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云南汽車級MOS管現(xiàn)貨

來源: 發(fā)布時間:2023-11-29

    MOS管介紹1、場效應(yīng)管(FET)主要包括結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET);絕緣柵型場效應(yīng)管包括增強(qiáng)型和耗盡型兩種;增強(qiáng)型和耗盡型分別包括N型和P型兩種。我們常用的場效應(yīng)管一般是指增強(qiáng)型絕緣柵型場效應(yīng)管,簡稱MOS管。2、對于較常用的兩種MOS管,N型與P型,一般N型管使用場景更廣。這是因為制造工藝不同,導(dǎo)致P型管的導(dǎo)通電阻大于N型管,且價格更昂貴。P型管與N型管參數(shù)也不容易做到對稱,在集成電路中也是一樣,因此在例如推挽這種電路中,上升時間與下降時間會存在區(qū)別。3、上圖是MOS管等效模型,由于制作工藝問題,在3個管腳之間均存在寄生電容,它影響了MOS的開關(guān)特性,具體下面講解。4、如上圖所示,在DS之間存在一個寄生二極管,叫做體二極管,在集成電路中并不存在。當(dāng)MOS管驅(qū)動感性負(fù)載時,體二極管可以作為續(xù)流二極管存在,驅(qū)動感性負(fù)載時很重要。 N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理。云南汽車級MOS管現(xiàn)貨

MOS管的特性1、開關(guān)特性。MOS管是壓控器件,作為開關(guān)時,NMOS只要滿足Vgs>Vgs(th)即可導(dǎo)通,PMOS只要滿足Vgs2、開關(guān)損耗。MOS的損耗主要包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通損耗是由于導(dǎo)通后存在導(dǎo)通電阻而產(chǎn)生的,一般導(dǎo)通電阻都很小。開關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進(jìn)入夾斷區(qū)的過程中,也就是MOS處于恒流區(qū)時所產(chǎn)生的損耗。開關(guān)損耗遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。減小損耗通常有兩個方法,一是縮短開關(guān)時間,二是降低開關(guān)頻率。3、由壓控所導(dǎo)致的的開關(guān)特性。由于制作工藝的限制,NMOS的使用場景要遠(yuǎn)比PMOS多,因此在將更適合于高驅(qū)動的PMOS替換成NMOS時便出現(xiàn)了問題。當(dāng)MOS導(dǎo)通時,Vs=Vd=Vdd,此時要保持MOS的導(dǎo)通,就需要Vg>Vdd。在功率驅(qū)動電路中,MOS經(jīng)常開關(guān)的是電源電壓,或者說是系統(tǒng)中達(dá)到闕值電壓,此時要保證MOS的導(dǎo)通就需要額外升壓提供Vg。4、在寬電壓的應(yīng)用場景中,柵極的控制電壓很多時候是不確定的,為了保證MOS管的安全工作,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來限制柵極的控制電壓。當(dāng)驅(qū)動電壓大于穩(wěn)壓管電壓時,會額外增加管子的功耗。如果柵極控制電壓不足時,則會導(dǎo)致管子開關(guān)不徹底,也會增加管子功耗。 四川汽車級MOS管廠家當(dāng)MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時發(fā)生的情況。

無二次擊穿;由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會導(dǎo)致集電極電流上升(正的溫度~電流特性)的現(xiàn)象,而集電極電流的上升又會導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升,溫度進(jìn)一步的上升,更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降,這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降會導(dǎo)致晶體三極管的擊穿,這是一種導(dǎo)致電視機(jī)開關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象,也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度~電流特性,即當(dāng)管溫度(或環(huán)境溫度)上升時,溝道電流IDS反而下降。例如;一只IDS=10A的MOSFET開關(guān)管,當(dāng)VGS控制電壓不變時,在250C溫度下IDS=3A,當(dāng)芯片溫度升高為1000C時,IDS降低到2A,這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性,使之不會產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。也就是MOS管沒有二次擊穿現(xiàn)象,可見采用MOS管作為開關(guān)管,其開關(guān)管的損壞率大幅度的降低,近兩年電視機(jī)開關(guān)電源采用MOS管代替過去的普通晶體三極管后,開關(guān)管損壞率大幅度降低也是一個極好的證明。

MOS管的英文全稱叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor),即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此,MOS管有時被稱為絕緣柵場效應(yīng)管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOS管的構(gòu)造在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個電極,分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅(Si02)絕緣層膜,在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極,作為柵極G。這就構(gòu)成了一個N溝道(NPN型)增強(qiáng)型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。 mos管柵極和源極電壓一樣嘛?

P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管原理:P溝道增強(qiáng)型MOS管9因在N型襯底中生成P型反型層而得名,其通過光刻、擴(kuò)散的方法或其他手段,在N型襯底(基片)上制作出兩個摻雜的P區(qū),分別引出電極(源極S和漏極D),同時在漏極與源極之間的SiO2絕緣層上制作金屬柵極GQ。其結(jié)構(gòu)和工作原理與N溝道MOS管類似;只是使用的柵-源和漏-源電壓極性與N溝道MOS管相反。在正常工作時,P溝道增強(qiáng)型MOS管的襯底必須與源極相連,而漏極對源極的電壓VDS應(yīng)為負(fù)值,以保證兩個P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏,同時為了在襯底頂表面附近形成導(dǎo)電溝道,柵極對源極的電壓也應(yīng)為負(fù)。 mos管有幾種類型各有什么特點?四川汽車級MOS管廠家

mos管三個工作狀態(tài)條件。云南汽車級MOS管現(xiàn)貨

MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同,N溝道的類似NPN晶體三極管,漏極D接正極,源極S接負(fù)極,柵極G正電壓時導(dǎo)電溝道建立,N溝道MOS管開始工作。同樣P道的類似PNP晶體三極管,漏極D接負(fù)極,源極S接正極,柵極G負(fù)電壓時,導(dǎo)電溝道建立,P溝道MOS管開始工作。MOS管和普通的晶體三極管相比,有以上四項優(yōu)點,就足以使MOS管在開關(guān)運用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管。目前的技術(shù)MOS管道VDS能做到1000V,只能作為開關(guān)電源的開關(guān)管應(yīng)用,隨著制造工藝的不斷進(jìn)步,VDS的不斷提高,取代顯像管電視機(jī)的行輸出管也是近期能實現(xiàn)的。 云南汽車級MOS管現(xiàn)貨

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