整改方案，如下：從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時做了別外一個變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時將MOS管的D、S兩腳間增加了一個101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測試。說到EMC 的整改問題，相信接觸過的工程師都會有很刻記憶。深圳電源EMI分析整改系統(tǒng)

有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級連接的場合。如智慧機上盒(STB)產(chǎn)品，在STB主機板和EOC主機板或者Wi-Fi模組連接時，會在GND鏈路形成一個板級環(huán)路，可以在GND中間串接一個電感或者鐵氧體磁珠進行隔離。透過雙絞線電纜傳輸訊號時，每對差分發(fā)射/接收都形成一個環(huán)路，因雙絞線緊密耦合，對于鏈路的電纜部分而言環(huán)路面積很小。需要保持緊密耦合，減少環(huán)路面積。訊號線和接地平面之間存在訊號，輻射可以由訊號走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號走線下方的接地平面是否完整。鄭州可視化EMI分析整改濾波器不同的電源有不同的要求，實際應(yīng)用中還有很多限制的。

高速線，一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號的VCLK了，好在其走線背面有地銅層，沒有條件的，至少要有一條較寬的地線“護送”，能包地就更理想了，有的時候需要在靠MCU一端串電阻，消除過沖（過沖對輻射影響很大），不要串得太大，以免引起延遲；還有就是背面不要有平行的線，正面也是；另外就是USB，要走差分線；低速較長的線，也不容忽視，盡可能用RC壓制高頻分量，靠近對外的接口處，要串磁豬,電源進線處，串小的共模電感，總而言之，輻射過強是較大的dv/dt，及較大的環(huán)路面積引起，想辦法壓制電壓瞬變，降低信號過沖，縮小信號與電流回流的環(huán)路面積。

培訓(xùn)針對研發(fā)相關(guān)工程師在產(chǎn)品測試與認(rèn)證過程中，輻射發(fā)射以及傳導(dǎo)發(fā)射問題的測試原理，解決思路，各類整改的方法與對策、EMI診斷工具的使用進行講解，整個課程與工程師研發(fā)實際工作緊密聯(lián)系；整個教學(xué)過程，輻射發(fā)射以及傳導(dǎo)發(fā)射問題的定位與整改，結(jié)合技術(shù)已經(jīng)成功解決項目案例進行講解，以便讓學(xué)員在產(chǎn)品問題解決過程中，少走或不走彎路，能夠在短時間內(nèi)掌握與吸收成功的EMI問題解決經(jīng)驗；加強整個授課環(huán)節(jié)的互動溝通與交流，參加學(xué)習(xí)人員在自己工作實踐當(dāng)中碰到的困惑與難題都可以在培訓(xùn)課上得到老師的指點與解答，同時培訓(xùn)課間以及課后都留有時間與學(xué)員進行問題探討、問題分析和解答。保持訊號路徑和它的地返回線緊靠在一起將有助于小化地線環(huán)路，避免出現(xiàn)潛在的天線環(huán)。

在開關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會用一點點電路，加一點成本，重量，減一點點效率即可達到，理想的是一個方框或旁路掉干擾噪聲即可，這可以用插入一個對噪聲為高阻抗的元件放入壓制電路通道，并將其通過低阻抗通道旁路到地。再一個方法就是在輸入輸出之間放一個濾波器。這只對系統(tǒng)地和機框地距離很近時比較有效。對于AC線路，用一個有非常小的雜散電容的耦合電感，兩個安全的經(jīng)認(rèn)證的電容（X電容）放在輸入線路間即可，并在每個線路到地放一個小的Y電容，則可以有效地壓制開關(guān)噪聲，令其達到可以接受的水平。輻射源遮罩能夠極大限度的解決EMI問題。安徽研發(fā)級EMI分析整改走線布線

EMI，電磁干擾度，描述電子、電氣產(chǎn)品在正常工作狀態(tài)下對外界的干擾。深圳電源EMI分析整改系統(tǒng)

20-30MHZ，（整改建議）1、對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。因為它們的固有的電流及電壓波形，以非?？焖俚拈_關(guān)時間變化。200MHZ以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。深圳電源EMI分析整改系統(tǒng)