MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應用中，一般都用NMOS。MOS管導通特性：導通的意思是作為開關(guān)，相當于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高級驅(qū)動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高級驅(qū)動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高級驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。數(shù)字電路對MOSFET的幫助：使得MOSFET操作速度越來越快，成為各種半導體主動元件中較快的一種。西安P-CHANNELMOSFET設(shè)計

由于MOSFET是對稱的，所以源極或漏極可以互換。因此，源極端子和基板端子在內(nèi)部連接，所以MOSFET具有三個端子，而且它們處于相同的電位，這就阻止了任何電流從襯底流向源極。在MOSFET中，我們希望電流從漏極流到源極，因此，我們必須在漏極和源極之間連接一個電池，該電壓稱為Vds，因為它介于漏極和源極之間。電池的正極增加了漏極端子處的電勢，從而增加了漏極和基板之間的耗盡區(qū)，因此不會有電流從漏極流到源極，這時候MOSFET處于截止狀態(tài)，這也稱為截止區(qū)域?，F(xiàn)在，要使電流從漏極流到源極，必須在它們之間建立一個通道。為了創(chuàng)建通道，我們又在柵極和襯底之間連接了一個小電壓源。電池正端與柵極相連，該電壓稱為Vgs，因為它介于柵極和源極之間，襯底是p型半導體，因此，電荷載流子是空穴，但是存在一些自由電子作為少數(shù)電荷載流子。電池在基板內(nèi)部產(chǎn)生電場，由于該場襯底中的電子與電場相反地流動，即流向柵極，由于存在絕緣體，這些電子無法從基板流向柵極，因此它們聚集在襯底中的柵極附近。MOSFET中的絕緣體或電介質(zhì)不單會阻擋電子，還會增加電子上的電荷，從而吸引更多的電子。太倉N-CHANNELMOSFET設(shè)計MOSFET電壓和電流的選擇，額定電壓越大，器件的成本就越高。

柵極氧化層漏電流增加柵極氧化層隨著MOSFET尺寸變小而越來越薄，主流的半導體制程中，甚至已經(jīng)做出厚度 有1.2納米的柵極氧化層，大約等于5個原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現(xiàn)象都在量子力學所規(guī)范的世界內(nèi)，例如電子的穿隧效應（tunneling effect）。因為穿隧效應，有些電子有機會越過氧化層所形成的位能障壁（potential barrier）而產(chǎn)生漏電流，這也是 集成電路芯片功耗的來源之一。為了解決這個問題，有一些介電常數(shù)比二氧化硅更高的物質(zhì)被用在柵極氧化層中。例如鉿（Hafnium）和鋯（Zirconium）的金屬氧化物（二氧化鉿、二氧化鋯）等高介電常數(shù)的物質(zhì)均能有效降低柵極漏電流。柵極氧化層的介電常數(shù)增加后，柵極的厚度便能增加而維持一樣的電容大小。

MOSFET也被稱為電壓控制器件，因為柵極的電壓量控制著電流從漏極到源極的流動。同樣，沒有電流從柵極流出。還有另一種稱為耗盡型的MOSFET。除了在摻雜時也形成溝道以外，與增強型相似，即，默認情況下，耗盡型存在由增強型的柵極電壓形成的溝道，所有其他工作原理都相同，不同的是，耗盡型需要一個負柵極電壓來關(guān)閉它，它通常打開（常閉），而增強型通常關(guān)閉（常開）。每個電路符號均有四個端子，即源極，柵極，漏極和襯底，其中，源極和襯底內(nèi)部連接。如果箭頭指向襯底，則其N溝道或電子流向柵極以形成N溝道，否則，其P溝道或電子從柵極流走以形成P溝道。雙柵極MOSFET通常用在射頻集成電路，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。

功率MOSFET參數(shù)介紹：EAS-單脈沖雪崩擊穿能量，如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。定義額定雪崩擊穿能量的器件通常也會定義額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的意義。EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。L是電感值，iD為電感上流過的電流峰值，其會突然轉(zhuǎn)換為測量器件的漏極電流。電感上產(chǎn)生的電壓超過MOSFET擊穿電壓后，將導致雪崩擊穿。雪崩擊穿發(fā)生時，即使 MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，電感上的電流同樣會流過MOSFET器件。電感上所儲存的能量與雜散電感上存儲，由MOSFET消散的能量類似。MOSFET并聯(lián)后，不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。通常情況是：某個器件率先發(fā)生雪崩擊穿，隨后所有的雪崩擊穿電流(能量)都從該器件流過。MOSFET的面積越小，制造芯片的成本就可以降低，在同樣的封裝里可以裝下更高密度的芯片。無錫高壓MOSFET定制

為什么MOSFET的尺寸能越小越好？西安P-CHANNELMOSFET設(shè)計

MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應于GTR的飽和區(qū)）。電力 MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。動態(tài)特性：td(on)導通延時時間——導通延時時間是從當柵源電壓上升到10%柵驅(qū)動電壓時到漏電流升到規(guī)定電流的10%時所經(jīng)歷的時間。tr上升時間——上升時間是漏極電流從10%上升到90%所經(jīng)歷的時間。iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)，UGS達到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。西安P-CHANNELMOSFET設(shè)計

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