MOS管導(dǎo)通后其導(dǎo)通特性呈純阻性；普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通是，幾乎是直通，有一個(gè)極低的壓降，稱為飽和壓降，既然有一個(gè)壓降，那么也就是；普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通后等效是一個(gè)阻值極小的電阻，但是這個(gè)等效的電阻是一個(gè)非線性的電阻（電阻上的電壓和流過的電流不能符合歐姆定律），而MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用，在飽和導(dǎo)通后也存在一個(gè)阻值極小的電阻，但是這個(gè)電阻等效一個(gè)線性電阻，其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過的電流符合歐姆定律的關(guān)系，電流大壓降就大，電流小壓降就小，導(dǎo)通后既然等效是一個(gè)線性元件，線性元件就可以并聯(lián)應(yīng)用，當(dāng)這樣兩個(gè)電阻并聯(lián)在一起，就有一個(gè)自動(dòng)電流平衡的作用，所以MOS管在一個(gè)管子功率不夠的時(shí)候，可以多管并聯(lián)應(yīng)用，且不必另外增加平衡措施（非線性器件是不能直接并聯(lián)應(yīng)用的）。MOS管和普通的晶體三極管相比，有以上四項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，就足以使MOS管在開關(guān)運(yùn)用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管。 MOS管在形成導(dǎo)電溝道時(shí)，出現(xiàn)的耗盡層和反型層有什么區(qū)別？四川汽車級自恢復(fù)MOS管廠家

如何選擇NMOS明白了NMOS的用法之后呢，我們來看一下要如何選擇一個(gè)合適的NMOS，也就是NMOS是如何選型的。那對于一個(gè)初學(xué)者來說，有四個(gè)比較重要的參數(shù)需要來關(guān)注一下。首先是封裝，第二個(gè)是vgsth，第三個(gè)是Rdson上，第四個(gè)是Cgs。封裝比較簡單，它指的就是一個(gè)MOS管這個(gè)外形和尺寸的種類也有很多。一般來說封裝越大，它能承受的電流也就越大。為了搞明白另外三個(gè)參數(shù)呢，我們先要來介紹一下NMOS的等效模型。

MOS其實(shí)可以看成是一個(gè)由電壓控制的電阻。這個(gè)電壓指的是g、s兩端的電壓差，電阻指的是d、s之間的電阻。這個(gè)電阻的大小呢，它會隨著g、s電壓的變化而產(chǎn)生變化。當(dāng)然它們不是線性對應(yīng)的關(guān)系，實(shí)際的關(guān)系差不多像這樣的，橫坐標(biāo)是g、s電壓差。 汽車級自恢復(fù)MOS管現(xiàn)貨經(jīng)營N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理。

MOS做開關(guān)管使用時(shí)，其工作狀態(tài)在截止區(qū)和可變電阻區(qū)之間切換，做放大管使用時(shí)，工作在飽和區(qū)?，F(xiàn)如今，大部分的文檔對MOS的工作狀態(tài)的描述都是假設(shè)VGS不變，讓VDS增加，描述這一過程中MOS管工作狀態(tài)的變化。但當(dāng)我重新回頭看這么一段描述，浮上我腦海中的疑問是：為什么VDS會增加？這是因?yàn)樵趯?shí)際的應(yīng)用場景中，VDS是基本固定不變的，一般是驅(qū)動(dòng)電壓VGS在運(yùn)行。而且在作者的工作中，接觸的都是工作在開關(guān)狀態(tài)下的MOS，其導(dǎo)通壓降很小，很難想象VDS逐步增大的場景，所以下文將從VDS固定不變，VGS壓逐漸變大的角度分析MOS的開通過程。

作為一般的電器電視機(jī)維修人員在測量晶體三極管或二極管時(shí)，一般是采用普通的萬用表來判斷三極管或者二極管的好壞，雖然對所判斷的三極管或二極管的電氣參數(shù)沒法確認(rèn)，但是只要方法正確對于確認(rèn)晶體三極管的“好”與“壞”還是沒有問題的。同樣MOS管也可以應(yīng)用萬用表來判斷其“好”與“壞”,從一般的維修來說，也可以滿足需求了。檢測必須采用指針式萬用表（數(shù)字表是不適宜測量半導(dǎo)體器件的）。對于功率型MOSFET開關(guān)管都屬N溝道增強(qiáng)型，各生產(chǎn)廠的產(chǎn)品也幾乎都采用相同的TO-220F封裝形式（指用于開關(guān)電源中的功率為50—200W的場效應(yīng)開關(guān)管），其三個(gè)電極排列也一致，即將三只引腳向下，打印型號面向自巳，左側(cè)引腳為柵極，右測引腳為源極，中間引腳為漏極。 igbt和mosfet管的區(qū)別？

mos管也稱場效應(yīng)管，首先考察一個(gè)更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsicsilicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gatedielectric(柵介質(zhì))。圖示中的器件有一個(gè)輕摻雜P型硅做成的backgate。這個(gè)MOS電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場。在器件中，這個(gè)電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位。這個(gè)電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時(shí)把空穴排斥出表面。這個(gè)電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。MOS管為壓控元件，你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通，它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣，導(dǎo)通結(jié)的壓降小。這就是常說的精典是開關(guān)作用。去掉這個(gè)控制電壓經(jīng)就截止。我們知道MOS管對于整個(gè)供電系統(tǒng)起著穩(wěn)壓的作用，但是MOS管不能單獨(dú)使用，它必須和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩(wěn)壓電路，才能發(fā)揮充分它的優(yōu)勢。 mos管驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算公式。四川汽車級自恢復(fù)MOS管廠家

哪些國產(chǎn)MOS管品牌可以替代其他品牌MOS管等國外品牌？四川汽車級自恢復(fù)MOS管廠家

P溝道耗盡型場效應(yīng)管原理：P溝道耗盡型MOS管的工作原理與N溝道耗盡型MOS管完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性也不同。5、耗盡型與增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端(Gate)不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有在開啟后，才會出現(xiàn)導(dǎo)電溝道;兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS(柵極電壓)可以用正、零、負(fù)電壓控制導(dǎo)通，而增強(qiáng)型MOS管a必須使得VGS>VGS(th)(柵極閾值電壓)才行。由于耗盡型N溝道MOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+正離子(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子)，當(dāng)VGS=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場能在P型襯底中感應(yīng)出足夠的電子，形成N型導(dǎo)電溝道;當(dāng)VGS>0時(shí)，將產(chǎn)生較大的ID(漏極電流);如果使VGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場，使N溝道變窄，從而使ID減小。這些特性使得耗盡型MOS管在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)設(shè)備開機(jī)時(shí)可能會誤觸發(fā)MOS管，導(dǎo)致整機(jī)失效;不易被控制，使得其應(yīng)用極少。四川汽車級自恢復(fù)MOS管廠家