碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài)。α-碳化硅為較常見(jiàn)的一種同質(zhì)異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結(jié)晶構(gòu)造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結(jié)構(gòu)，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結(jié)構(gòu)如頁(yè)面附圖所示。雖然在異相觸媒擔(dān)體的應(yīng)用上，因其具有比α型態(tài)更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅較為穩(wěn)定，且碰撞時(shí)有較為悅耳的聲音，但直至現(xiàn)在，這兩種型態(tài)尚未有商業(yè)上之應(yīng)用。因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C） [1] ，碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達(dá)到的壓力下，它都不會(huì)熔化，且具有相當(dāng)?shù)偷幕瘜W(xué)活性。由于其高熱導(dǎo)性、高崩潰電場(chǎng)強(qiáng)度及高較大電流密度，在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上，不少人試著用它來(lái)取代硅。此外，它與微波輻射有很強(qiáng)的耦合作用，并其所有之高升華點(diǎn)，使其可實(shí)際應(yīng)用于加熱金屬。 碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。楊浦區(qū)碳化硅廠商有哪些

碳化硅（SiC）功率器件耐高溫、抗輻射、具有較高的擊穿電壓和工作頻率，適于在惡劣條件下工作，特別是與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅功率器件可將功耗降低一半，因此可大幅度降低開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等電路的熱耗、體積和重量。雖然，碳化硅功率器件在近幾年才向市場(chǎng)推廣，但目前已應(yīng)用于混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車設(shè)備中，正因其在很多方面具有普通硅功率器件****的優(yōu)點(diǎn)，把碳化硅功率器件向航天電子產(chǎn)品中推廣就具有了很重要的實(shí)際意義。 碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用：根據(jù)上述分析，結(jié)合航天實(shí)際，碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用主要集中在下面幾個(gè)領(lǐng)域。普陀區(qū)碳化硅廠家哪家便宜碳化硅可使表面粗糙度從Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。

加工制砂、微粉生產(chǎn)企業(yè)300多家，年生產(chǎn)能力200多萬(wàn)噸。2012年，中國(guó)碳化硅產(chǎn)能利用率不足45%。約三分之一的冶煉企業(yè)有加工制砂微粉生產(chǎn)線。碳化硅加工制砂微粉生產(chǎn)企業(yè)主要分布在河南、山東、江蘇、吉林、黑龍江等省。中國(guó)碳化硅冶煉生產(chǎn)工藝、技術(shù)裝備和單噸能耗達(dá)到水平。黑、綠碳化硅原塊的質(zhì)量水平也屬。中國(guó)碳化硅與世界先進(jìn)水平的差距主要集中在四個(gè)方面：一是在生產(chǎn)過(guò)程中很少使用大型機(jī)械設(shè)備，很多工序依靠人力完成，人均碳化硅產(chǎn)量較低；二是在碳化硅深加工產(chǎn)品上，對(duì)粒度砂和微粉產(chǎn)品的質(zhì)量管理不夠精細(xì)，產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性不夠；三是某些前端產(chǎn)品的性能指標(biāo)與發(fā)達(dá)國(guó)家同類產(chǎn)品相比有一定差距；四是冶煉過(guò)程中一氧化碳直接排放。國(guó)外主要企業(yè)基本實(shí)現(xiàn)了封閉冶煉，而中國(guó)碳化硅冶煉幾乎全部是開(kāi)放式冶煉，一氧化碳全部直排。2012年，中國(guó)企業(yè)開(kāi)發(fā)出了封閉冶煉技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了一氧化碳全部回收，但是距離全行業(yè)普及還有很長(zhǎng)的路要走。

盡管當(dāng)前可用的基于Si的晶體管已接近其在*面積極限上的R ，但生產(chǎn)SiC器件的技術(shù)仍處于學(xué)習(xí)曲線的早期階段。因此，我們可以期望在后代看到更高的性能。值得注意的是，對(duì)于給定的導(dǎo)通電阻和擊穿電壓，SiC MOSFET所需的管芯面積比常規(guī)硅MOSFET顯著更少。因此，它將具有較小的電容和較低的柵極電荷，這轉(zhuǎn)化為較低的開(kāi)關(guān)損耗和較高的效率。較高的導(dǎo)熱率反映為較低的熱阻。SiC MOSFET的面積相等時(shí)，其熱阻要低得多，從而可以降低工作結(jié)溫。盡管先前描述了所有優(yōu)點(diǎn)，但以前SiC晶體管的高成本使其只能用于優(yōu)越工業(yè)市場(chǎng)（例如，石油鉆探電源，電源系統(tǒng)等）的專門用應(yīng)用中。影響其成本的主要因素歸因于諸如SiC襯底的成本較高和可用性較低，SiC制造工藝的成本較高以及生產(chǎn)率較低（主要?dú)w因于襯底的缺陷密度較高）等因素。碳化硅在鋼材冶煉中也常被用作添加劑使用。

隨著全球氣候變暖，“低碳”變成了當(dāng)今社會(huì)的熱門詞語(yǔ)，“低碳經(jīng)濟(jì)”、“低碳生活方式”，甚至連較熱門的房地產(chǎn)行業(yè)較近也推出了“低碳樓盤”。而歸根到底，“低碳”的本質(zhì)就是降低能耗，減少二氧化碳的排放。據(jù)統(tǒng)計(jì)，60%~70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動(dòng)。而提高電力利用效率中，起關(guān)鍵作用的是功率器件，因此如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在航天電子產(chǎn)品中，電子設(shè)備的功耗、體積和重量比地面設(shè)備更加重要，有時(shí)甚至是衡量該產(chǎn)品的主要指標(biāo)。低品級(jí)碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學(xué)成分。閔行區(qū)碳化硅公司有哪些

碳化硅便于控制化學(xué)成分，提高鋼的質(zhì)量。楊浦區(qū)碳化硅廠商有哪些

與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合于高壓應(yīng)用，如電源、太陽(yáng)能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)。另外，SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項(xiàng)指標(biāo)均優(yōu)于硅，其禁帶寬度幾乎是硅的3倍，理論工作溫度可達(dá)600℃，遠(yuǎn)高于硅器件工作溫度。技術(shù)成熟度較高，應(yīng)用潛力較大。碳化硅器件具有更低的導(dǎo)通電阻。在低擊穿電壓 (約 50V 下）,碳化硅器件的比導(dǎo)通 電阻只有 1.12uΩ,是硅同類器件的約 1/100。在高擊穿電壓 (約 5kV 下）,比導(dǎo)通電 阻提高到 25.9mΩ, 卻是硅同類器件的約 1/300。 更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導(dǎo)通損耗,從而能獲得更高的整機(jī)效率。楊浦區(qū)碳化硅廠商有哪些

上海鈰威新材料科技有限公司成立于2013-12-09，位于中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)新楊公路860號(hào)10幢，公司自成立以來(lái)通過(guò)規(guī)范化運(yùn)營(yíng)和高質(zhì)量服務(wù)，贏得了客戶及社會(huì)的一致認(rèn)可和好評(píng)。本公司主要從事增碳劑，硅鐵，碳化硅，鉻鐵領(lǐng)域內(nèi)的增碳劑，硅鐵，碳化硅，鉻鐵等產(chǎn)品的研究開(kāi)發(fā)。擁有一支研發(fā)能力強(qiáng)、成果豐碩的技術(shù)隊(duì)伍。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長(zhǎng)期合作的關(guān)系。鈰威致力于開(kāi)拓國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，與冶金礦產(chǎn)行業(yè)內(nèi)企業(yè)建立長(zhǎng)期穩(wěn)定的伙伴關(guān)系，公司以產(chǎn)品質(zhì)量及良好的售后服務(wù)，獲得客戶及業(yè)內(nèi)的一致好評(píng)。上海鈰威新材料科技有限公司本著先做人，后做事，誠(chéng)信為本的態(tài)度，立志于為客戶提供增碳劑，硅鐵，碳化硅，鉻鐵行業(yè)解決方案，節(jié)省客戶成本。歡迎新老客戶來(lái)電咨詢。