MOS管的特性上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于Sio2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在,電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小,控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論:1)MOS管是一個由改變電壓來控制電流的器件,所以是電壓器件。2)MOS管道輸入特性為容性特性,所以輸入阻抗極高。4、MOS管的電壓極性和符號規(guī)則 MOS管的電壓極性和符號規(guī)則。四川車規(guī)級MOS管現(xiàn)貨經(jīng)營
PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導(dǎo)小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。 四川車規(guī)級MOS管現(xiàn)貨經(jīng)營MOS管快速入門到精通。
MOS管工作原理
1、N溝道增強型場效應(yīng)管原理N溝道增強型MOS管在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū),從N型區(qū)引出電極(漏極D、源極S9);在源極和漏極之間的SiO2絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G;P型半導(dǎo)體稱為襯底,用符號B表示。由于柵極與其它電極之間是相互絕緣的,所以NMOS又被稱為絕緣柵型場效應(yīng)管a。當(dāng)柵極Ga和源極S之間不加任何電壓,即VGS=0時,由于漏極和源極兩個N+型區(qū)之間隔有P型襯底,相當(dāng)于兩個背靠背連接的PN結(jié),它們之間的電阻高達1012Ω,即D、S之間不具備導(dǎo)電的溝道,所以無論在漏、源極之間加何種極性的電壓,都不會產(chǎn)生漏極電流ID。
MOS管的開通過程關(guān)于MOS管的開通過程,網(wǎng)絡(luò)上有許多文檔進行分析,其來源應(yīng)為一篇帶感性負(fù)載的MOS管開通過程的分析,很多轉(zhuǎn)發(fā)該文章的網(wǎng)文卻常常忽略了這一點,把這個過程當(dāng)做了所有場景下MOS的開通過程。因此,在分析之前,先說明本文分析的前提:阻性負(fù)載下,VDS固定時,加驅(qū)動電壓VGS的情況下,MOS管的導(dǎo)通過程分析。
帶阻性負(fù)載的MOS管電路在GS、GD、DS之間都有寄生電容,在DS之間還有一個寄生二極管。在t0時刻,MOS管柵極加一驅(qū)動電壓VGS,其值為MOS管完全導(dǎo)通所需要的驅(qū)動電壓VGS(sat)后續(xù),若負(fù)載繼續(xù)加重,使漏極電流繼續(xù)上升,則MOS管的電流將會飽和,MOS管進入飽和區(qū)。 mos管的外形和三極管,可控硅,三端穩(wěn)壓器,IGBT類似。
MOS管重要特性:3.寄生電容驅(qū)動特性跟雙極性晶體管a相比,MOS管需要GS電壓高于一定的值才能導(dǎo)通,而且還要求較快的導(dǎo)通速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS、GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動,理論上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流,由于對電容充電瞬間可以把電容看成短路,所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時首先要留意的是可提供瞬間短路電流的大小;第二個要留意的是,普遍用于高速驅(qū)動的NMOS,導(dǎo)通時需要柵極電壓大于源極電壓。而高速驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極導(dǎo)通電壓要比VCC高4V或10V,而且電壓越高,導(dǎo)通速度越快,導(dǎo)通電阻也越小。mos管也稱場效應(yīng)管,首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。成都工業(yè)級MOS管供應(yīng)商
為了保證MOS管的安全工作,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來限制柵極的控制電壓。四川車規(guī)級MOS管現(xiàn)貨經(jīng)營
日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強型MOS管;其中,PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動。不過PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價格貴、替換種類少等問題,在高速驅(qū)動中,通常還是使用NMOS替代,這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類,增強型NMOS管常見的重要原因,尤其在開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中,一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開關(guān),相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性,VGS大于一定的值就會導(dǎo)通,適用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動),只需柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性是,VGS小于一定的值就會導(dǎo)通,適用于源極接VCC時的情況(高速驅(qū)動)。四川車規(guī)級MOS管現(xiàn)貨經(jīng)營