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涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設計，原理圖設計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗，出具可靠性報告等一條龍服務。擁有自主研發(fā)在線實時單科監(jiān)測技術的可靠性測試設備，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加信號，非常方便HTOLSetup，實時監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，以及每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測試質(zhì)量，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。崇明區(qū)HTOL測試機大概費用上海頂策科技有限公司智能HTOL測試機TH801有全程數(shù)據(jù)記錄，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。

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在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進行htol測試的輸出電流iref分布圖；集成電路動態(tài)老化設備，上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測試機。

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閃存HTOL測試方法與流程本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種閃存htol測試方法。背景技術：閃存(flashmemory)是一種非易失性的存儲器，其具有即使斷電存儲數(shù)據(jù)也不會丟失而能夠長期保存的特點。故近年來閃存的發(fā)展十分迅速，并且具有高集成度、高存儲速度和高可靠性的閃存存儲器被廣泛應用于包括電腦、手機、服務器等電子產(chǎn)品及設備中。在半導體技術領域中，htol(hightemperatureoperatinglifetest，高溫操作生命期試驗)用于評估半導體器件在超熱和超電壓情況下一段時間的耐久力。對于閃存的可靠性而言，在數(shù)萬次的循環(huán)之后的htol是一個主要指數(shù)。通常而言，閃存產(chǎn)品需要在10000次的循環(huán)之后，通過1000小時的htol測試。閃存htol實際測試中存在若干小時后閃存測試讀點(例如讀“0”)失效，亟需解決閃存htol測試中讀點失效的問題。楊浦區(qū)HTOL測試機市面價