一個(gè)NMOS晶體管的立體截面圖左圖是一個(gè)N型 MOSFET（以下簡稱NMOS）的截面圖。如前所述，MOSFET的 是位于 的MOS電容，而左右兩側(cè)則是它的源極與漏極。源極與漏極的特性必須同為N型（即NMOS）或是同為P型（即PMOS）。右圖NMOS的源極與漏極上標(biāo)示的“N+” 著兩個(gè)意義：⑴N 摻雜（doped）在源極與漏極區(qū)域的雜質(zhì)極性為N；⑵“+” 這個(gè)區(qū)域?yàn)楦邠诫s濃度區(qū)域（heavily doped region），也就是此區(qū)的電子濃度遠(yuǎn)高于其他區(qū)域。在源極與漏極之間被一個(gè)極性相反的區(qū)域隔開，也就是所謂的基極（或稱基體）區(qū)域。如果是NMOS，那么其基體區(qū)的摻雜就是P型。反之對PMOS而言，基體應(yīng)該是N型，而源極與漏極則為P型（而且是重（讀作zhong）摻雜的P+）。基體的摻雜濃度不需要如源極或漏極那么高，故在右圖中沒有“+”。MOSFET箭頭方向永遠(yuǎn)從P端指向N端。西安低壓N+PMOSFET封裝

當(dāng)MOSFET的尺寸縮的非常小、柵極氧化層也變得非常薄時(shí)，例如編輯此文時(shí) 制程可以把氧化層縮到一納米左右的厚度，一種過去沒有發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象也隨之產(chǎn)生，這種現(xiàn)象稱為“多晶硅耗盡”。當(dāng)MOSFET的反轉(zhuǎn)層形成時(shí)，有多晶硅耗盡現(xiàn)象的MOSFET柵極多晶硅靠近氧化層處，會出現(xiàn)一個(gè)耗盡層（depletion layer），影響MOSFET導(dǎo)通的特性。要解決這種問題，金屬柵極是 的方案?？尚械牟牧习ㄣg（Tantalum）、鎢、氮化鉭（Tantalum Nitride），或是氮化鈦（Titalium Nitride）。這些金屬柵極通常和高介電常數(shù)物質(zhì)形成的氧化層一起構(gòu)成MOS電容。另外一種解決方案是將多晶硅完全的合金化，稱為FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）制程。蘇州低壓N+NMOSFET廠家MOSFET作為開關(guān)時(shí)源極與漏極的分別和其他應(yīng)用是不相同的，信號從MOSFET柵極以外的任一端進(jìn)出。

MOSFET也被稱為電壓控制器件，因?yàn)闁艠O的電壓量控制著電流從漏極到源極的流動。同樣，沒有電流從柵極流出。還有另一種稱為耗盡型的MOSFET。除了在摻雜時(shí)也形成溝道以外，與增強(qiáng)型相似，即，默認(rèn)情況下，耗盡型存在由增強(qiáng)型的柵極電壓形成的溝道，所有其他工作原理都相同，不同的是，耗盡型需要一個(gè)負(fù)柵極電壓來關(guān)閉它，它通常打開（常閉），而增強(qiáng)型通常關(guān)閉（常開）。每個(gè)電路符號均有四個(gè)端子，即源極，柵極，漏極和襯底，其中，源極和襯底內(nèi)部連接。如果箭頭指向襯底，則其N溝道或電子流向柵極以形成N溝道，否則，其P溝道或電子從柵極流走以形成P溝道。

當(dāng)VGS繼續(xù)增大，負(fù)電荷增加，導(dǎo)電溝道擴(kuò)大，電阻降低，ID也隨之增加，并且呈較好線性關(guān)系，如圖3所示。此曲線稱為轉(zhuǎn)換特性。因此在一定范圍內(nèi)可以認(rèn)為，改變VGS來控制漏源之間的電阻，達(dá)到控制ID的作用。由于這種結(jié)構(gòu)在VGS=0時(shí)，ID=0，稱這種MOSFET為增強(qiáng)型。另一類MOSFET，在VGS=0時(shí)也有一定的ID（稱為IDSS），這種MOSFET稱為耗盡型。它的結(jié)構(gòu)如圖4所示，它的轉(zhuǎn)移特性如圖5所示。VP為夾斷電壓（ID=0）。耗盡型與增強(qiáng)型主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層中有大量的正離子，使在P型襯底的界面上感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，即在兩個(gè)N型區(qū)中間的P型硅內(nèi)形成一N型硅薄層而形成一導(dǎo)電溝道，所以在VGS=0時(shí)，有VDS作用時(shí)也有一定的ID(IDSS）；當(dāng)VGS有電壓時(shí)（可以是正電壓或負(fù)電壓），改變感應(yīng)的負(fù)電荷數(shù)量，從而改變ID的大小。VP為ID=0時(shí)的-VGS，稱為夾斷電壓。常見的MOSFET技術(shù)有：雙柵極MOSFET。

MOSFET的型號命名：場效應(yīng)管通常有下列兩種命名方法。第1種命名方法是使用“中國半導(dǎo)體器件型號命名法”的第3、第4和第5部分來命名，其中的第3部分用字母CS表示場效應(yīng)管，第4部分用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件序號，第5部分用漢語拼音字母表示規(guī)格號。例如CS2B、CS14A、CS45G等。第二種命名方法與雙極型三極管相同，第1位用數(shù)字表示電極數(shù)；第二位用字母表示極性（其中D是N溝道，C是P溝道）；第三位用字母表示類型（其中J表示結(jié)型場效應(yīng)管，O表示絕緣柵場效應(yīng)管）。例如，3DJ6D是N溝道結(jié)型場效應(yīng)三極管，3D06C是N溝道絕緣柵型場效應(yīng)三極管。MOSFET的特點(diǎn)有哪些？低壓P管MOSFET型號

MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動元件中極快的一種。西安低壓N+PMOSFET封裝

MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。電力 MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時(shí)器件導(dǎo)通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。動態(tài)特性：td(on)導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間——導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間是從當(dāng)柵源電壓上升到10%柵驅(qū)動電壓時(shí)到漏電流升到規(guī)定電流的10%時(shí)所經(jīng)歷的時(shí)間。tr上升時(shí)間——上升時(shí)間是漏極電流從10%上升到90%所經(jīng)歷的時(shí)間。iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負(fù)載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)，UGS達(dá)到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達(dá)到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。西安低壓N+PMOSFET封裝

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