MOSFET的應用：數(shù)字科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中極快的一種。MOSFET在數(shù)字信號處理上較主要的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結構的好處是理論上不會有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門較基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉換的瞬間同一時間內必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導通的狀態(tài)下，另一種必定是截止狀態(tài)，這使得從電源端到接地端不會有直接導通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發(fā)熱量。采用MOSFET實現(xiàn)模擬電路不但可以滿足規(guī)格上的需求，還可以有效縮小芯片的面積，降低生產(chǎn)成本。南通N-CHANNELMOSFET失效分析

功率MOSFET參數(shù)介紹：EAS-單脈沖雪崩擊穿能量，如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。定義額定雪崩擊穿能量的器件通常也會定義額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的意義。EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。L是電感值，iD為電感上流過的電流峰值，其會突然轉換為測量器件的漏極電流。電感上產(chǎn)生的電壓超過MOSFET擊穿電壓后，將導致雪崩擊穿。雪崩擊穿發(fā)生時，即使 MOSFET處于關斷狀態(tài)，電感上的電流同樣會流過MOSFET器件。電感上所儲存的能量與雜散電感上存儲，由MOSFET消散的能量類似。MOSFET并聯(lián)后，不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。通常情況是：某個器件率先發(fā)生雪崩擊穿，隨后所有的雪崩擊穿電流(能量)都從該器件流過。杭州低壓N+NMOSFETMOSFET的兩種類型通常又稱為NMOSFET與PMOSFET。

MOSFET知識介紹：Eoss，輸出容能量，表示輸出電容Coss在MOSFET存儲的能量大小。由于MOSFET的輸出電容Coss有非常明顯的非線性特性，隨Vds電壓的變化而變化。所以如果datasheet提供了這個參數(shù)，對于評估MOSFET的開關損耗很有幫助。并非所有的MOSFET手冊中都會提供這個參數(shù)，事實上大部分datasheet并不提供。Body Diode di/dt 體二極管的電流變化率，它反應了MOSFET體二極管的反向恢復特性。因為二極管是雙極型器件，它受到電荷存儲的影響，當二極管反向偏置時，PN結儲存的電荷必須清理。

MOS電容的特性決定了MOSFET的操作特性，但是一個完整的MOSFET結構還需要一個提供多數(shù)載流子（majority carrier）的源極以及接受這些多數(shù)載流子的漏極。當一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導體的電荷分布也會跟著改變?？紤]一個P型的半導體（空穴濃度為NA）形成的MOS電容，當一個正的電壓VGB施加在柵極與基極端時，空穴的濃度會減少，電子的濃度會增加。當VGB夠強時，接近柵極端的電子濃度會超過空穴。這個在P型半導體中，電子濃度（帶負電荷）超過空穴（帶正電荷）濃度的區(qū)域，便是所謂的反轉層（inversion layer）。MOSFET在數(shù)字信號處理上主要的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明。

上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區(qū)內對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載流子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區(qū)域。當一個正電壓施加在柵極上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓N型半導體的多數(shù)載流子—電子可以從源極流向漏極。如果這個電壓被移除，或是放上一個負電壓，那么通道就無法形成，載流子也無法在源極與漏極之間流動。假設操作的對象換成PMOS，那么源極與漏極為P型、基體則是N型。在PMOS的柵極上施加負電壓，則半導體上的空穴會被吸引到表面形成通道，半導體的多數(shù)載流子—空穴則可以從源極流向漏極。假設這個負電壓被移除，或是加上正電壓，那么通道無法形成，一樣無法讓載流子在源極和漏極間流動。若箭頭從基極指向通道，則表示基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡稱NMOS。深圳P-CHANNELMOSFET定制

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高壓MOSFET原理與性能分析：在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以2.4-2.6次方增長，其增長速度使MOSFET制造者和應用者不得不以數(shù)十倍的幅度降低額定電流，以 折中額定電流、導通電阻和成本之間的矛盾。即便如此，高壓MOSFET在額定結溫下的導通電阻產(chǎn)生的導通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結溫、額定電流條件下的導通電壓很高，耐壓800V以上的導通電壓高得驚人，導通損耗占MOSFET總損耗的2/3-4/5，使應用受到極大限制。南通N-CHANNELMOSFET失效分析

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