MOS管也叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，那MOS管分為NMOS和PMOS兩種，那NMOS就是N溝道型，PMOS就是P溝道型，這樣的話大家可能聽(tīng)的很拗口，那么我們拋開(kāi)書(shū)本，看一看MOS管它到底有什么作用，首先你要知道，這個(gè)MOS管它有3個(gè)引腳，這三個(gè)引腳分別是源極柵極和漏極，分別用字母s,g,d來(lái)代替，當(dāng)我們使用這個(gè)MOS管的時(shí)候，我們將源極和漏極接入到這個(gè)電路當(dāng)中，然后給柵極上可以施加一個(gè)電壓用來(lái)控制這個(gè)MOS管的開(kāi)端。對(duì)于NMOS管來(lái)說(shuō)，當(dāng)柵極電壓大于源極電壓的時(shí)候，那這個(gè)時(shí)候MOS管就處于開(kāi)的狀態(tài)，MOS管常常被用于這個(gè)開(kāi)關(guān)的器件，那跟你家開(kāi)關(guān)的話也是比較類似的，只不過(guò)你家開(kāi)關(guān)，它可能的壽命只有幾萬(wàn)次，但是我們MOS管它在1秒內(nèi)就可以達(dá)到數(shù)萬(wàn)次的開(kāi)斷。 MOS管的發(fā)展趨勢(shì)是向著更小、更快、更低功耗的方向發(fā)展。四川車規(guī)MOS管代理

日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動(dòng)。不過(guò)PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類少等問(wèn)題，在高速驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無(wú)論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類，增強(qiáng)型NMOS管常見(jiàn)的重要原因，尤其在開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只需柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)的情況(高速驅(qū)動(dòng))。成都汽車級(jí)MOS管低價(jià)直銷MOS管是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。

MOS管的參數(shù)測(cè)試是指對(duì)MOS管的各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試和評(píng)估，以確定其性能是否符合要求。MOS管的主要參數(shù)包括靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)。1.靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試是指對(duì)MOS管的靜態(tài)電學(xué)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，包括開(kāi)關(guān)特性、漏電流、閾值電壓、電容等。（1）開(kāi)關(guān)特性測(cè)試開(kāi)關(guān)特性測(cè)試是指對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)特性進(jìn)行測(cè)試，包括開(kāi)啟電壓、關(guān)閉電壓、開(kāi)啟時(shí)間、關(guān)閉時(shí)間等。開(kāi)關(guān)特性測(cè)試可以通過(guò)直流電源和示波器進(jìn)行測(cè)試。（2）漏電流測(cè)試漏電流測(cè)試是指對(duì)MOS管的漏電流進(jìn)行測(cè)試。漏電流是指在MOS管關(guān)閉狀態(tài)下，從漏極到源極的電流。漏電流測(cè)試可以通過(guò)直流電源和萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)試。（3）閾值電壓測(cè)試閾值電壓測(cè)試是指對(duì)MOS管的閾值電壓進(jìn)行測(cè)試。閾值電壓是指在MOS管的柵極電壓為0時(shí)，漏極到源極的電流達(dá)到一定值時(shí)的柵極電壓。閾值電壓測(cè)試可以通過(guò)直流電源和萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)試。（4）電容測(cè)試電容測(cè)試是指對(duì)MOS管的電容進(jìn)行測(cè)試。MOS管的電容包括柵極-漏極電容和柵極-源極電容。電容測(cè)試可以通過(guò)LCR表進(jìn)行測(cè)試。

MOS做開(kāi)關(guān)管使用時(shí)，其工作狀態(tài)在截止區(qū)和可變電阻區(qū)之間切換，做放大管使用時(shí)，工作在飽和區(qū)?，F(xiàn)如今，大部分的文檔對(duì)MOS的工作狀態(tài)的描述都是假設(shè)VGS不變，讓VDS增加，描述這一過(guò)程中MOS管工作狀態(tài)的變化。但當(dāng)我重新回頭看這么一段描述，浮上我腦海中的疑問(wèn)是：為什么VDS會(huì)增加？這是因?yàn)樵趯?shí)際的應(yīng)用場(chǎng)景中，VDS是基本固定不變的，一般是驅(qū)動(dòng)電壓VGS在運(yùn)行。而且在作者的工作中，接觸的都是工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的MOS，其導(dǎo)通壓降很小，很難想象VDS逐步增大的場(chǎng)景，所以下文將從VDS固定不變，VGS壓逐漸變大的角度分析MOS的開(kāi)通過(guò)程。 國(guó)產(chǎn)MOS管什么品牌好？

作為一般的電器電視機(jī)維修人員在測(cè)量晶體三極管或二極管時(shí)，一般是采用普通的萬(wàn)用表來(lái)判斷三極管或者二極管的好壞，雖然對(duì)所判斷的三極管或二極管的電氣參數(shù)沒(méi)法確認(rèn)，但是只要方法正確對(duì)于確認(rèn)晶體三極管的“好”與“壞”還是沒(méi)有問(wèn)題的。同樣MOS管也可以應(yīng)用萬(wàn)用表來(lái)判斷其“好”與“壞”,從一般的維修來(lái)說(shuō)，也可以滿足需求了。檢測(cè)必須采用指針式萬(wàn)用表（數(shù)字表是不適宜測(cè)量半導(dǎo)體器件的）。對(duì)于功率型MOSFET開(kāi)關(guān)管都屬N溝道增強(qiáng)型，各生產(chǎn)廠的產(chǎn)品也幾乎都采用相同的TO-220F封裝形式（指用于開(kāi)關(guān)電源中的功率為50—200W的場(chǎng)效應(yīng)開(kāi)關(guān)管），其三個(gè)電極排列也一致，即將三只引腳向下，打印型號(hào)面向自巳，左側(cè)引腳為柵極，右測(cè)引腳為源極，中間引腳為漏極。 MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則。成都汽車級(jí)MOS管低價(jià)直銷

MOS場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)對(duì)照表及主要規(guī)格。四川車規(guī)MOS管代理

MOS管重要特性：3.寄生電容驅(qū)動(dòng)特性跟雙極性晶體管a相比，MOS管需要GS電壓高于一定的值才能導(dǎo)通，而且還要求較快的導(dǎo)通速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS、GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，理論上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流，由于對(duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)首先要留意的是可提供瞬間短路電流的大小;第二個(gè)要留意的是，普遍用于高速驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要柵極電壓大于源極電壓。而高速驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極導(dǎo)通電壓要比VCC高4V或10V，而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小。四川車規(guī)MOS管代理