提供可靠性測(cè)試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等一條龍服務(wù)。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)，通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高HTOL效率，節(jié)省更多時(shí)間、FA成本，讓HTOL問(wèn)題更容易分析，更有追溯性，讓報(bào)告更有說(shuō)服力，下游客戶更放心。上海頂策科技有限公司提供芯片可靠性測(cè)試一條龍解決方案。徐匯區(qū)本地HTOL測(cè)試機(jī)

    HTOL的注意要點(diǎn)高溫工作壽命的測(cè)試條件主要遵循JESD22-A108進(jìn)行，除了給器件合適的偏置與負(fù)載外，主要包括溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力，這兩者都屬于加速因子。合理設(shè)置溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力，以便在合理的時(shí)間和成本下完成壽命評(píng)估。對(duì)于硅基產(chǎn)品，溫度應(yīng)力一般設(shè)置在結(jié)溫>=125℃，GaAs等其它耐高溫材料則可以設(shè)置更高的溫度，具體根據(jù)加速要求而定。但無(wú)論哪種材料，均需要結(jié)溫小于材料的極限工作溫度或者熱關(guān)斷（thermalshutdown）溫度。HTOL硬件的散熱設(shè)計(jì)有利于加速因子的提高，這樣可以節(jié)省試驗(yàn)時(shí)間。電壓應(yīng)力一般采用最高工作電壓進(jìn)行，如果需要提高加速度，則可以采用更高的電壓進(jìn)行試驗(yàn)，但是無(wú)論電壓應(yīng)力還是溫度應(yīng)力都不允許器件處于過(guò)電應(yīng)力的狀態(tài)。 楊浦區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)市面價(jià)上海頂策科技自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)，擁有多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)。

本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖。閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除循環(huán)后，htol測(cè)試過(guò)程中。閃存參考單元的輸出電流iref在48小時(shí)的測(cè)試值iref1與在初始的測(cè)試值iref0之間偏移量減小，實(shí)際驗(yàn)證多個(gè)型號(hào)的閃存產(chǎn)品采用本實(shí)施例的方法后，htol可靠性驗(yàn)證通過(guò)，而且測(cè)試可靠，使閃存產(chǎn)品較短時(shí)間內(nèi)進(jìn)入客戶樣品量產(chǎn)階段。綜上所述，本發(fā)明所提供的一種閃存htol測(cè)試方法，對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除循環(huán)后，再進(jìn)行閃存htol可靠性驗(yàn)證，編譯和擦除循環(huán)會(huì)在閃存參考單元中引入電子，引入的電子在閃存htol可靠性驗(yàn)證過(guò)程存在丟失，進(jìn)而對(duì)空穴在htol測(cè)試過(guò)程中的丟失形成補(bǔ)償，降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過(guò)，解決了閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問(wèn)題，提高閃存質(zhì)量。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些改動(dòng)和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包括這些改動(dòng)和變動(dòng)在內(nèi)。

自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)的HTOL測(cè)試機(jī)，上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)，擁有多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高HTOL效率。提供可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告。上海頂策科技提供可靠性測(cè)試整體解決方案，包括各類可靠性測(cè)試設(shè)備，滿足各類芯片的測(cè)試需求。

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    高溫工作壽命實(shí)驗(yàn)（Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL）測(cè)試目的：芯片處于高溫條件下，加入動(dòng)態(tài)信號(hào)，并長(zhǎng)時(shí)間工作，以評(píng)估其使用壽命，并確定其可靠性。測(cè)試條件：結(jié)溫(Tj)≧125℃，電壓Vcc≧Vccmax，測(cè)試時(shí)間：1000hrs樣品數(shù)：77ea/lot,3lots測(cè)試讀點(diǎn)：168、500、1000hrs參考規(guī)范：、JESD22-A108JESD22-A108B：Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85：METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K：Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74：EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作壽命試驗(yàn)、老化試驗(yàn)(OperatingLifeTest)，為利用溫度、電壓加速方式，在短時(shí)間試驗(yàn)內(nèi)，預(yù)估芯片在長(zhǎng)時(shí)間可工作下的壽命時(shí)間(生命周期預(yù)估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate)：評(píng)估早夭階段的故障率或藉由BI手法降低出貨的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million)，針對(duì)失效模式中的InfantMortality，一般測(cè)試低于48小時(shí)，車(chē)規(guī)級(jí)芯片需要100%BI測(cè)試。HTOL(HighTemperatureOperatingLife)：評(píng)估可使用期的壽命時(shí)間-FIT/MTTF，針對(duì)失效模式中的Wearout，一般需要測(cè)試1000小時(shí)，屬于抽樣測(cè)試。 徐匯區(qū)本地HTOL測(cè)試機(jī)