IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅(qū)動器電路所需輸出功率的關鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用的參數(shù)，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。驅(qū)動電路的工作原理涉及信號的放大、轉(zhuǎn)換和傳輸。浦東新區(qū)推廣驅(qū)動電路貨源充足

引言近年來，高亮度LED照明以高光效、長壽命、高可靠性和無污染等優(yōu)點正在逐步取代白熾燈、熒光燈等傳統(tǒng)光源。在一些應用中，希望在某些情況下可調(diào)節(jié)燈光的亮度，以便進一步節(jié)能和提供舒適的照明。常見的調(diào)光有雙向可控硅調(diào)光、后沿調(diào)光、ON/OFF調(diào)光、遙控調(diào)光等?？煽毓枵{(diào)光器在傳統(tǒng)的白熾燈等調(diào)光照明應用已久，且不用改變接線，裝置成本較低，各品牌可控硅調(diào)光器的性能和規(guī)格相差不大，但是其直接應用在LED驅(qū)動場合還存在著一系列問題。虹口區(qū)特點驅(qū)動電路銷售廠也可以將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，以控制數(shù)碼管等顯示設備。

實驗及結果根據(jù)以上分析，本文設計一臺基于反激變換器的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動器，控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V，最大輸出功率為25W，比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負載;RC時間系數(shù)選擇0.5，增益為0.2。電路的實驗波形和工作特性曲線如圖4所示。圖4a)、b)、c)為可控硅導通角為115°時阻抗匹配開關驅(qū)動電壓VZ、輸入電流Iin、輸入電壓Vin的波形，電路的輸出電流為470mA，功率因數(shù)為0.78。從圖中可看出，當可控硅導通瞬間，由于驅(qū)動器輸入端有差模濾波電容導致輸入電流有沖擊電流尖峰，而當輸入電流小于一定值時，阻抗匹配開關開通以保證流過可控硅的電流大于其維持電流。

驅(qū)動，計算機軟件術語，是指驅(qū)使計算機里硬件動作的軟件程序。驅(qū)動程序全稱設備驅(qū)動程序，是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序，其中包含有關硬件設備的信息。此信息能夠使計算機與相應的設備進行通信。驅(qū)動程序是硬件廠商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫的配置文件，可以說沒有驅(qū)動程序，計算機中的硬件就無法工作。驅(qū)動程序全稱設備驅(qū)動程序，是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序，其中包含有關硬件設備的信息。此信息能夠使計算機與相應的設備進行通信。驅(qū)動程序是硬件廠商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫的配置文件，可以說沒有驅(qū)動程序，計算機中的硬件就無法工作。操作系統(tǒng)不同，硬件的驅(qū)動程序也不同，各個硬件廠商為了保證硬件的兼容性及增強硬件的功能會不斷地升級驅(qū)動程序。保護措施：設計過流、過壓、過熱等保護電路，以確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。

有些驅(qū)動器只有一個輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡，用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅(qū)動引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對于大功率IGBT，選擇驅(qū)動電路基于以下的參數(shù)要求：器件關斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大。在門極電路的設計中，還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。MOSFET驅(qū)動電路：使用MOSFET（場效應晶體管）作為開關元件，適用于高效能的開關電源和電機驅(qū)動。長寧區(qū)通用驅(qū)動電路設計

IGBT驅(qū)動電路分為正壓驅(qū)動和負壓驅(qū)動，負壓關斷可以避免誤導通風險，加快關斷速度，減小關斷損耗。浦東新區(qū)推廣驅(qū)動電路貨源充足

MOSFET驅(qū)動器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動器，可利用一個同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達 100V 的電源電壓來驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET。強大的驅(qū)動能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關損耗。針對兩個與電源無關的輸入進行配置。高壓側輸入邏輯信號在內(nèi)部被電平移位至自舉電源，此電源可以在高出地電位達 114V 的電壓條件下運行。●分布式電源架構●汽車電源●高密度●電信系統(tǒng)●欠壓閉鎖功能●自適應貫通保護功能●自舉電源電壓至 114V●1.4A 峰值頂端柵極上拉電流●1.75A 峰值底端柵極上拉電流●耐熱增強型 8 引腳 MSOP 封裝浦東新區(qū)推廣驅(qū)動電路貨源充足

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