MOS管的特性上述MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論：1）MOS管是一個由改變電壓來控制電流的器件，所以是電壓器件。2）MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。4、MOS管的電壓極性和符號規(guī)則 MOS管的電壓極性和符號規(guī)則。四川車規(guī)級MOS管現(xiàn)貨經(jīng)營

PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。 四川車規(guī)級MOS管現(xiàn)貨經(jīng)營MOS管快速入門到精通。

MOS管工作原理

1、N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管原理N溝道增強(qiáng)型MOS管在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極(漏極D、源極S9);在源極和漏極之間的SiO2絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G;P型半導(dǎo)體稱為襯底，用符號B表示。由于柵極與其它電極之間是相互絕緣的，所以NMOS又被稱為絕緣柵型場效應(yīng)管a。當(dāng)柵極Ga和源極S之間不加任何電壓，即VGS=0時，由于漏極和源極兩個N+型區(qū)之間隔有P型襯底，相當(dāng)于兩個背靠背連接的PN結(jié)，它們之間的電阻高達(dá)1012Ω，即D、S之間不具備導(dǎo)電的溝道，所以無論在漏、源極之間加何種極性的電壓，都不會產(chǎn)生漏極電流ID。

MOS管的開通過程關(guān)于MOS管的開通過程，網(wǎng)絡(luò)上有許多文檔進(jìn)行分析，其來源應(yīng)為一篇帶感性負(fù)載的MOS管開通過程的分析，很多轉(zhuǎn)發(fā)該文章的網(wǎng)文卻常常忽略了這一點(diǎn)，把這個過程當(dāng)做了所有場景下MOS的開通過程。因此，在分析之前，先說明本文分析的前提：阻性負(fù)載下，VDS固定時，加驅(qū)動電壓VGS的情況下，MOS管的導(dǎo)通過程分析。

帶阻性負(fù)載的MOS管電路在GS、GD、DS之間都有寄生電容，在DS之間還有一個寄生二極管。在t0時刻，MOS管柵極加一驅(qū)動電壓VGS,其值為MOS管完全導(dǎo)通所需要的驅(qū)動電壓VGS(sat)后續(xù)，若負(fù)載繼續(xù)加重，使漏極電流繼續(xù)上升，則MOS管的電流將會飽和，MOS管進(jìn)入飽和區(qū)。 mos管的外形和三極管，可控硅，三端穩(wěn)壓器，IGBT類似。

MOS管重要特性：3.寄生電容驅(qū)動特性跟雙極性晶體管a相比，MOS管需要GS電壓高于一定的值才能導(dǎo)通，而且還要求較快的導(dǎo)通速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS、GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，理論上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，由于對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時首先要留意的是可提供瞬間短路電流的大小;第二個要留意的是，普遍用于高速驅(qū)動的NMOS，導(dǎo)通時需要柵極電壓大于源極電壓。而高速驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極導(dǎo)通電壓要比VCC高4V或10V，而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小。mos管也稱場效應(yīng)管，首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。成都工業(yè)級MOS管供應(yīng)商

為了保證MOS管的安全工作，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來限制柵極的控制電壓。四川車規(guī)級MOS管現(xiàn)貨經(jīng)營

日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動。不過PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價格貴、替換種類少等問題，在高速驅(qū)動中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類，增強(qiáng)型NMOS管常見的重要原因，尤其在開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會導(dǎo)通，適用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動)，只需柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會導(dǎo)通，適用于源極接VCC時的情況(高速驅(qū)動)。四川車規(guī)級MOS管現(xiàn)貨經(jīng)營