MOSFET的型號(hào)命名：場(chǎng)效應(yīng)管通常有下列兩種命名方法。第1種命名方法是使用“中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法”的第3、第4和第5部分來(lái)命名，其中的第3部分用字母CS表示場(chǎng)效應(yīng)管，第4部分用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件序號(hào)，第5部分用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)。例如CS2B、CS14A、CS45G等。第二種命名方法與雙極型三極管相同，第1位用數(shù)字表示電極數(shù)；第二位用字母表示極性（其中D是N溝道，C是P溝道）；第三位用字母表示類型（其中J表示結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，O表示絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管）。例如，3DJ6D是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，3D06C是N溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管。MOSFET的重點(diǎn)參數(shù)有：金屬—氧化層—半導(dǎo)體電容。張家港高壓N管MOSFET封裝

MOSFET的注意事項(xiàng)有哪些？應(yīng)該注意什么？MOSFET電壓和電流的選擇，額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或 總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOSFET不會(huì)失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS.設(shè)計(jì)工程 師需要考慮的其他安全因素包括由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備（如電機(jī)或變壓器）誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源 為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V。高壓N管MOSFETMOSFET是一種可以普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。

雙重MOSFET（CMOS）開(kāi)關(guān)為了改善前述單一MOSFET開(kāi)關(guān)造成信號(hào)失真的缺點(diǎn)，于是使用一個(gè)PMOS加上一個(gè)NMOS的CMOS開(kāi)關(guān)成為 普遍的做法。CMOS開(kāi)關(guān)將PMOS與NMOS的源極與漏極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統(tǒng)接法相同。當(dāng)輸入電壓在（VDD-Vthn）和（VSS+Vthp）時(shí)，PMOS與NMOS都導(dǎo)通，而輸入小于（VSS+Vthp）時(shí)，只有NMOS導(dǎo)通，輸入大于（VDD-Vthn）時(shí)只有PMOS導(dǎo)通。這樣做的好處是在大部分的輸入電壓下，PMOS與NMOS皆同時(shí)導(dǎo)通，如果任一邊的導(dǎo)通電阻上升，則另一邊的導(dǎo)通電阻就會(huì)下降，所以開(kāi)關(guān)的電阻幾乎可以保持定值，減少信號(hào)失真。

過(guò)去數(shù)十年來(lái)，MOSFET的尺寸不斷地變小。早期的集成電路MOSFET制程里，通道長(zhǎng)度約在幾個(gè)微米（micrometer）的等級(jí)。但是到了現(xiàn)在的集成電路制程，這個(gè)參數(shù)已經(jīng)縮小了幾十倍甚至超過(guò)一百倍。至90年代末，MOSFET尺寸不斷縮小，讓集成電路的效能大幅提升，而從歷史的角度來(lái)看，這些技術(shù)上的突破和半導(dǎo)體制程的進(jìn)步有著密不可分的關(guān)系。我們希望MOSFET的尺寸能越小越好。越小的MOSFET象征其通道長(zhǎng)度減少，讓通道的等效電阻也減少，可以讓更多電流通過(guò)。雖然通道寬度也可能跟著變小而讓通道等效電阻變大，但是如果能降低單位電阻的大小，那么這個(gè)問(wèn)題就可以解決。微處理器運(yùn)算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動(dòng)力。

場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而雙極結(jié)型晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。因此被稱之為雙極型器件。4、場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了 的應(yīng)用。MOSFET在1960年由貝爾實(shí)驗(yàn)室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla 實(shí)作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克萊（William Shockley）等人發(fā)明的雙載流子結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因?yàn)橹圃斐杀镜土c使用面積較小、高整合度的優(yōu)勢(shì)，在大型集成電路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型集成電路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的領(lǐng)域里，重要性遠(yuǎn)超過(guò)BJT。MOSFET的使用應(yīng)該注意什么事項(xiàng)？南通MOSFET廠家

理論上MOSFET的柵極應(yīng)該盡可能選擇電性良好的導(dǎo)體。張家港高壓N管MOSFET封裝

MOSFET開(kāi)關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)：一般來(lái)講,三極管是電流驅(qū)動(dòng)的,MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，這樣也可以節(jié)省系統(tǒng)功耗吧,在做開(kāi)關(guān)管時(shí)有一個(gè)必須注意的事項(xiàng)就是輸入和輸入兩端間的管壓降問(wèn)題,比如一個(gè)5V的電源,經(jīng)過(guò)管子后可能變?yōu)榱?.5V,這時(shí)候要考慮負(fù)載能不能接受了,類似的問(wèn)題還有在使用二極管的時(shí)候(尤其是做電壓反接保護(hù)時(shí))也要注意管子的壓降問(wèn)題。MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和Cin充放電有很大關(guān)系，使用者無(wú)法降低Cin， 但可降低驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻Rs減小時(shí)間常數(shù)，加快開(kāi)關(guān)速度，MOSFET只靠多子導(dǎo)電，不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，因而關(guān)斷過(guò)程非常迅速，開(kāi)關(guān)時(shí)間在10— 100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上，是主要電力電子器件中很高的。場(chǎng)控器件靜態(tài)時(shí)幾乎不需輸入電流。但在開(kāi)關(guān)過(guò)程中需對(duì)輸入電容充放電，仍需一定的驅(qū)動(dòng)功率。開(kāi)關(guān)頻率越高，所需要的驅(qū)動(dòng)功率越大。張家港高壓N管MOSFET封裝

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