EMI分為傳導與輻射兩部分，對于EMI解決方案，相關(guān)理論書籍也很多，作為一位電源產(chǎn)品開發(fā)工程師，即使你看了很多EMI處理方面的書籍，但碰到處理EMI問題，還是無從下手，或是不能對癥下藥，在這兒我們不妨先拋開讓人難以理解的理論，針對我們在處理實際EMI問題的一些經(jīng)驗對策總結(jié)，也歡迎有同樣經(jīng)驗的工程師也來發(fā)表自己的看法，1MHZ以內(nèi)，以差模干擾為主。（整改建議）1、增大X電容量；2、添加差模電感；率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。1MHZ-5MHZ，差模共?；旌?，采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決，（整改建議）。時脈訊號、高頻訊號等，在PCB設(shè)計時進行包地處理，并打些地孔，可有效降低EMI。安徽儀器儀表EMI分析整改報告

通常，高速數(shù)字電路的EMI發(fā)射帶寬可以通過下面的公式計算：F=1/πTr，F(xiàn)為開關(guān)電路產(chǎn)生的高EMI頻率，單位為GHz，Tr為信號的上升時間或者下降時間，單位為ns。比如，對于上升時間為1ns左右的器件，那么它所產(chǎn)生的高EMI頻率將為350MHz，而如果上升時間降為為500ps，那么它的高EMI發(fā)射頻率將為700MHz，遠遠高于系統(tǒng)正常的工作頻率，這將會在一定程度上影響周圍其他系統(tǒng)的正常工作。顯然，如果能減緩信號的上升沿，將會在很大程度上減少EMI，但是隨著電子設(shè)計和芯片制造水平的發(fā)展，器件總是朝著高速方向發(fā)展，單一的降低信號開關(guān)速率顯然是不現(xiàn)實的。但我們卻可以通過降低信號電壓來達到同樣的目的，因為在相同的時間內(nèi)，低電壓器件需要跨越的邏輯門電壓幅度較小，就同樣減緩器件的上升沿速率，所以低電壓器件也是高速電路發(fā)展的趨勢。深圳芯片EMI分析整改儀器在兩根線上的傳輸?shù)男盘柧褪遣罘中盘枴?/p>

對于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對于高速的數(shù)字器件來說，產(chǎn)生高頻交流信號時的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個主要原因。我們知道，數(shù)字信號在開關(guān)輸出時產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時間來決定，信號上升和下降速率越快，即開關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會產(chǎn)生嚴重的電磁輻射，這個電磁能量的外泄就會造成電磁干擾問題。

有效降低電路EMI的技巧：當存在一個磁場時，一個由導電材料形成的環(huán)路充當了天線，并且把磁場轉(zhuǎn)換為圍繞環(huán)路流動的電流。電流的強度與閉合環(huán)路的面積成正比。有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級連接的場合。如智慧機上盒(STB)產(chǎn)品，在STB主機板和EOC主機板或者Wi-Fi模組連接時，會在GND鏈路形成一個板級環(huán)路，可以在GND中間串接一個電感或者鐵氧體磁珠進行隔離。透過雙絞線電纜傳輸訊號時，每對差分發(fā)射/接收都形成一個環(huán)路，因雙絞線緊密耦合，對于鏈路的電纜部分而言環(huán)路面積很小。需要保持緊密耦合，減少環(huán)路面積。保持訊號路徑和它的地返回線緊靠在一起將有助于小化地線環(huán)路，避免出現(xiàn)潛在的天線環(huán)。

培訓針對研發(fā)相關(guān)工程師在產(chǎn)品測試與認證過程中，輻射發(fā)射以及傳導發(fā)射問題的測試原理，解決思路，各類整改的方法與對策、EMI診斷工具的使用進行講解，整個課程與工程師研發(fā)實際工作緊密聯(lián)系；整個教學過程，輻射發(fā)射以及傳導發(fā)射問題的定位與整改，結(jié)合技術(shù)已經(jīng)成功解決項目案例進行講解，以便讓學員在產(chǎn)品問題解決過程中，少走或不走彎路，能夠在短時間內(nèi)掌握與吸收成功的EMI問題解決經(jīng)驗；加強整個授課環(huán)節(jié)的互動溝通與交流，參加學習人員在自己工作實踐當中碰到的困惑與難題都可以在培訓課上得到老師的指點與解答，同時培訓課間以及課后都留有時間與學員進行問題探討、問題分析和解答。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。安徽儀器儀表EMI分析整改報告

較小面積環(huán)路中通過的磁通量也少，感應(yīng)出的電流也較小，因此環(huán)路面積必須小。安徽儀器儀表EMI分析整改報告

20-30MHZ，（整改建議）1、對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。因為它們的固有的電流及電壓波形，以非常快速的開關(guān)時間變化。200MHZ以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過EMI標準。修改Inlet上L.N對GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。安徽儀器儀表EMI分析整改報告