MOS管有什么優(yōu)點(diǎn)：1)輸入阻抗高，驅(qū)動功率?。嚎刂品绞綖殡妷嚎刂疲容^方便。由于柵源之間是二氧化硅（SiO2）絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達(dá)100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對激勵信號不會產(chǎn)生壓降，有電壓就可以驅(qū)動，所以驅(qū)動功率極?。`敏度高）。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅(qū)動集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅(qū)動是需要功率的（Vb×Ib）。

2）開關(guān)速度快:MOSFET的開關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系，由于輸入容性特性的存在，使開關(guān)的速度變慢，但是在作為開關(guān)運(yùn)用時，可降低驅(qū)動電路內(nèi)阻，加快開關(guān)速度（輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動，加快了容性的充放電的時間）。MOSFET只靠多子導(dǎo)電，不存在少子儲存效應(yīng)，因而關(guān)斷過程非常迅速，開關(guān)時間在10—100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，使開關(guān)總有滯后現(xiàn)象，影響開關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的）。 如何為MOS管選擇合適的驅(qū)動電路。貴州工業(yè)級MOS管低價直銷

MOS管的應(yīng)用場景數(shù)字電路：MOS管的高速開關(guān)和低功耗使其非常適合用于數(shù)字電路，例如微處理器和數(shù)字信號處理器。放大器：MOS管的高輸入阻抗和低噪聲使其非常適合用于放大器和傳感器等需要高靈敏度的應(yīng)用。電源管理：MOS管的低功耗和高效率使其非常適合用于電源管理，例如電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。通信系統(tǒng)：MOS管的高速開關(guān)和低功耗使其非常適合用于通信系統(tǒng)，例如無線電和衛(wèi)星通信。汽車電子：MOS管的高可靠性和低功耗使其非常適合用于汽車電子，例如發(fā)動機(jī)控制和車載娛樂系統(tǒng)。 貴州工業(yè)級MOS管低價直銷MOS管的電壓極性和符號規(guī)則。

例如有一款42寸液晶電視的背光高壓板損壞，經(jīng)過檢查是內(nèi)部的大功率MOS管損壞，因?yàn)闊o原型號的代換，就選用了一個，電壓、電流、功率均不小于原來的MOS管替換，結(jié)果是背光管出現(xiàn)連續(xù)的閃爍（啟動困難），后面還是換上原來一樣型號的才解決問題。檢測到MOS管損壞后，更換時其周邊的灌流電路的元件也必須全部更換，因?yàn)樵揗OS管的損壞也可能是灌流電路元件的欠佳引起MOS管損壞。即便是MOS管本身原因損壞，在MOS管擊穿的瞬間，灌流電路元件也受到傷害，也應(yīng)該更換。就像我們有很多高明的維修師傅在修理A3開關(guān)電源時；只要發(fā)現(xiàn)開關(guān)管擊穿，就也把前面的2SC3807激勵管一起更換一樣道理（盡管2SC3807管，用萬用表測量是好的）。

N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)，P型襯底上制作兩個高摻雜的N區(qū)，引出作為漏極D和源極S，襯底上再制作一塊絕緣層，絕緣層上在制作一層金屬電極，引出作為柵極G，即構(gòu)成了常見的N溝道增強(qiáng)型MOS管。一般而言，襯底B和S極會連在一起，當(dāng)在柵極處加正電壓時，靠近襯底的絕緣層會產(chǎn)生感應(yīng)電荷，當(dāng)感應(yīng)電荷足夠多時，D和S之間形成導(dǎo)電溝道，只要DS之間有電壓，即可產(chǎn)生電流。另外，從結(jié)構(gòu)上看，襯底B和S以及D之間都有一個PN結(jié)，但是B和S連在一起，所以BS之間的PN結(jié)被短路，B（S）和D之間的PN結(jié)即是的MOS的寄生二極管。 什么是MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）？它與MOS管有何區(qū)別？

動態(tài)參數(shù)測試是指對MOS管的動態(tài)電學(xué)參數(shù)進(jìn)行測試，包括開關(guān)速度、反向恢復(fù)時間等。（1）開關(guān)速度測試開關(guān)速度測試是指對MOS管的開關(guān)速度進(jìn)行測試。開關(guān)速度是指MOS管從開啟到關(guān)閉或從關(guān)閉到開啟的時間。開關(guān)速度測試可以通過示波器進(jìn)行測試。（2）反向恢復(fù)時間測試反向恢復(fù)時間測試是指對MOS管的反向恢復(fù)時間進(jìn)行測試。反向恢復(fù)時間是指MOS管在反向電壓下，從導(dǎo)通到截止再到反向恢復(fù)的時間。反向恢復(fù)時間測試可以通過示波器進(jìn)行測試。 國產(chǎn)MOS管什么品牌好？車規(guī)MOS管廠家供應(yīng)

從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來給大家介紹一下MOS管里面常見的。貴州工業(yè)級MOS管低價直銷

MOS管重要特性：3.寄生電容驅(qū)動特性跟雙極性晶體管a相比，MOS管需要GS電壓高于一定的值才能導(dǎo)通，而且還要求較快的導(dǎo)通速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS、GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，理論上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，由于對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時首先要留意的是可提供瞬間短路電流的大小;第二個要留意的是，普遍用于高速驅(qū)動的NMOS，導(dǎo)通時需要柵極電壓大于源極電壓。而高速驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極導(dǎo)通電壓要比VCC高4V或10V，而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小。貴州工業(yè)級MOS管低價直銷