滿(mǎn)足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
松山湖光刻膠廠(chǎng)家吉田,23 年經(jīng)驗(yàn) + 全自動(dòng)化產(chǎn)線(xiàn),支持納米壓印光刻膠定制!成都負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠(chǎng)家
定義與特性
負(fù)性光刻膠是一種在曝光后,未曝光區(qū)域會(huì)溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比,其主要特點(diǎn)是耐蝕刻性強(qiáng)、工藝簡(jiǎn)單、成本低,但分辨率較低(通?!?μm),主要應(yīng)用于對(duì)精度要求相對(duì)較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場(chǎng)景。
化學(xué)組成與工作原理
主要成分
基體樹(shù)脂:
? 早期以聚異戊二烯橡膠(天然或合成)為主,目前常用環(huán)化橡膠(Cyclized Rubber)或聚乙烯醇肉桂酸酯,提供膠膜的機(jī)械強(qiáng)度和耐蝕刻性。
光敏劑:
? 主要為雙疊氮化合物(如雙疊氮芪)或重氮醌類(lèi)衍生物,占比約5%-10%,吸收紫外光后引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)。
交聯(lián)劑:
? 如六亞甲基四胺(烏洛托品),在曝光后與樹(shù)脂發(fā)生交聯(lián),形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
溶劑:
? 多為有機(jī)溶劑(如二甲苯、環(huán)己酮),溶解樹(shù)脂和光敏劑,涂布后揮發(fā)形成均勻膠膜。
工作原理
曝光前:光敏劑和交聯(lián)劑均勻分散在樹(shù)脂中,膠膜可溶于顯影液(有機(jī)溶劑)。
曝光時(shí):
? 光敏劑吸收紫外光(G線(xiàn)436nm為主)后產(chǎn)生活性自由基,引發(fā)交聯(lián)劑與樹(shù)脂分子間的共價(jià)鍵交聯(lián),使曝光區(qū)域形成不溶于顯影液的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
顯影后:
? 未曝光區(qū)域的樹(shù)脂因未交聯(lián),被顯影液溶解去除,曝光區(qū)域保留,形成負(fù)性圖案(與掩膜版相反)。
成都負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠(chǎng)家納米壓印光刻膠哪家強(qiáng)?吉田半導(dǎo)體附著力提升 30%!
“設(shè)備-材料-工藝”閉環(huán)驗(yàn)證
吉田半導(dǎo)體與中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等晶圓廠(chǎng)建立了聯(lián)合研發(fā)機(jī)制,針對(duì)28nm及以上成熟制程開(kāi)發(fā)專(zhuān)門(mén)使用光刻膠,例如其KrF光刻膠已通過(guò)中芯國(guó)際北京廠(chǎng)的產(chǎn)線(xiàn)驗(yàn)證,良率達(dá)95%以上。此外,公司參與國(guó)家重大專(zhuān)項(xiàng)(如02專(zhuān)項(xiàng)),與中科院微電子所合作開(kāi)發(fā)EUV光刻膠基礎(chǔ)材料,雖未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),但在酸擴(kuò)散控制和靈敏度優(yōu)化方面取得階段性突破。
政策支持與成本優(yōu)勢(shì)
作為廣東省專(zhuān)精特新企業(yè),吉田半導(dǎo)體享受稅收優(yōu)惠(如15%企業(yè)所得稅)和研發(fā)補(bǔ)貼(2023年獲得國(guó)家補(bǔ)助超2000萬(wàn)元),比較明顯降低產(chǎn)品研發(fā)成本。同時(shí),其本地化生產(chǎn)(東莞松山湖基地)可將物流成本壓縮至進(jìn)口產(chǎn)品的1/3,并實(shí)現(xiàn)48小時(shí)緊急訂單響應(yīng),這對(duì)中小客戶(hù)具有吸引力。
定義與特性
正性光刻膠是一種在曝光后,曝光區(qū)域會(huì)溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案一致的圖形。與負(fù)性光刻膠(未曝光區(qū)域溶解)相比,其優(yōu)勢(shì)是分辨率高、圖案邊緣清晰,是半導(dǎo)體制造(尤其是制程)的主流選擇。
化學(xué)組成與工作原理
主要成分
? 樹(shù)脂(成膜劑):
? 傳統(tǒng)正性膠:采用**酚醛樹(shù)脂(Novolak)與重氮萘醌(DNQ,光敏劑)**的復(fù)合體系(PAC體系),占比約80%-90%。
? 化學(xué)增幅型(用于DUV/EUV):含環(huán)化烯烴樹(shù)脂或含氟聚合物,搭配光酸發(fā)生器(PAG),通過(guò)酸催化反應(yīng)提高感光度和分辨率。
? 溶劑:溶解樹(shù)脂和感光劑,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。
? 添加劑:表面活性劑(改善涂布均勻性)、穩(wěn)定劑(防止暗反應(yīng))、堿溶解度調(diào)節(jié)劑等。
工作原理
? 曝光前:光敏劑(如DNQ)與樹(shù)脂結(jié)合,形成不溶于堿性顯影液的復(fù)合物。
? 曝光時(shí):
? 傳統(tǒng)PAC體系:DNQ在紫外光(G線(xiàn)436nm、I線(xiàn)365nm)照射下發(fā)生光分解,生成羧酸,使曝光區(qū)域樹(shù)脂在堿性顯影液中溶解性增強(qiáng)。
? 化學(xué)增幅型:PAG在DUV/EUV光下產(chǎn)生活性酸,催化樹(shù)脂發(fā)生脫保護(hù)反應(yīng),大幅提高顯影速率(靈敏度提升10倍以上)。
? 顯影后:曝光區(qū)域溶解去除,未曝光區(qū)域保留,形成正性圖案。
政策支持:500億加碼產(chǎn)業(yè)鏈。
光刻膠的納米級(jí)性能要求
超高分辨率:需承受電子束(10keV以上)或EUV(13.5nm波長(zhǎng))的轟擊,避免散射導(dǎo)致的邊緣模糊,目前商用EUV膠分辨率已達(dá)13nm(3nm制程)。
低缺陷率:納米級(jí)結(jié)構(gòu)對(duì)膠層中的顆?;蚧瘜W(xué)不均性極其敏感,需通過(guò)化學(xué)增幅型配方(如酸催化交聯(lián))提升對(duì)比度和抗刻蝕性。
多功能性:兼容多種基底(柔性聚合物、陶瓷)和后處理工藝(干法刻蝕、原子層沉積),例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠。
技術(shù)挑戰(zhàn)與前沿方向
? EUV光刻膠優(yōu)化:解決曝光后酸擴(kuò)散導(dǎo)致的線(xiàn)寬波動(dòng),開(kāi)發(fā)含氟聚合物或金屬有機(jī)材料以提高靈敏度。
? 無(wú)掩膜光刻:結(jié)合機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化電子束掃描路徑,直接寫(xiě)入復(fù)雜納米圖案(如神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的突觸陣列),縮短制備周期。
? 生物基光刻膠:開(kāi)發(fā)可降解、低毒性的天然高分子光刻膠,用于生物芯片或環(huán)保型納米制造。
東莞光刻膠廠(chǎng)家哪家好?浙江光刻膠感光膠
自研自產(chǎn)的光刻膠廠(chǎng)家。成都負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠(chǎng)家
光刻膠(如液晶平板顯示器光刻膠)
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液晶平板顯示器制造:在液晶平板顯示器(LCD)的生產(chǎn)過(guò)程中,光刻膠用于制作液晶盒內(nèi)的各種精細(xì)圖案,包括像素電極、公共電極、取向?qū)訄D案等。這些圖案的精度和質(zhì)量直接影響液晶顯示器的顯示效果,如分辨率、對(duì)比度、視角等。
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有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(OLED)制造:OLED 顯示器的制造同樣需要光刻膠來(lái)制作電極、像素定義層等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。OLED 顯示器具有自發(fā)光、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn),而光刻膠能保障其精細(xì)的像素結(jié)構(gòu)制作,提升顯示器的發(fā)光效率和顯示質(zhì)量 。
成都負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠(chǎng)家