接下來我們再來看看NMOS的第二個重要參數(shù)Rdson，剛才有提到NMOS被完全打開的時候，它的電阻接近于零。但是無論多小，它總歸是有一個電阻值的，這就是所謂的Rdson。它指的是NMOS被完全打開之后，d、s之間的電阻值。同樣的你也可以在數(shù)據(jù)手冊上找到它。這個電阻值當(dāng)然是越小越好。越小的話呢，它分壓分的少，而且發(fā)熱也相對比較低。但實際情況一般Rdson越小，這個NMOS的價格就越高，而且一般對應(yīng)的體積也會比較大。所以還是要量力而行，選擇恰好合適。然后來說一下Cgs，這個是比較容易被忽視的一個參數(shù)，它指的是g跟s之間的寄生電容。所有的NMOS都有，這是一個制造工藝的問題，沒有辦法被避免。那它會影響到NMOS打開速度，因為加載到gate端的電壓，首先要給這個電容先充電，這就導(dǎo)致了g、s的電壓并不能一下子到達(dá)給定的一個數(shù)值。 多維度介紹MOS管，了解MOS管，看這個就夠了！重慶汽車MOS管

我們把單片機(jī)的一個IO口接到這個MOS管的gate端口，就可以控制這個燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個單片機(jī)的IO口輸出為高的時候，NMOS就等效為這個被閉合的開關(guān)，指示燈光就會被打開；那輸出為低的時候呢，這個NMOS就等效為這個開關(guān)被松開了，那此時這個燈光就被關(guān)閉，是不很簡單。那如果我們不停的切換這個開關(guān)，那燈光就會閃爍。如果切換的這個速度再快一點，因為人眼的視覺暫留效應(yīng)，燈光就不閃爍了。此時我們還能通過調(diào)節(jié)這個開關(guān)的時間來調(diào)光，這就是所謂的PWM波調(diào)光，以上就是MOS管經(jīng)典的用法，它實現(xiàn)了單片機(jī)的IO口控制一個功率器件。當(dāng)然你完全可以把燈泡替換成其他的器件。器件比如說像水泵、電機(jī)、電磁鐵這樣的東西。 重慶汽車MOS管mos管的外形和三極管，可控硅，三端穩(wěn)壓器，IGBT類似。

MOS管的開通過程關(guān)于MOS管的開通過程，網(wǎng)絡(luò)上有許多文檔進(jìn)行分析，其來源應(yīng)為一篇帶感性負(fù)載的MOS管開通過程的分析，很多轉(zhuǎn)發(fā)該文章的網(wǎng)文卻常常忽略了這一點，把這個過程當(dāng)做了所有場景下MOS的開通過程。因此，在分析之前，先說明本文分析的前提：阻性負(fù)載下，VDS固定時，加驅(qū)動電壓VGS的情況下，MOS管的導(dǎo)通過程分析。

帶阻性負(fù)載的MOS管電路在GS、GD、DS之間都有寄生電容，在DS之間還有一個寄生二極管。在t0時刻，MOS管柵極加一驅(qū)動電壓VGS,其值為MOS管完全導(dǎo)通所需要的驅(qū)動電壓VGS(sat)后續(xù)，若負(fù)載繼續(xù)加重，使漏極電流繼續(xù)上升，則MOS管的電流將會飽和，MOS管進(jìn)入飽和區(qū)。

熱穩(wěn)定性測試是指對MOS管的熱穩(wěn)定性進(jìn)行測試。熱穩(wěn)定性是指MOS管在高溫下的穩(wěn)定性。熱穩(wěn)定性測試可以通過高溫老化試驗儀進(jìn)行。電熱應(yīng)力測試是指對MOS管的電熱應(yīng)力進(jìn)行測試。電熱應(yīng)力是指MOS管在高電壓下的穩(wěn)定性。電熱應(yīng)力測試可以通過高電壓老化試驗儀進(jìn)行。

總結(jié)：MOS管的參數(shù)測試和可靠性評估是確保MOS管性能和可靠性的重要手段。MOS管的參數(shù)測試包括靜態(tài)參數(shù)測試和動態(tài)參數(shù)測試，靜態(tài)參數(shù)測試包括開關(guān)特性測試、漏電流測試、閾值電壓測試和電容測試，動態(tài)參數(shù)測試包括開關(guān)速度測試和反向恢復(fù)時間測試。MOS管的可靠性評估包括壽命測試、熱穩(wěn)定性測試和電熱應(yīng)力測試。這些測試可以通過各種測試設(shè)備和方法進(jìn)行。 成都長九電子科技有限公司為伯恩半導(dǎo)體（BORN）西南分公司。

MOS管的特性1、開關(guān)特性。MOS管是壓控器件，作為開關(guān)時，NMOS只要滿足Vgs>Vgs(th)即可導(dǎo)通，PMOS只要滿足Vgs2、開關(guān)損耗。MOS的損耗主要包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通損耗是由于導(dǎo)通后存在導(dǎo)通電阻而產(chǎn)生的，一般導(dǎo)通電阻都很小。開關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進(jìn)入夾斷區(qū)的過程中，也就是MOS處于恒流區(qū)時所產(chǎn)生的損耗。開關(guān)損耗遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。減小損耗通常有兩個方法，一是縮短開關(guān)時間，二是降低開關(guān)頻率。3、由壓控所導(dǎo)致的的開關(guān)特性。由于制作工藝的限制，NMOS的使用場景要遠(yuǎn)比PMOS多，因此在將更適合于高驅(qū)動的PMOS替換成NMOS時便出現(xiàn)了問題。當(dāng)MOS導(dǎo)通時，Vs=Vd=Vdd，此時要保持MOS的導(dǎo)通，就需要Vg>Vdd。在功率驅(qū)動電路中，MOS經(jīng)常開關(guān)的是電源電壓，或者說是系統(tǒng)中達(dá)到闕值電壓，此時要保證MOS的導(dǎo)通就需要額外升壓提供Vg。4、在寬電壓的應(yīng)用場景中，柵極的控制電壓很多時候是不確定的，為了保證MOS管的安全工作，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來限制柵極的控制電壓。當(dāng)驅(qū)動電壓大于穩(wěn)壓管電壓時，會額外增加管子的功耗。如果柵極控制電壓不足時，則會導(dǎo)致管子開關(guān)不徹底，也會增加管子功耗。 從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來給大家介紹一下MOS管里面常見的。重慶汽車級自恢復(fù)MOS管廠家地址

MOS管和晶體三極管相比的重要特性。重慶汽車MOS管

縱坐標(biāo)是電阻的值，當(dāng)g、s的電壓小于一個特定值的時候呢，電阻基本上是無窮大的。然后這個電壓值大于這個特定值的時候，電阻就接近于零，至于說等于這個值的時候會怎么樣，我們先不用管這個臨界的電壓值，我們稱之為vgsth，也就是打開MOS管需要的g、s電壓，這是每一個MOS管的固有屬性，我們可以在MOS管的數(shù)據(jù)手冊里面找到它。顯然vgsth一定要小于這個高電平的電壓值，否則的話就沒有辦法被正常的打開。所以在你選擇這個MOS管的時候，如果你的高電平是對應(yīng)的5V，那么選3V左右的vgsth是比較合適的。太小的話會因為干擾而誤觸發(fā)，太大的話又打不開這個MOS管。 重慶汽車MOS管