MOS管重要特性：3.寄生電容驅(qū)動(dòng)特性跟雙極性晶體管a相比，MOS管需要GS電壓高于一定的值才能導(dǎo)通，而且還要求較快的導(dǎo)通速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS、GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，理論上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流，由于對(duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)首先要留意的是可提供瞬間短路電流的大小;第二個(gè)要留意的是，普遍用于高速驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要柵極電壓大于源極電壓。而高速驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極導(dǎo)通電壓要比VCC高4V或10V，而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小。mos管作為開(kāi)關(guān)工作在什么區(qū)？工業(yè)級(jí)MOS管廠家直銷(xiāo)

MOS管的特性上述MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時(shí)的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論：1）MOS管是一個(gè)由改變電壓來(lái)控制電流的器件，所以是電壓器件。2）MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。4、MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則 貴州汽車(chē)MOS管廠家地址在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼，這就是MOS管封裝。

夾斷區(qū)和MOS管的夾斷是一回事嗎？實(shí)際不是，因?yàn)楫?dāng)驅(qū)動(dòng)電壓小于MOS的導(dǎo)通門(mén)限時(shí)，MOS管是沒(méi)有形成導(dǎo)電溝道的。而書(shū)中對(duì)MOS管的夾斷也明確寫(xiě)出MOS管出現(xiàn)夾斷現(xiàn)象時(shí)，管子工作在恒流區(qū)。為更好地區(qū)分這兩種工作狀態(tài)，在圖2中，我把這一區(qū)域稱(chēng)為截止區(qū)。

為什么預(yù)夾斷電壓是VDS=VGS-Vth(即VGD=Vth)？因?yàn)閂th是MOS管的導(dǎo)通電壓，這意味著在這個(gè)電壓下，導(dǎo)電溝道剛剛形成。當(dāng)漏極電壓升高到VGD=Vth時(shí)，說(shuō)明導(dǎo)電溝道靠漏極一端的電壓降到了導(dǎo)通電壓，所以MOS管漏極出現(xiàn)夾斷。

夾斷時(shí)，MOS管為什么由電流通過(guò)？闕值漏極電流為什么由VGS確定？當(dāng)VDS大到一定程度，MOS管被完全夾斷，這其實(shí)是反型層的載流子在電場(chǎng)作用下迅速流動(dòng)的變現(xiàn)而非導(dǎo)電溝道消失。并且，VGS大小決定了反型層的厚度，即決定了載流子的多少。在這種情況下，VDS的越增加，導(dǎo)電溝道的夾斷區(qū)越長(zhǎng)，電阻越大，VDS主要用于克服導(dǎo)電溝道夾斷導(dǎo)致的電阻的上升對(duì)電流的影響，而VGS的增加則可拓寬導(dǎo)電溝道，所以此時(shí)的闕值漏極電流由VGS確定。

    MOS管集成電路電阻的應(yīng)用1多晶硅電阻集成電路中的單片電阻器距離理想電阻都比較遠(yuǎn)，在標(biāo)準(zhǔn)的MOS管工藝中，理想的無(wú)源電阻器是多晶硅條。ρ為電阻率;t為薄板厚度;R□=（ρ/t）為薄層電阻率，單位為Ω/□;L/W為長(zhǎng)寬比。由于常用的薄層電阻很小，通常多晶硅大的電阻率為100Ω/□，而設(shè)計(jì)規(guī)則又確定了多晶硅條寬度的相對(duì)小值，因此高值的電阻需要很大的尺寸，由于芯片面積的限制，實(shí)際上是很難實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)然也可以用擴(kuò)散條來(lái)做薄層電阻，但是由于工藝的不穩(wěn)定性，通常很容易受溫度和電壓的影響，很難精確控制其闕值。寄生效果也十分明顯。無(wú)論多晶硅還是擴(kuò)散層，他們的電阻的變化范圍都很大，與注入材料中的雜質(zhì)濃度有關(guān)。不容易計(jì)算準(zhǔn)確值。由于上述原因，在集成電路中經(jīng)常使用有源電阻器。 mos管驅(qū)動(dòng)電流一般多大？

mos管也稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsicsilicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開(kāi)。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱(chēng)為gatedielectric(柵介質(zhì))。圖示中的器件有一個(gè)輕摻雜P型硅做成的backgate。這個(gè)MOS電容的電特性能通過(guò)把backgate接地，gate接不同的電壓來(lái)說(shuō)明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場(chǎng)。在器件中，這個(gè)電場(chǎng)使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位。這個(gè)電場(chǎng)把硅中底層的電子吸引到表面來(lái)，它同時(shí)把空穴排斥出表面。這個(gè)電場(chǎng)太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對(duì)器件整體的特性影響也非常小。MOS管為壓控元件，你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通，它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣，導(dǎo)通結(jié)的壓降小。這就是常說(shuō)的精典是開(kāi)關(guān)作用。去掉這個(gè)控制電壓經(jīng)就截止。我們知道MOS管對(duì)于整個(gè)供電系統(tǒng)起著穩(wěn)壓的作用，但是MOS管不能單獨(dú)使用，它必須和電感線(xiàn)圈、電容等共同組成的濾波穩(wěn)壓電路，才能發(fā)揮充分它的優(yōu)勢(shì)。 多維度介紹MOS管，了解MOS管，看這個(gè)就夠了！貴州汽車(chē)MOS管廠家地址

p溝道m(xù)os管經(jīng)典開(kāi)關(guān)電路。工業(yè)級(jí)MOS管廠家直銷(xiāo)

P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管原理：P溝道耗盡型MOS管的工作原理與N溝道耗盡型MOS管完全相同，只不過(guò)導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性也不同。5、耗盡型與增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端(Gate)不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有在開(kāi)啟后，才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道;兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS(柵極電壓)可以用正、零、負(fù)電壓控制導(dǎo)通，而增強(qiáng)型MOS管a必須使得VGS>VGS(th)(柵極閾值電壓)才行。由于耗盡型N溝道MOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+正離子(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子)，當(dāng)VGS=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)能在P型襯底中感應(yīng)出足夠的電子，形成N型導(dǎo)電溝道;當(dāng)VGS>0時(shí)，將產(chǎn)生較大的ID(漏極電流);如果使VGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場(chǎng)，使N溝道變窄，從而使ID減小。這些特性使得耗盡型MOS管在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)設(shè)備開(kāi)機(jī)時(shí)可能會(huì)誤觸發(fā)MOS管，導(dǎo)致整機(jī)失效;不易被控制，使得其應(yīng)用極少。工業(yè)級(jí)MOS管廠家直銷(xiāo)