吉田半導(dǎo)體 SU-3 負(fù)性光刻膠:國(guó)產(chǎn)技術(shù)賦能 5G 芯片封裝
自主研發(fā) SU-3 負(fù)性光刻膠支持 3 微米厚膜加工,成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對(duì) 5G 芯片封裝需求,吉田半導(dǎo)體自主研發(fā) SU-3 負(fù)性光刻膠,分辨率達(dá) 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學(xué)性確保復(fù)雜圖形的完整性,已應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國(guó)產(chǎn)原材料與工藝,不采用國(guó)外材料,成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%,幫助客戶提升封裝良率至 98.5%,為國(guó)產(chǎn) 5G 芯片制造提供關(guān)鍵材料支撐。
光刻膠半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用?;葜菥W(wǎng)版光刻膠報(bào)價(jià)
企業(yè)定位與資質(zhì)
? 成立背景:深耕半導(dǎo)體材料行業(yè)23年,位于松山湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū),注冊(cè)資本2000萬元,是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、廣東省專精特新企業(yè)及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)。
? 質(zhì)量體系:通過ISO9001:2008認(rèn)證,嚴(yán)格執(zhí)行8S現(xiàn)場(chǎng)管理,原材料源自美國(guó)、德國(guó)、日本等國(guó),確保產(chǎn)品穩(wěn)定性。
? 市場(chǎng)布局:產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球,與世界500強(qiáng)企業(yè)及多家電子加工企業(yè)建立長(zhǎng)期合作關(guān)系,覆蓋集成電路、顯示面板、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域。
惠州網(wǎng)版光刻膠報(bào)價(jià)半導(dǎo)體芯片制造,用于精細(xì)電路圖案光刻,決定芯片性能與集成度。
企業(yè)優(yōu)勢(shì)
? 研發(fā)能力:擁有多項(xiàng)專利證書,自主研發(fā)芯片光刻膠、納米壓印光刻膠等產(chǎn)品,配備全自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備,具備從材料合成到成品制造的全流程能力。
? 產(chǎn)能與品控:采用進(jìn)口原材料和嚴(yán)格制程管控,確保金屬雜質(zhì)含量低于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(如半導(dǎo)體光刻膠金屬雜質(zhì)<5ppb),良率達(dá)99%以上。
差異化競(jìng)爭(zhēng)策略
在高級(jí)市場(chǎng)(如ArF浸沒式光刻膠),吉田半導(dǎo)體采取跟隨式創(chuàng)新,通過優(yōu)化現(xiàn)有配方(如提高酸擴(kuò)散抑制效率)逐步縮小與國(guó)際巨頭的差距;在中低端市場(chǎng)(如PCB光刻膠),則憑借性價(jià)比優(yōu)勢(shì)(價(jià)格較進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%)快速搶占份額,2023年P(guān)CB光刻膠市占率突破10%。
前沿技術(shù)儲(chǔ)備
公司設(shè)立納米材料研發(fā)中心,重點(diǎn)攻關(guān)分子玻璃光刻膠和金屬有機(jī)框架(MOF)光刻膠,目標(biāo)在5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)EUV光刻膠的實(shí)驗(yàn)室級(jí)突破。此外,其納米壓印光刻膠已應(yīng)用于3D NAND存儲(chǔ)芯片的孔陣列加工,分辨率達(dá)10nm,為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商提供了替代方案。
憑借綠色產(chǎn)品與可持續(xù)生產(chǎn)模式,吉田半導(dǎo)體的材料遠(yuǎn)銷全球,并與多家跨國(guó)企業(yè)建立長(zhǎng)期合作。其環(huán)保焊片與靶材被廣泛應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能等清潔能源領(lǐng)域,助力客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品全生命周期的環(huán)境友好。公司通過導(dǎo)入國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證(如 ISO14001 環(huán)境管理體系),進(jìn)一步強(qiáng)化了在環(huán)保領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
未來,廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司將繼續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng),深化綠色制造戰(zhàn)略,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的低碳化、可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。以品質(zhì)為依托,深化全球化布局,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入持續(xù)動(dòng)力。
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LCD顯示
? 彩色濾光片(CF):
? 黑色矩陣(BM)光刻膠:隔離像素,線寬精度±2μm,透光率<0.1%。
? RGB色阻光刻膠:形成紅/綠/藍(lán)像素,需高色純度(NTSC≥95%)和耐光性。
? 陣列基板(Array):
? 柵極絕緣層光刻膠:用于TFT-LCD的柵極圖案化,分辨率≤3μm。
OLED顯示(柔性/剛性)
? 像素定義層(PDL)光刻膠:在基板上形成有機(jī)發(fā)光材料的 confinement 結(jié)構(gòu),線寬精度±1μm,需耐溶劑侵蝕(適應(yīng)蒸鍍工藝)。
? 觸控電極(如ITO/PET):通過光刻膠圖形化實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電線路,線寬≤5μm。
Mini/Micro LED
? 巨量轉(zhuǎn)移前的芯片制備:使用高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)定義微米級(jí)LED陣列,良率要求>99.99%。
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全品類覆蓋
吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線涵蓋正性 / 負(fù)性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求,技術(shù)布局全面性于多數(shù)國(guó)內(nèi)廠商。
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關(guān)鍵技術(shù)突破
納米壓印技術(shù):JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達(dá) 250℃,支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制,適用于第三代半導(dǎo)體(GaN/SiC)及 Mini LED 等新興領(lǐng)域,技術(shù)指標(biāo)接近國(guó)際先進(jìn)水平。
水性環(huán)保配方:JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機(jī)溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保性能優(yōu)于同類產(chǎn)品。
厚膜工藝能力:JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控(達(dá)數(shù)十微米),滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
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