MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。電力 MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。動態(tài)特性：td(on)導通延時時間——導通延時時間是從當柵源電壓上升到10%柵驅(qū)動電壓時到漏電流升到規(guī)定電流的10%時所經(jīng)歷的時間。tr上升時間——上升時間是漏極電流從10%上升到90%所經(jīng)歷的時間。iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)，UGS達到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型。上海P-CHANNELMOSFET失效分析

MOSFET中米勒效應(yīng)分析：MOSFET中柵-漏間電容，構(gòu)成輸入（GS）輸出（DS）的反饋回路，MOSFET中的米勒效應(yīng)就形成了。幾乎所有的MOSFET規(guī)格書中，會給出柵極電荷的參數(shù)。柵極電荷讓設(shè)計者很容易計算出驅(qū)動電路開啟MOSFET所需要的時，Q=I*t間。例如一個器件柵極電荷Qg為20nC，如果驅(qū)動電路提供1mA充電電流的話，需要20us來開通該器件；如果想要在20ns就開啟，則需要把驅(qū)動能力提高到1A。如果利用輸入電容的話，就沒有這么方便的計算開關(guān)速度了。西安低壓N+PMOSFET失效分析微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力。

MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。平面N溝道增強型NMOSFET的剖面圖。它用一塊P型硅半導體材料作襯底，在其面上擴散了兩個N型區(qū)，再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiO2）絕緣層， 在N區(qū)上方用腐蝕的方法做成兩個孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內(nèi)做成三個電極：G(柵極）、S（源極）及D（漏極）金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以 使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。

要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產(chǎn)生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。如圖2所示。若先不接VGS（即VGS=0），在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結(jié)處于反向，因此漏源之間不能導電。如果在柵極G與源極S之間加一電壓VGS。此時可以將柵極與襯底看作電容器的兩個極板，而氧化物絕緣層作為電容器的介質(zhì)。當加上VGS時，在絕緣層和柵極界面上感應(yīng)出正電荷，而在絕緣層和P型襯底界面上感應(yīng)出負電荷。這層感應(yīng)的負電荷和P型襯底中的多數(shù)載流子（空穴）的極性相反，所以稱為“反型層”，這反型層有可能將漏與源的兩N型區(qū)連接起來形成導電溝道。當VGS電壓太低時，感應(yīng)出來的負電荷較少，它將被P型襯底中的空穴中和，因此在這種情況時，漏源之間仍然無電流ID。當VGS增加到一定值時，其感應(yīng)的負電荷把兩個分離的N區(qū)溝通形成N溝道，這個臨界電壓稱為開啟電壓（或稱閾值電壓、門限電壓），用符號VT表示（一般規(guī)定在ID=10uA時的VGS作為VT）。一般集成電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結(jié)構(gòu)。

MOSFET主要參數(shù)：IDSS—飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。UP—夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應(yīng)管正常工作所能承受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。MOSFET是電壓驅(qū)動的。無錫低壓N+PMOSFET開關(guān)管

MOSFET的重點參數(shù)有：金屬—氧化層—半導體電容。上海P-CHANNELMOSFET失效分析

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上海光宇睿芯微電子有限公司主營品牌有光宇，發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大，該公司服務(wù)型的公司。是一家私營有限責任公司企業(yè)，隨著市場的發(fā)展和生產(chǎn)的需求，與多家企業(yè)合作研究，在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過不斷改進，追求新型，在強化內(nèi)部管理，完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時，良好的質(zhì)量、合理的價格、完善的服務(wù)，在業(yè)界受到寬泛好評。以滿足顧客要求為己任；以顧客永遠滿意為標準；以保持行業(yè)優(yōu)先為目標，提供***的MOSFET場效應(yīng)管，ESD保護器件，穩(wěn)壓管價格，傳感器。光宇睿芯微電子以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念，打造高指標的服務(wù)，引導行業(yè)的發(fā)展。