以金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場效應(yīng)晶體管為主要元件構(gòu)成的集成電路。簡稱MOSIC。一般認(rèn)為MOS集成電路功耗低、集成度高，宜用作數(shù)字集成電路；雙極型集成電路則適用作高速數(shù)字和模擬電路。MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）。MOS場效應(yīng)晶體管通常簡稱為場效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件，和普通雙極型晶體管相比擬，場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，得到了越來越普遍的應(yīng)用。 MOS管的電壓極性和符號規(guī)則。云南MOS管廠址

MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負(fù)極，柵極G正電壓時導(dǎo)電溝道建立，N溝道MOS管開始工作。同樣P道的類似PNP晶體三極管，漏極D接負(fù)極，源極S接正極，柵極G負(fù)電壓時，導(dǎo)電溝道建立，P溝道MOS管開始工作。MOS管和普通的晶體三極管相比，有以上四項優(yōu)點(diǎn)，就足以使MOS管在開關(guān)運(yùn)用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管。目前的技術(shù)MOS管道VDS能做到1000V，只能作為開關(guān)電源的開關(guān)管應(yīng)用，隨著制造工藝的不斷進(jìn)步，VDS的不斷提高，取代顯像管電視機(jī)的行輸出管也是近期能實(shí)現(xiàn)的。 云南MOS管廠址mos管的三個極電壓關(guān)系。

    MOS管是一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中。以下是MOS管的一些常見運(yùn)用：1.作為開關(guān)：MOS管可以作為電路中的開關(guān)，控制電流的通斷。在數(shù)字電路中，MOS管可以用來實(shí)現(xiàn)邏輯門電路，如與門、或門、非門等。2.作為放大器：MOS管也可以作為放大器，將小信號放大到較大的電壓或電流。在模擬電路中，MOS管常用于放大音頻信號、射頻信號等。3.作為電壓調(diào)節(jié)器：MOS管可以用來調(diào)節(jié)電路中的電壓，例如作為穩(wěn)壓器、電壓調(diào)節(jié)器等。4.作為電容器：MOS管的柵極與源極之間形成一個電容，可以用來存儲電荷，例如作為存儲器件、計時器等。5.作為傳感器：MOS管可以用來檢測環(huán)境中的物理量，例如溫度、濕度、光強(qiáng)等?？傊?，MOS管在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)各種不同的功能。

    MOS管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓闕值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的闕值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。 MOS管和晶體三極管相比的重要特性。

縱坐標(biāo)是電阻的值，當(dāng)g、s的電壓小于一個特定值的時候呢，電阻基本上是無窮大的。然后這個電壓值大于這個特定值的時候，電阻就接近于零，至于說等于這個值的時候會怎么樣，我們先不用管這個臨界的電壓值，我們稱之為vgsth，也就是打開MOS管需要的g、s電壓，這是每一個MOS管的固有屬性，我們可以在MOS管的數(shù)據(jù)手冊里面找到它。顯然vgsth一定要小于這個高電平的電壓值，否則的話就沒有辦法被正常的打開。所以在你選擇這個MOS管的時候，如果你的高電平是對應(yīng)的5V，那么選3V左右的vgsth是比較合適的。太小的話會因為干擾而誤觸發(fā)，太大的話又打不開這個MOS管。 按照導(dǎo)電機(jī)制的不同，MOS管又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。云南MOS管廠址

有關(guān)MOS晶體管分類的幾個問題？云南MOS管廠址

mos管也稱場效應(yīng)管，首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsicsilicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gatedielectric(柵介質(zhì))。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。MOS管為壓控元件，你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通，它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣，導(dǎo)通結(jié)的壓降小。這就是常說的精典是開關(guān)作用。去掉這個控制電壓經(jīng)就截止。我們知道MOS管對于整個供電系統(tǒng)起著穩(wěn)壓的作用，但是MOS管不能單獨(dú)使用，它必須和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩(wěn)壓電路，才能發(fā)揮充分它的優(yōu)勢。 云南MOS管廠址