閃存HTOL測試方法與流程本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存htol測試方法。背景技術(shù)：閃存(flashmemory)是一種非易失性的存儲(chǔ)器，其具有即使斷電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失而能夠長期保存的特點(diǎn)。故近年來閃存的發(fā)展十分迅速，并且具有高集成度、高存儲(chǔ)速度和高可靠性的閃存存儲(chǔ)器被廣泛應(yīng)用于包括電腦、手機(jī)、服務(wù)器等電子產(chǎn)品及設(shè)備中。在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，htol(hightemperatureoperatinglifetest，高溫操作生命期試驗(yàn))用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在超熱和超電壓情況下一段時(shí)間的耐久力。對(duì)于閃存的可靠性而言，在數(shù)萬次的循環(huán)之后的htol是一個(gè)主要指數(shù)。通常而言，閃存產(chǎn)品需要在10000次的循環(huán)之后，通過1000小時(shí)的htol測試。閃存htol實(shí)際測試中存在若干小時(shí)后閃存測試讀點(diǎn)(例如讀“0”)失效，亟需解決閃存htol測試中讀點(diǎn)失效的問題。上海頂策科技有限公司提供可靠性測試整體解決方案，以及測試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測試試驗(yàn)。楊浦區(qū)HTOL測試機(jī)設(shè)計(jì)

    AEC-Q1001.對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器樣品，在HTOL之前進(jìn)行預(yù)處理：等級(jí)0：150℃，1000h等級(jí)1：125℃，1000h等級(jí)2：105℃，1000h等級(jí)3：85℃，1000h2.各等級(jí)溫度對(duì)應(yīng)的時(shí)間是比較低要求，通過計(jì)算或測量獲取HTOL的Tj（結(jié)溫）；3.當(dāng)進(jìn)行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作溫度時(shí)的Tj，那么Tj可以代替Ta（環(huán)境溫度），但是要低于***比較大Tj；4.如果Tj被用來作為HTOL的條件，在Ta和1000h條件下的器件需要使用；(max)需要保證交直流參數(shù)?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 國產(chǎn)HTOL測試機(jī)推薦廠家可靠性事業(yè)部提供模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)。

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    HTOL的注意要點(diǎn)高溫工作壽命的測試條件主要遵循JESD22-A108進(jìn)行，除了給器件合適的偏置與負(fù)載外，主要包括溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力，這兩者都屬于加速因子。合理設(shè)置溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力，以便在合理的時(shí)間和成本下完成壽命評(píng)估。對(duì)于硅基產(chǎn)品，溫度應(yīng)力一般設(shè)置在結(jié)溫>=125℃，GaAs等其它耐高溫材料則可以設(shè)置更高的溫度，具體根據(jù)加速要求而定。但無論哪種材料，均需要結(jié)溫小于材料的極限工作溫度或者熱關(guān)斷（thermalshutdown）溫度。HTOL硬件的散熱設(shè)計(jì)有利于加速因子的提高，這樣可以節(jié)省試驗(yàn)時(shí)間。電壓應(yīng)力一般采用最高工作電壓進(jìn)行，如果需要提高加速度，則可以采用更高的電壓進(jìn)行試驗(yàn)，但是無論電壓應(yīng)力還是溫度應(yīng)力都不允許器件處于過電應(yīng)力的狀態(tài)。 楊浦區(qū)HTOL測試機(jī)設(shè)計(jì)