MOSFET的尺寸縮小后出現(xiàn)的困難把MOSFET的尺寸縮小到一微米以下對于半導(dǎo)體制程而言是個挑戰(zhàn)，不過新挑戰(zhàn)多半來自尺寸越來越小的MOSFET元件所帶來過去不曾出現(xiàn)的物理效應(yīng)。次臨限傳導(dǎo)由于MOSFET柵極氧化層的厚度也不斷減少，所以柵極電壓的上限也隨之變少，以免過大的電壓造成柵極氧化層崩潰（breakdown）。為了維持同樣的性能，MOSFET的臨界電壓也必須降低，但是這也造成了MOSFET越來越難以完全關(guān)閉。也就是說，足以造成MOSFET通道區(qū)發(fā)生弱反轉(zhuǎn)的柵極電壓會比從前更低，于是所謂的次臨限電流（subthreshold current）造成的問題會比過去更嚴重，特別是 的集成電路芯片所含有的晶體管數(shù)量劇增，在某些VLSI的芯片，次臨限傳導(dǎo)造成的功率消耗竟然占了總功率消耗的一半以上。MOSFET作為開關(guān)時源極與漏極的分別和其他應(yīng)用是不相同的，信號從MOSFET柵極以外的任一端進出。蘇州低壓P管MOSFET價格

MOSFET主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù)：1、IDSS—飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。2、UP—夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。3、UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。4、gM—跨導(dǎo)。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應(yīng)管正常工作所能承受的漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。6、PDSM—耗散功率。也是一項極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的漏源耗散功率。使用時，場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—漏源電流。是一項極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許通過的電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM 。張家港MOSFET封裝MOSFET的兩種類型通常又稱為NMOSFET與PMOSFET。

常用于MOSFET的電路符號有很多種變化，較常見的設(shè)計是以一條直線表明通道，兩條和通道垂直的線表明源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線表明柵極，如下圖所示。有時也會將表明通道的直線以破折線代替，以區(qū)分增強型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗盡型MOSFET（depletion mode MOSFET）另外又分為NMOSFET和PMOSFET兩種類型。由于集成電路芯片上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極（Bulk或是Body）。MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS（表明此元件的通道為P型）；反之若箭頭從基極指向通道，則表明基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡稱NMOS。在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。MOS管導(dǎo)通特性：導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高級驅(qū)動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高級驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高級驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。MOS電容的特性決定了MOSFET的操作特性。

MOSFET溝道的選擇，為設(shè)計選擇正確器件的第1步是決定采用N溝道還是P溝道 MOSFET.在典型的功率應(yīng)用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝 道MOSFET,這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓撲中采用P溝道 MOSFET,這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。電壓和電流的選擇，額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗，額定電壓應(yīng)當大于干線電壓或 總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS.設(shè)計工程 師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備（如電機或變壓器）誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源 為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V。MOSFET是一種可以普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。深圳N-CHANNELMOSFET

MOSFET里的氧化層位于其通道上方。蘇州低壓P管MOSFET價格

MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的大優(yōu)勢是對直流信號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們較主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動。在CMOS邏輯電路里，除了負責(zé)驅(qū)動芯片外負載（off-chip load）的驅(qū)動器（driver）外，每一級的邏輯門都只要面對同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如較常見的TTL）就沒有這些優(yōu)勢。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對于電路設(shè)計工程師而言亦有其他優(yōu)點，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負載效應(yīng)（loading effect）。蘇州低壓P管MOSFET價格

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