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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-05-15

但要注意:它與天然金剛砂(石榴子石)的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中,SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料,輔助回收料、乏料,經(jīng)過(guò)粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑,制備綠碳化硅時(shí)還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專門用的碳化硅電爐,其結(jié)構(gòu)由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻、爐心體(全稱為:電爐中心的通電發(fā)熱體,一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心,一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC。靜安區(qū)碳化硅介紹

利用碳化硅具有耐腐蝕、耐高溫、強(qiáng)度大、導(dǎo)熱性能良好、抗沖擊等特性,碳化硅一方面可用于各種冶煉爐襯、高溫爐窯構(gòu)件、碳化硅板、襯板、支撐件、匣缽、碳化硅坩堝等。另一方面可用于有色金屬冶煉工業(yè)的高溫間接加熱材料,如豎罐蒸餾爐、精餾爐塔盤、鋁電解槽、銅熔化爐內(nèi)襯、鋅粉爐用弧型板、熱電偶保護(hù)管等;用于制作耐磨、耐蝕、耐高溫等高級(jí)碳化硅陶瓷材料;還可以制做火箭噴管、燃?xì)廨啓C(jī)葉片等。此外,碳化硅也是高速公路、航空飛機(jī)跑道太陽(yáng)能熱水器等的理想材料之一。虹口區(qū)碳化硅費(fèi)用碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級(jí),只次于世界上較硬的金剛石(10級(jí))。

其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景較明朗的半導(dǎo)體材料,堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。歷史上人類一次發(fā)現(xiàn)碳化硅是在1891年,美國(guó)人艾奇遜在電溶金剛石的時(shí)候發(fā)現(xiàn)一種碳的化合物,這就是碳化硅初次合成和發(fā)現(xiàn)。在經(jīng)歷了百年的探索之后,特別是進(jìn)入21世紀(jì)以后,人類終于理清了碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和特性,并利用碳化硅特性,做出各種新器件,碳化硅行業(yè)得到較快發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導(dǎo)熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅的2倍。種種特性意味著碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓,耐大電流的高頻大功率的器件。

因?yàn)橛泊嗖牧系目估瓘?qiáng)度比抗壓強(qiáng)度要小,對(duì)磨粒施加載荷時(shí),會(huì)在硬脆材料表面的拉伸應(yīng)力的較大處產(chǎn)生微裂紋。當(dāng)縱橫交錯(cuò)的裂紋延伸且相互交叉時(shí),受裂紋包圍的部分就會(huì)破碎并崩離出小碎塊。此為硬脆材料研磨時(shí)的切屑生成和表面形成的基本過(guò)程。由于碳化硅材料屬于高硬脆性材料,需要采用專門用的研磨液,碳化硅研磨的主要技術(shù)難點(diǎn)在于高硬度材料減薄厚度的精確測(cè)量及控制,磨削后晶圓表面出現(xiàn)損傷、微裂紋和殘余應(yīng)力,碳化硅晶圓減薄后會(huì)產(chǎn)生比碳化硅晶圓更大的翹曲現(xiàn)象。 碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好。

目前用直拉法,72小時(shí)能生長(zhǎng)出2-3米左右的硅單晶棒,一根單晶棒一次能切下上千片硅片。你知道72小時(shí)能長(zhǎng)多少厚碳化硅單晶體嗎?只有幾厘米都不到?。?!目前較快的碳化硅單晶生長(zhǎng)的方法,生長(zhǎng)速度在0.1mm/h-0.2mm/h左右,因此72小時(shí)也只有7.2mm~14.4mm厚度的晶體。所以大家可以想象,生產(chǎn)出來(lái)的碳化硅單晶片能貴成啥樣了。目前4英寸碳化硅襯底售價(jià)在2000-3000元左右,6英寸襯底更是達(dá)到6000-8000元的水平,外延片至少再X2的價(jià)格以上,而且還有價(jià)無(wú)貨。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體,已發(fā)現(xiàn)70余種。碳化硅公司哪家好

α-碳化硅為較常見的一種同質(zhì)異晶物。靜安區(qū)碳化硅介紹

在10A的額定電流下,硅續(xù)流二極管展現(xiàn)出較低的正向壓降,SiC肖特基二極管的Vf更高,而快速硅二極管展現(xiàn)出較高的正向壓降。正向電壓與溫度之間的關(guān)聯(lián)差別很大:快速硅二極管具有負(fù)的溫度系數(shù),150°C下的Vf比25°C下的Vf低。對(duì)于12A以上的電流,CAL的溫度系數(shù)為正,SiC肖特基二極管即使電流為4A時(shí),溫度系數(shù)也為正。由于二極管通常并聯(lián)以實(shí)現(xiàn)大功率器件,需要具有正溫度系數(shù)以避免并聯(lián)二極管中的電流不平衡和運(yùn)行溫度不均勻。這里,SiC肖特基二極管顯示出較佳的性能。但與常規(guī)硅二極管相比,SiC肖特基二極管的靜態(tài)損耗較高。靜安區(qū)碳化硅介紹

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