熱電堆又叫溫差電堆，它利用熱電偶串聯(lián)實(shí)現(xiàn)探測功能，是較為古老的一種IR探測器。以前，熱電堆都是基于金屬材料制備的，具有響應(yīng)速度慢、探測率低、成本高等致命劣勢，不受業(yè)內(nèi)人士的待見。隨著近代半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體材料也被應(yīng)用到了熱電堆的制作中。半導(dǎo)體材料普遍比金屬材料的塞貝克(Seebeck)系數(shù)高，而且半導(dǎo)體的微加工技術(shù)保證了器件的微型化程度，降低其熱容量，因此熱電堆的性能得到了**地優(yōu)化?；パa(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的引入，讓紅外熱像儀熱電堆芯片電路技術(shù)實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)?？梢苑譃槭殖质郊t外測溫儀、紅外熱像儀、紅外熱電視。中低溫紅外熱像儀性能

紅外熱像儀的工作距離是有限制的。紅外熱像儀的工作距離取決于其焦距和像素分辨率。一般來說，紅外熱像儀的工作距離在幾米到幾十米之間。在工作距離范圍內(nèi)，紅外熱像儀可以提供較為準(zhǔn)確的溫度測量結(jié)果。然而，當(dāng)距離目標(biāo)過遠(yuǎn)或過近時(shí)，紅外熱像儀的測量精度可能會(huì)受到影響。如果距離目標(biāo)過遠(yuǎn)，紅外熱像儀可能無法準(zhǔn)確地捕捉到目標(biāo)的細(xì)節(jié)和溫度變化，從而導(dǎo)致測量誤差增加。此外，目標(biāo)與紅外熱像儀之間的距離過遠(yuǎn)還可能導(dǎo)致環(huán)境因素的影響增加，如大氣散射和輻射能量的衰減。另一方面，如果距離目標(biāo)過近，紅外熱像儀的視場角可能會(huì)變得較小，無法覆蓋目標(biāo)的整個(gè)區(qū)域，從而導(dǎo)致測量結(jié)果不準(zhǔn)確。高精度紅外熱像儀產(chǎn)品介紹紅外熱像儀還有哪些應(yīng)用？

紅外熱像儀可以用于夜視嗎？是的，紅外熱像儀可以用于夜視。由于紅外熱像儀可以檢測物體發(fā)出的紅外輻射，而紅外輻射與物體的溫度相關(guān)，因此即使在完全黑暗的環(huán)境下，紅外熱像儀仍然可以捕捉到物體的熱量分布，從而實(shí)現(xiàn)夜視功能。紅外熱像儀可以將物體的熱量分布轉(zhuǎn)化為熱圖像，以不同的顏色或灰度表示不同溫度區(qū)域，使用戶能夠看到在可見光下無法察覺的物體或景象。因此，紅外熱像儀在夜間作戰(zhàn)、安防監(jiān)控、搜索救援等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

紅外熱像儀的價(jià)格范圍很大，取決于多個(gè)因素，包括品牌、型號(hào)、性能和功能等。一般來說，紅外熱像儀的價(jià)格可以從幾百美元到數(shù)萬美元不等。低端的入門級(jí)紅外熱像儀價(jià)格通常在幾百到一千美元之間，這些設(shè)備功能相對(duì)簡單，分辨率較低，適合一般家庭用戶或初學(xué)者使用。中端的紅外熱像儀價(jià)格通常在一千到五千美元之間，這些設(shè)備具有較高的分辨率和更多的功能，適合專業(yè)用戶、工程師和科研人員使用。專業(yè)級(jí)紅外熱像儀價(jià)格通常在五千美元以上，甚至可以達(dá)到數(shù)萬美元。這些設(shè)備具有高的分辨率、更多的功能和更精確的測量能力，適用于高精度的工業(yè)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用。 熱成像儀檢測的是熱量，所以常?？梢园l(fā)現(xiàn)隱藏在茂密叢林中或被大霧遮蔽的目標(biāo)人物。

但這樣也會(huì)使量子效率降低;為維持高量子效率,需提高摻雜濃度,而如此一來又會(huì)導(dǎo)致暗電流激增,嚴(yán)重破壞探測器性能?BIB探測器是解決以上困境的比較好解?BIB探測器是傳統(tǒng)非本征探測器在結(jié)構(gòu)上的一種巧妙升級(jí),即在吸收層與一側(cè)電極之間引入一層高純度的本征基底材料作為阻擋層來抑制暗電流,這樣可以保證在吸收層摻雜濃度**增加的同時(shí),暗電流也能維持在很低的水平?不僅如此,摻雜濃度的增加也拓寬了探測器的響應(yīng)范圍?關(guān)于紅外熱像儀芯片材料體系介紹就到這兒，對(duì)半導(dǎo)體感興趣的同學(xué)，歡迎閱讀其他文章！電力行業(yè)采用紅外熱像儀對(duì)輸電線路和變電站進(jìn)行定期巡檢，預(yù)防電氣故障。德國德圖紅外熱像儀技術(shù)參數(shù)

紅外熱像儀的測量精度如何？中低溫紅外熱像儀性能

截止目前,紅外熱像儀HgCdTe材料依舊是制作高性能IR光子探測器的比較好的材料?與InGaAs類似,HgCdTe也是一種三元系半導(dǎo)體化合物,其帶隙也會(huì)隨組分的改變而改變,借此HgCdTe探測器可覆蓋1-22μm的超寬波段?HgCdTe探測器在NIR?MIR和LWIR三個(gè)波段都能表現(xiàn)出十分優(yōu)異的性能,所以它問世不久便成為了IR探測器大家族中的霸主?然而,隨著近些年InGaAs探測器的興起,HgCdTe探測器在NIR波段的地位日趨下降;在MIR波段,雖然InSb探測器的探測率不如HgCdTe探測器,但由于InSb的材料生長技術(shù)比HgCdTe成熟,HgCdTe探測器在該波段已達(dá)不到一家獨(dú)大的地步;對(duì)于LWIR波段,HgCdTe探測器仍具有很強(qiáng)的統(tǒng)治地位?中低溫紅外熱像儀性能