日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動。不過PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價格貴、替換種類少等問題，在高速驅(qū)動中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類，增強型NMOS管常見的重要原因，尤其在開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會導(dǎo)通，適用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動)，只需柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會導(dǎo)通，適用于源極接VCC時的情況(高速驅(qū)動)。MOS場效應(yīng)管參數(shù)對照表及主要規(guī)格。重慶車規(guī)MOS管廠家供應(yīng)

以金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場效應(yīng)晶體管為主要元件構(gòu)成的集成電路。簡稱MOSIC。一般認為MOS集成電路功耗低、集成度高，宜用作數(shù)字集成電路；雙極型集成電路則適用作高速數(shù)字和模擬電路。MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）。MOS場效應(yīng)晶體管通常簡稱為場效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件，和普通雙極型晶體管相比擬，場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，得到了越來越普遍的應(yīng)用。 工業(yè)級MOS管低價直銷mos管和igbt有什么區(qū)別？

MOS管的特性1、開關(guān)特性。MOS管是壓控器件，作為開關(guān)時，NMOS只要滿足Vgs>Vgs(th)即可導(dǎo)通，PMOS只要滿足Vgs2、開關(guān)損耗。MOS的損耗主要包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通損耗是由于導(dǎo)通后存在導(dǎo)通電阻而產(chǎn)生的，一般導(dǎo)通電阻都很小。開關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進入夾斷區(qū)的過程中，也就是MOS處于恒流區(qū)時所產(chǎn)生的損耗。開關(guān)損耗遠大于導(dǎo)通損耗。減小損耗通常有兩個方法，一是縮短開關(guān)時間，二是降低開關(guān)頻率。3、由壓控所導(dǎo)致的的開關(guān)特性。由于制作工藝的限制，NMOS的使用場景要遠比PMOS多，因此在將更適合于高驅(qū)動的PMOS替換成NMOS時便出現(xiàn)了問題。當(dāng)MOS導(dǎo)通時，Vs=Vd=Vdd，此時要保持MOS的導(dǎo)通，就需要Vg>Vdd。在功率驅(qū)動電路中，MOS經(jīng)常開關(guān)的是電源電壓，或者說是系統(tǒng)中達到闕值電壓，此時要保證MOS的導(dǎo)通就需要額外升壓提供Vg。4、在寬電壓的應(yīng)用場景中，柵極的控制電壓很多時候是不確定的，為了保證MOS管的安全工作，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來限制柵極的控制電壓。當(dāng)驅(qū)動電壓大于穩(wěn)壓管電壓時，會額外增加管子的功耗。如果柵極控制電壓不足時，則會導(dǎo)致管子開關(guān)不徹底，也會增加管子功耗。

第五是輸入阻抗和噪聲能力不同。MOS管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點，被普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，特別用MOS管做整個電子設(shè)備的輸入級，可以獲得普通三極管很難達到的性能。然后是功耗損耗不同。同等情況下，采用MOS管時，功耗損耗低;而選用三極管時，功耗損耗要高出許多。當(dāng)然，在使用成本上，MOS管要高于三極管，因此根據(jù)兩種元件的特性，MOS管常用于高頻高速電路、大電流場所，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的中心區(qū)域;而三極管則用于低成本場所，達不到效果時才會考慮替換選用MOS管。MOS管在形成導(dǎo)電溝道時，出現(xiàn)的耗盡層和反型層有什么區(qū)別？

    MOS管集成電路電阻的應(yīng)用1多晶硅電阻集成電路中的單片電阻器距離理想電阻都比較遠，在標(biāo)準(zhǔn)的MOS管工藝中，理想的無源電阻器是多晶硅條。ρ為電阻率;t為薄板厚度;R□=（ρ/t）為薄層電阻率，單位為Ω/□;L/W為長寬比。由于常用的薄層電阻很小，通常多晶硅大的電阻率為100Ω/□，而設(shè)計規(guī)則又確定了多晶硅條寬度的相對小值，因此高值的電阻需要很大的尺寸，由于芯片面積的限制，實際上是很難實現(xiàn)的。當(dāng)然也可以用擴散條來做薄層電阻，但是由于工藝的不穩(wěn)定性，通常很容易受溫度和電壓的影響，很難精確控制其闕值。寄生效果也十分明顯。無論多晶硅還是擴散層，他們的電阻的變化范圍都很大，與注入材料中的雜質(zhì)濃度有關(guān)。不容易計算準(zhǔn)確值。由于上述原因，在集成電路中經(jīng)常使用有源電阻器。 在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個外殼，這就是MOS管封裝。工業(yè)級MOS管低價直銷

mos管柵極和源極電壓一樣嘛？重慶車規(guī)MOS管廠家供應(yīng)

MOS管的英文全稱叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為絕緣柵場效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOS管的構(gòu)造在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個N溝道（NPN型）增強型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。 重慶車規(guī)MOS管廠家供應(yīng)