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長寧區(qū)碳化硅生產(chǎn)廠家

來源: 發(fā)布時間:2023-05-07

如果只算碳化硅芯片,在功率半導(dǎo)體方面碳化硅的對比傳統(tǒng)硅基功率芯片,有著無可比擬的優(yōu)勢:碳化硅能承受更大的電流和電壓、更高的開關(guān)速度、更小的能量損失、更耐高溫。因此用碳化硅的做成的功率模組可以相應(yīng)的減少了電容、電感、線圈、散熱組件的部件,使得整個功率器件模組更加輕巧、節(jié)能、輸出功率更強(qiáng),同時還增強(qiáng)了可靠性,優(yōu)點(diǎn)十分明顯,具體總結(jié)如下: 1、更低的阻抗,帶來更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更高的效率; 2、適用于更高頻率和更快的開關(guān)速度; 3、較佳的高溫特性,能在更高溫度下工作。 晶體上彩虹般的光澤則是因?yàn)槠浔砻娈a(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致。長寧區(qū)碳化硅生產(chǎn)廠家

碳化硅(SiC)功率器件耐高溫、抗輻射、具有較高的擊穿電壓和工作頻率,適于在惡劣條件下工作,特別是與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,碳化硅功率器件可將功耗降低一半,因此可大幅度降低開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器等電路的熱耗、體積和重量。雖然,碳化硅功率器件在近幾年才向市場推廣,但目前已應(yīng)用于混合動力汽車和電動汽車設(shè)備中,正因其在很多方面具有普通硅功率器件****的優(yōu)點(diǎn),把碳化硅功率器件向航天電子產(chǎn)品中推廣就具有了很重要的實(shí)際意義。 碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用:根據(jù)上述分析,結(jié)合航天實(shí)際,碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用主要集中在下面幾個領(lǐng)域。奉賢區(qū)碳化硅定制哪家好通常將未反應(yīng)料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集,將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物。

純碳化硅為無色,而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因?yàn)槠浔砻娈a(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致。純碳化硅是無色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色,透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體,已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)越石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊,經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。

利用碳化硅具有耐高溫,強(qiáng)度大,導(dǎo)熱性能良好,抗沖擊,作高溫間接加熱材料,如堅罐蒸餾爐,精餾爐塔盤,鋁電解槽,銅熔化爐內(nèi)襯,鋅粉爐用弧型板,熱電偶保護(hù)管等。利用碳化硅的耐腐蝕,抗熱沖擊耐磨損,導(dǎo)熱好的特點(diǎn),用于大型高爐內(nèi)襯提高了使用壽命。碳化硅硬度只次于金剛石,具有較強(qiáng)的耐磨性能,是耐磨管道、葉輪、泵室、旋流器、礦斗內(nèi)襯的理想材料,其耐磨性能是鑄鐵.橡膠使用壽命的5-20倍也是航空飛行跑道的理想材料之一。利用其導(dǎo)熱系數(shù)、熱輻射、高熱強(qiáng)度大的特性,制造薄板窯具,不只能減少窯具容量,還提高了窯爐的裝容量和產(chǎn)品質(zhì)量,縮短了生產(chǎn)周期,是陶瓷釉面烘烤燒結(jié)理想的間接材料。綠碳化硅含SiC約97%以上,自銳性好、鈦合金和光學(xué)玻璃,用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。

與傳統(tǒng)硅基器件相比,SiC的擊穿場強(qiáng)是傳統(tǒng)硅基器件的10倍,導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍,非常適合于高壓應(yīng)用,如電源、太陽能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)。另外,SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項指標(biāo)均優(yōu)于硅,其禁帶寬度幾乎是硅的3倍,理論工作溫度可達(dá)600℃,遠(yuǎn)高于硅器件工作溫度。技術(shù)成熟度較高,應(yīng)用潛力較大。碳化硅器件具有更低的導(dǎo)通電阻。在低擊穿電壓 (約 50V 下),碳化硅器件的比導(dǎo)通 電阻只有 1.12uΩ,是硅同類器件的約 1/100。在高擊穿電壓 (約 5kV 下),比導(dǎo)通電 阻提高到 25.9mΩ, 卻是硅同類器件的約 1/300。 更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導(dǎo)通損耗,從而能獲得更高的整機(jī)效率。碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC。浦東新區(qū)碳化硅定制

碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。長寧區(qū)碳化硅生產(chǎn)廠家

目前碳化硅的拋光方法主要有:機(jī)械拋光、磁流變拋光、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)、電化學(xué)拋光(ECMP)、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕(CACP/CARE)、摩擦化學(xué)拋光(TCP,又稱無磨料拋光)和等離子輔助拋光(***)等?;瘜W(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)是目前半導(dǎo)體加工的重要手段,也是目前能將單晶硅表面加工到原子級光滑較有效的工藝方法,是能在加工過程中同時實(shí)現(xiàn)局部和全局平坦化的實(shí)用技術(shù)。CMP的加工效率主要由工件表面的化學(xué)反應(yīng)速率決定。通過研究工藝參數(shù)對SiC材料拋光速率的影響,結(jié)果表明:旋轉(zhuǎn)速率和拋光壓力的影響較大;溫度和拋光液pH值的影響不大。為提高材料的拋光速率應(yīng)盡量提高轉(zhuǎn)速,雖然增加拋光壓力也可提高去除速率,但容易損壞拋光墊。長寧區(qū)碳化硅生產(chǎn)廠家

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