P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管原理：P溝道增強(qiáng)型MOS管9因在N型襯底中生成P型反型層而得名，其通過光刻、擴(kuò)散的方法或其他手段，在N型襯底(基片)上制作出兩個(gè)摻雜的P區(qū)，分別引出電極(源極S和漏極D)，同時(shí)在漏極與源極之間的SiO2絕緣層上制作金屬柵極GQ。其結(jié)構(gòu)和工作原理與N溝道MOS管類似;只是使用的柵-源和漏-源電壓極性與N溝道MOS管相反。在正常工作時(shí)，P溝道增強(qiáng)型MOS管的襯底必須與源極相連，而漏極對(duì)源極的電壓VDS應(yīng)為負(fù)值，以保證兩個(gè)P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，同時(shí)為了在襯底頂表面附近形成導(dǎo)電溝道，柵極對(duì)源極的電壓也應(yīng)為負(fù)。 有關(guān)MOS晶體管分類的幾個(gè)問題？云南車規(guī)MOS管廠價(jià)

MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時(shí)，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個(gè)小電容器，輸入的開關(guān)激勵(lì)信號(hào)，實(shí)際上是在對(duì)這個(gè)電容進(jìn)行反復(fù)的充電、放電的過程，在充放電的過程中，使MOS管道導(dǎo)通和關(guān)閉產(chǎn)生了滯后，使“開”與“關(guān)”的過程變慢，這是開關(guān)元件不能允許的（功耗增加，燒壞開關(guān)管）。

由于MOS管在制造工藝上柵極S的引線的電流容量有一定的限度，所以在Q1在飽和導(dǎo)通時(shí)VCC對(duì)MOS管柵極S的瞬時(shí)充電電流巨大，極易損壞MOS管的輸入端，為了保護(hù)MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時(shí)充電的電流值，在柵極充電的電路中串接一個(gè)適當(dāng)?shù)某潆娤蘖麟娮琛?云南汽車級(jí)自恢復(fù)MOS管工廠MOS管是一種常見的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

作為一般的電器電視機(jī)維修人員在測(cè)量晶體三極管或二極管時(shí)，一般是采用普通的萬用表來判斷三極管或者二極管的好壞，雖然對(duì)所判斷的三極管或二極管的電氣參數(shù)沒法確認(rèn)，但是只要方法正確對(duì)于確認(rèn)晶體三極管的“好”與“壞”還是沒有問題的。同樣MOS管也可以應(yīng)用萬用表來判斷其“好”與“壞”,從一般的維修來說，也可以滿足需求了。檢測(cè)必須采用指針式萬用表（數(shù)字表是不適宜測(cè)量半導(dǎo)體器件的）。對(duì)于功率型MOSFET開關(guān)管都屬N溝道增強(qiáng)型，各生產(chǎn)廠的產(chǎn)品也幾乎都采用相同的TO-220F封裝形式（指用于開關(guān)電源中的功率為50—200W的場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管），其三個(gè)電極排列也一致，即將三只引腳向下，打印型號(hào)面向自巳，左側(cè)引腳為柵極，右測(cè)引腳為源極，中間引腳為漏極。

MOS管，即金屬(Metal)一氧化物(Oxide)一半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管a相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍“大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì)，在開關(guān)電源a、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。MOS管的種類及結(jié)構(gòu)MOS管是FET的一種(另一種為JFET結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管a)，主要有兩種結(jié)構(gòu)形式:N溝道型和P溝道型;又根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)原理的不同，分為耗盡型(當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流)和增強(qiáng)型(當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流)兩種。因此，MOS管可以被制構(gòu)成P溝道增強(qiáng)型、P溝道耗盡型a、N溝道增強(qiáng)型、N溝道耗盡型4種類型產(chǎn)品。 MOS管在形成導(dǎo)電溝道時(shí)，出現(xiàn)的耗盡層和反型層有什么區(qū)別？

接下來我們?cè)賮砜纯碞MOS的第二個(gè)重要參數(shù)Rdson，剛才有提到NMOS被完全打開的時(shí)候，它的電阻接近于零。但是無論多小，它總歸是有一個(gè)電阻值的，這就是所謂的Rdson。它指的是NMOS被完全打開之后，d、s之間的電阻值。同樣的你也可以在數(shù)據(jù)手冊(cè)上找到它。這個(gè)電阻值當(dāng)然是越小越好。越小的話呢，它分壓分的少，而且發(fā)熱也相對(duì)比較低。但實(shí)際情況一般Rdson越小，這個(gè)NMOS的價(jià)格就越高，而且一般對(duì)應(yīng)的體積也會(huì)比較大。所以還是要量力而行，選擇恰好合適。然后來說一下Cgs，這個(gè)是比較容易被忽視的一個(gè)參數(shù)，它指的是g跟s之間的寄生電容。所有的NMOS都有，這是一個(gè)制造工藝的問題，沒有辦法被避免。那它會(huì)影響到NMOS打開速度，因?yàn)榧虞d到gate端的電壓，首先要給這個(gè)電容先充電，這就導(dǎo)致了g、s的電壓并不能一下子到達(dá)給定的一個(gè)數(shù)值。 MOS管的尺寸越小，速度越快，功耗越低。云南車規(guī)MOS管廠價(jià)

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MOS管與三極管、IBGT的差別，它的主要作用就是將微小的信號(hào)中止放大。MOS管與三極管有著許多相近的地方，也有許多不同之處。首先是開關(guān)速度的不同。三極管9工作時(shí)，兩個(gè)PN結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷，當(dāng)開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，假設(shè)這時(shí)三極管截至，PN結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個(gè)過程需求時(shí)間。而MOS由于工作方式不同，不需要恢復(fù)時(shí)間，因此可以用作高速開關(guān)管。其次是控制方式不同。MOS管是電壓控制元件，而三級(jí)管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用MOS管;而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用三極管。接著是載流子種類數(shù)量不同。電力電子技術(shù)中提及的單極器件是指只靠一種載流子導(dǎo)電的器件，雙極器件9是指靠?jī)煞N載流子導(dǎo)電的器件。MOS管只應(yīng)用了一種多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以也稱為單極型器件;而三極管是既有多數(shù)載流子，也應(yīng)用少數(shù)載流子9導(dǎo)電;是為雙極型器件。第三是靈活性不同。有些MOS管的源極Q和漏極可以互換運(yùn)用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比三極管好。第四是集成能力不同。MOS管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多MOS管集成在一塊硅片上。 云南車規(guī)MOS管廠價(jià)