日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動。不過PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類少等問題，在高速驅(qū)動中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類，增強(qiáng)型NMOS管常見的重要原因，尤其在開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會導(dǎo)通，適用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動)，只需柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)的情況(高速驅(qū)動)。MOS管的工作溫度范圍通常在-55℃到125℃之間。云南MOS管經(jīng)銷商

P溝道耗盡型場效應(yīng)管原理：P溝道耗盡型MOS管的工作原理與N溝道耗盡型MOS管完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性也不同。5、耗盡型與增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端(Gate)不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有在開啟后，才會出現(xiàn)導(dǎo)電溝道;兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS(柵極電壓)可以用正、零、負(fù)電壓控制導(dǎo)通，而增強(qiáng)型MOS管a必須使得VGS>VGS(th)(柵極閾值電壓)才行。由于耗盡型N溝道MOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+正離子(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子)，當(dāng)VGS=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場能在P型襯底中感應(yīng)出足夠的電子，形成N型導(dǎo)電溝道;當(dāng)VGS>0時(shí)，將產(chǎn)生較大的ID(漏極電流);如果使VGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場，使N溝道變窄，從而使ID減小。這些特性使得耗盡型MOS管在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)設(shè)備開機(jī)時(shí)可能會誤觸發(fā)MOS管，導(dǎo)致整機(jī)失效;不易被控制，使得其應(yīng)用極少。云南工業(yè)級MOS管代理mos反型層的形成原因有哪些？

MOS管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域基礎(chǔ)的器件之一，無論是在IC設(shè)計(jì)里，還是板級電路應(yīng)用上，都十分普遍。目前尤其在大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，各種結(jié)構(gòu)的MOS管更是發(fā)揮著不可替代的作用。作為一個(gè)基礎(chǔ)器件，往往集簡單與復(fù)雜與一身，簡單在于它的結(jié)構(gòu)，復(fù)雜在于基于應(yīng)用的深入考量。

以上大概詳細(xì)介紹了MOS管這一半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件的工作原理和應(yīng)用，具體到工作中還需要的是實(shí)際測試和實(shí)驗(yàn)，特別是不斷在一些應(yīng)用中，尤其是應(yīng)用問題中加深理解。這樣或許才能真正的把相關(guān)基礎(chǔ)知識融入到自己的能力中，游刃有余的解決技術(shù)問題。

第五是輸入阻抗和噪聲能力不同。MOS管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，被普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，特別用MOS管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級，可以獲得普通三極管很難達(dá)到的性能。然后是功耗損耗不同。同等情況下，采用MOS管時(shí)，功耗損耗低;而選用三極管時(shí)，功耗損耗要高出許多。當(dāng)然，在使用成本上，MOS管要高于三極管，因此根據(jù)兩種元件的特性，MOS管常用于高頻高速電路、大電流場所，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的中心區(qū)域;而三極管則用于低成本場所，達(dá)不到效果時(shí)才會考慮替換選用MOS管。MOS管的電壓極性和符號規(guī)則。

電磁干擾失效是MOS管的另一個(gè)常見失效模式。當(dāng)MOS管受到電磁干擾時(shí)，會導(dǎo)致器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化，從而導(dǎo)致器件性能下降或失效。電磁干擾失效通常分為以下幾種類型：（1）柵極極化：當(dāng)MOS管受到電磁干擾時(shí)，柵極會發(fā)生極化，導(dǎo)致漏電流增加，會導(dǎo)致器件失效。（2）柵極電荷積累：當(dāng)MOS管受到電磁干擾時(shí)，柵極會積累電荷，導(dǎo)致漏電流增加，然后會導(dǎo)致器件失效。（3）漏電流增加：當(dāng)MOS管受到電磁干擾時(shí)，漏電流會增加，導(dǎo)致器件失效。 mos管也稱場效應(yīng)管，首先考察一個(gè)更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。云南工業(yè)級MOS管代理

當(dāng)MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時(shí)發(fā)生的情況。云南MOS管經(jīng)銷商

我們把單片機(jī)的一個(gè)IO口接到這個(gè)MOS管的gate端口，就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個(gè)單片機(jī)的IO口輸出為高的時(shí)候，NMOS就等效為這個(gè)被閉合的開關(guān)，指示燈光就會被打開；那輸出為低的時(shí)候呢，這個(gè)NMOS就等效為這個(gè)開關(guān)被松開了，那此時(shí)這個(gè)燈光就被關(guān)閉，是不很簡單。那如果我們不停的切換這個(gè)開關(guān)，那燈光就會閃爍。如果切換的這個(gè)速度再快一點(diǎn)，因?yàn)槿搜鄣囊曈X暫留效應(yīng)，燈光就不閃爍了。此時(shí)我們還能通過調(diào)節(jié)這個(gè)開關(guān)的時(shí)間來調(diào)光，這就是所謂的PWM波調(diào)光，以上就是MOS管經(jīng)典的用法，它實(shí)現(xiàn)了單片機(jī)的IO口控制一個(gè)功率器件。當(dāng)然你完全可以把燈泡替換成其他的器件。器件比如說像水泵、電機(jī)、電磁鐵這樣的東西。 云南MOS管經(jīng)銷商