原子力顯微鏡，堪稱納米尺度下微觀世界探索的一把利刃，在材料科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)等前沿領(lǐng)域發(fā)揮著無可替代的重要作用。它能夠?qū)ξ⒂^形貌進行觀測，并細(xì)致地測量力學(xué)性能，為科研工作者打開了通往微觀世界的大門。然而，這一精密儀器對環(huán)境條件極為敏感。即便是極其微小的溫度波動，哪怕只有零點幾攝氏度的變化，都會對其關(guān)鍵部件 —— 微懸臂產(chǎn)生影響。微懸臂會因熱脹冷縮效應(yīng)，改變自身的共振頻率與彈性系數(shù)，使得測量力與位移的精度大幅下降，難以探測樣品表面的原子級細(xì)微起伏。在濕度方面，高濕度環(huán)境同樣是個棘手的難題。此時，水汽極易在針尖與樣品之間悄然凝結(jié)，額外增加的毛細(xì)作用力，會嚴(yán)重干擾測量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。不僅如此，水汽長期作用還可能腐蝕微懸臂，極大地縮短儀器的使用壽命，給科研工作帶來諸多阻礙。精密環(huán)境控制設(shè)備內(nèi)部壓力波動極小，穩(wěn)定在 +/-3Pa。上海電子顯微鏡溫濕度

在光學(xué)鏡片研磨這一精細(xì)入微的工藝?yán)?，溫濕度波動無疑是如影隨形的 “大敵”，對鏡片質(zhì)量的影響堪稱致命。就研磨設(shè)備而言，即便是零點幾攝氏度的細(xì)微溫度變化，也會迅速讓研磨盤與鏡片材料的熱膨脹系數(shù)差異暴露無遺。這一差異會直接導(dǎo)致鏡片在研磨過程中受力不均，研磨效果參差不齊，鏡片的曲率精度因此大打折扣，進而嚴(yán)重影響其光學(xué)性能。而當(dāng)處于高濕度環(huán)境時，空氣中彌漫的水汽就像隱匿的破壞者，極易在鏡片表面悄然凝結(jié)成水漬。這些水漬會在后續(xù)鍍膜工藝中成為棘手難題，極大地干擾鍍膜均勻性，致使鏡片的透過率和抗反射能力雙雙下滑，成品鏡片根本無法契合光學(xué)儀器所要求的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。上海電子顯微鏡溫濕度主要由設(shè)備主柜體、控制系統(tǒng)、氣流循環(huán)系統(tǒng)、潔凈過濾器、制冷(熱)系統(tǒng)、照明系統(tǒng)、局部氣浴等組成。

激光干涉儀以其納米級別的測量精度，在半導(dǎo)體制造、精密機械加工等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，它對環(huán)境變化極為敏感，溫度、濕度的微小波動以及空氣潔凈度的差異，都可能干擾激光的傳播路徑與干涉效果，致使測量結(jié)果出現(xiàn)偏差。精密環(huán)控柜的超高精度溫度控制，能將溫度波動控制在極小區(qū)間，如關(guān)鍵區(qū)域 ±2mK（靜態(tài)），同時確保濕度穩(wěn)定性可達 ±0.5%@8h，并且實現(xiàn)百級以上潔凈度控制，為激光干涉儀提供穩(wěn)定、潔凈的測量環(huán)境，保障其測量精度不受外界因素干擾。光譜分析儀用于分析物質(zhì)的光譜特性，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料檢測、化學(xué)分析等領(lǐng)域。在工作時，外界環(huán)境的不穩(wěn)定可能導(dǎo)致儀器內(nèi)部光學(xué)元件的性能變化，影響光譜的采集與分析精度。精密環(huán)控柜通過調(diào)控溫濕度，避免因溫度變化使光學(xué)元件熱脹冷縮產(chǎn)生變形，以及因濕度異常造成的鏡片霉變、光路散射等問題。其穩(wěn)定的環(huán)境控制能力，保證光譜分析儀能夠準(zhǔn)確、可靠地分析物質(zhì)光譜，為科研與生產(chǎn)提供數(shù)據(jù)支持。

光刻設(shè)備對溫濕度的要求也極高，光源發(fā)出的光線需經(jīng)過一系列復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)聚焦到硅片表面特定區(qū)域，以實現(xiàn)對光刻膠的曝光，將設(shè)計好的電路圖案印制上去。當(dāng)環(huán)境溫度出現(xiàn)極其微小的波動，哪怕只是零點幾攝氏度的變化，光刻機內(nèi)部的精密光學(xué)元件就會因熱脹冷縮特性而產(chǎn)生細(xì)微的尺寸改變。這些光學(xué)元件包括鏡片、反射鏡等，它們的微小位移或形狀變化，會使得光路發(fā)生偏差。原本校準(zhǔn)、聚焦于硅片特定坐標(biāo)的光線，就可能因為光路的改變而偏離預(yù)定的曝光位置，出現(xiàn)曝光位置的漂移。在超高水準(zhǔn)潔凈度控制下，該系統(tǒng)設(shè)備工作區(qū)呈現(xiàn)高潔凈度，可優(yōu)于 ISOclass3。

我司憑借深厚的技術(shù)積累，自主研發(fā)出高精密控溫技術(shù)，精度高達 0.1% 的控制輸出。溫度波動值可實現(xiàn)±0.1℃、±0.05℃、±0.01℃、±0.005℃、±0.002℃等精密環(huán)境控制。該系統(tǒng)潔凈度可實現(xiàn)百級、十級、一級。關(guān)鍵區(qū)域 ±5mK（靜態(tài)）的溫度穩(wěn)定性，以及均勻性小于 16mK/m 的內(nèi)部溫度規(guī)格，為諸如芯片研發(fā)這類對溫度極度敏感的項目，打造了近乎完美的溫場環(huán)境，保障實驗數(shù)據(jù)不受溫度干擾。同時，設(shè)備內(nèi)部濕度穩(wěn)定性可達±0.5%@8h，壓力穩(wěn)定性可達+/-3Pa，長達 144h 的連續(xù)穩(wěn)定工作更是讓長時間實驗和制造無后顧之憂。在潔凈度方面，實現(xiàn)百級以上潔凈度控制，工作區(qū)潔凈度優(yōu)于 ISO class3，確保實驗結(jié)果的準(zhǔn)確性與可靠性，也保障了精密儀器的正常工作和使用壽命。精密環(huán)控柜為光刻、干法刻蝕、沉積、表征和其他常見加工設(shè)備提供穩(wěn)定溫濕度、潔凈度、防噪音、抗微震條件。高精度溫濕度均勻性

設(shè)備內(nèi)部壓力穩(wěn)定性可達 +/-3Pa。上海電子顯微鏡溫濕度

刻蝕的目的在于去除硅片上不需要的材料，從而雕琢出精細(xì)的電路結(jié)構(gòu)。在這一精細(xì)操作過程中，溫度的波動都會如同“蝴蝶效應(yīng)”般，干擾刻蝕速率的均勻性。當(dāng)溫度不穩(wěn)定時，硅片不同部位在相同時間內(nèi)所經(jīng)歷的刻蝕程度將參差不齊，有的地方刻蝕過度，有的地方刻蝕不足，直接破壞芯片的電路完整性，嚴(yán)重影響芯片性能。濕度方面，一旦出現(xiàn)不穩(wěn)定狀況，刻蝕環(huán)境中的水汽會與刻蝕氣體發(fā)生復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng)，生成一些難以預(yù)料的雜質(zhì)。這些雜質(zhì)可能會附著在芯片表面，或是嵌入剛剛刻蝕形成的微觀電路結(jié)構(gòu)中，給芯片質(zhì)量埋下深深的隱患，后續(xù)即便經(jīng)過多道清洗工序，也難以徹底根除這些隱患帶來的負(fù)面影響。上海電子顯微鏡溫濕度