第二時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第三時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)至第n時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)。在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過(guò)程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。具體的，在閃存(例如norflash)產(chǎn)品htol可靠性驗(yàn)證的階段的測(cè)試流程例如依次為：初始(***時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、48小時(shí)(第二時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、168小時(shí)(第三時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、500小時(shí)(第四時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、1000小時(shí)(第n時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)。本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除循環(huán)而直接進(jìn)行htol測(cè)試時(shí)，發(fā)現(xiàn)閃存htol可靠性驗(yàn)證在48小時(shí)(hrs)讀點(diǎn)失效。上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度，具體到每顆芯片的狀態(tài)數(shù)據(jù)。普陀區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)供應(yīng)商

導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過(guò)程中閃存參考單元會(huì)有空穴丟失，而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過(guò)程中捕獲(引入)的，短期內(nèi)無(wú)法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es，engineeringsample)到客戶樣品(cs，customersample)的時(shí)間不容延期。從測(cè)試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失，以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。嘉定區(qū)什么是HTOL測(cè)試機(jī)TH801智能老化系統(tǒng)，方便靈活配置芯片狀態(tài)、施加信號(hào)，提高HTOLdebug及Setup效率。

集成電路可靠性測(cè)試方案制定，自主研發(fā)的可靠性測(cè)試設(shè)備，可以滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。上海頂策科技有限公司TH801智能一體化老化測(cè)試機(jī)，自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)，通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可以實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高HTOL效率。上海頂策科技有限公司，擁有20年以上的豐富測(cè)試技術(shù)積累及運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，以及多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，自成立以來(lái)已經(jīng)為超過(guò)500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測(cè)試解決方案！

在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過(guò)程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測(cè)試方法，對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失，以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過(guò)，解決了閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問(wèn)題，提高閃存質(zhì)量。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除直接進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖；上海頂策科技有限公司提供芯片可靠性測(cè)試一條龍解決方案。

20年以上的豐富測(cè)試技術(shù)積累及運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，擁有多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，上海頂策科技有限公司自成立以來(lái)，已經(jīng)為超過(guò)500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測(cè)試解決方案！可靠性測(cè)試事業(yè)部提供可靠性測(cè)試整體解決方案，包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備，以及測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)，通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高HTOL效率，節(jié)省更多時(shí)間、FA成本，讓HTOL問(wèn)題更容易分析，更有追溯性，讓報(bào)告更有說(shuō)服力，下游客戶更放心。上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，芯片狀態(tài)實(shí)時(shí)參數(shù)正態(tài)分布圖，散點(diǎn)圖等顯示，多維度分析芯片狀態(tài)。靜安區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)現(xiàn)貨

集成電路動(dòng)態(tài)老化設(shè)備，上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)。普陀區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)供應(yīng)商

一種閃存htol測(cè)試方法，包括：提供待測(cè)閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中部分丟失，以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。具體的，待測(cè)閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測(cè)閃存在其生產(chǎn)工藝過(guò)程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖，普陀區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)供應(yīng)商