MOS管的特性上述MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時(shí)的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論：1）MOS管是一個(gè)由改變電壓來控制電流的器件，所以是電壓器件。2）MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。4、MOS管的電壓極性和符號規(guī)則 成都長九電子科技有限公司為伯恩半導(dǎo)體（BORN）西南分公司。成都汽車MOS管

N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)，P型襯底上制作兩個(gè)高摻雜的N區(qū)，引出作為漏極D和源極S，襯底上再制作一塊絕緣層，絕緣層上在制作一層金屬電極，引出作為柵極G，即構(gòu)成了常見的N溝道增強(qiáng)型MOS管。一般而言，襯底B和S極會(huì)連在一起，當(dāng)在柵極處加正電壓時(shí)，靠近襯底的絕緣層會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷，當(dāng)感應(yīng)電荷足夠多時(shí)，D和S之間形成導(dǎo)電溝道，只要DS之間有電壓，即可產(chǎn)生電流。另外，從結(jié)構(gòu)上看，襯底B和S以及D之間都有一個(gè)PN結(jié)，但是B和S連在一起，所以BS之間的PN結(jié)被短路，B（S）和D之間的PN結(jié)即是的MOS的寄生二極管。 重慶汽車級自恢復(fù)MOS管現(xiàn)貨MOS的基礎(chǔ)用法，它大量的被應(yīng)用在一些開關(guān)電源的電路上。

N溝道耗盡型場效應(yīng)管原理：N溝道耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)與增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)類似，只有一點(diǎn)不同，就是N溝道耗盡型MOS管9在柵極電壓VGS=0時(shí)，溝道已經(jīng)存在。這是因?yàn)镹溝道是在制造過程中采用離子注入。法預(yù)先在D、S之間襯底的表面、柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子，該溝道亦稱為初始溝道。當(dāng)VGS=0時(shí)，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層，形成了溝道，所以只要有漏源電壓，就有漏極電流存在;當(dāng)VGS>0時(shí)，將使ID進(jìn)一步增加;VGS<0時(shí)，隨著VGS的減小，漏極電流逐漸減小，直至ID=0。對應(yīng)ID=0的VGS稱為夾斷電壓或閾值電壓，用符號VGS(off)或Up表示。由于耗盡型MOSFET在VGS=0時(shí)，漏源之間的溝道已經(jīng)存在，所以只要加上VDS，就有ID流通。如果增加正向柵壓VGSa，柵極與襯底之間的電場將使溝道中感應(yīng)更多的電子，溝道變厚，溝道的電導(dǎo)增大。

日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驅(qū)動(dòng)。不過PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類少等問題，在高速驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類，增強(qiáng)型NMOS管常見的重要原因，尤其在開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只需柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)的情況(高速驅(qū)動(dòng))。按照導(dǎo)電機(jī)制的不同，MOS管又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。

    MOS管介紹1、場效應(yīng)管（FET）主要包括結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET）；絕緣柵型場效應(yīng)管包括增強(qiáng)型和耗盡型兩種；增強(qiáng)型和耗盡型分別包括N型和P型兩種。我們常用的場效應(yīng)管一般是指增強(qiáng)型絕緣柵型場效應(yīng)管，簡稱MOS管。2、對于較常用的兩種MOS管，N型與P型，一般N型管使用場景更廣。這是因?yàn)橹圃旃に嚥煌?，?dǎo)致P型管的導(dǎo)通電阻大于N型管，且價(jià)格更昂貴。P型管與N型管參數(shù)也不容易做到對稱，在集成電路中也是一樣，因此在例如推挽這種電路中，上升時(shí)間與下降時(shí)間會(huì)存在區(qū)別。3、上圖是MOS管等效模型，由于制作工藝問題，在3個(gè)管腳之間均存在寄生電容，它影響了MOS的開關(guān)特性，具體下面講解。4、如上圖所示，在DS之間存在一個(gè)寄生二極管，叫做體二極管，在集成電路中并不存在。當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，體二極管可以作為續(xù)流二極管存在，驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)很重要。 MOS管和晶體三極管相比的重要特性。云南MOS管工廠

什么是mos管，mos管有哪些作用，如何正確認(rèn)識mos管？成都汽車MOS管

MOS管集成電路的性能及特點(diǎn)

4.輸入阻抗高M(jìn)OS管集成電路的輸入端一般都是由保護(hù)二極管和串聯(lián)電阻構(gòu)成的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)，故比一般場效應(yīng)管的輸入電阻稍小，但在正常工作電壓范圍內(nèi)，這些保護(hù)二極管均處于反向偏置狀態(tài)，直流輸入阻抗取決于這些二極管的泄露電流，通常情況下，等效輸入阻抗高達(dá)103~1011Ω，因此MOS管集成電路幾乎不消耗驅(qū)動(dòng)電路的功率。

5.溫度穩(wěn)定性能好由于MOS管集成電路的功耗很低，內(nèi)部發(fā)熱量少，而且，MOS管電路線路結(jié)構(gòu)和電氣參數(shù)都具有對稱性，在溫度環(huán)境發(fā)生變化時(shí)，某些參數(shù)能起到自動(dòng)補(bǔ)償作用，因而MOS管集成電路的溫度特性非常好。一般陶瓷金屬封裝的電路，工作溫度為-55~+125℃;塑料封裝的電路工作溫度范圍為-45~+85℃。

6. 扇出能力強(qiáng)扇出能力是用電路輸出端所能帶動(dòng)的輸入端數(shù)來表示的。由于MOS管集成電路的輸入阻抗極高，因此電路的輸出能力受輸入電容的限制，但是，當(dāng)MOS管集成電路用來驅(qū)動(dòng)同類型，如不考慮速度，一般可以驅(qū)動(dòng)50個(gè)以上的輸入端。 成都汽車MOS管