閃存HTOL測試方法與流程本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存htol測試方法。背景技術(shù)：閃存(flashmemory)是一種非易失性的存儲器，其具有即使斷電存儲數(shù)據(jù)也不會丟失而能夠長期保存的特點(diǎn)。故近年來閃存的發(fā)展十分迅速，并且具有高集成度、高存儲速度和高可靠性的閃存存儲器被廣泛應(yīng)用于包括電腦、手機(jī)、服務(wù)器等電子產(chǎn)品及設(shè)備中。在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，htol(hightemperatureoperatinglifetest，高溫操作生命期試驗)用于評估半導(dǎo)體器件在超熱和超電壓情況下一段時間的耐久力。對于閃存的可靠性而言，在數(shù)萬次的循環(huán)之后的htol是一個主要指數(shù)。通常而言，閃存產(chǎn)品需要在10000次的循環(huán)之后，通過1000小時的htol測試。閃存htol實(shí)際測試中存在若干小時后閃存測試讀點(diǎn)(例如讀“0”)失效，亟需解決閃存htol測試中讀點(diǎn)失效的問題。TH801智能老化系統(tǒng)，監(jiān)測數(shù)據(jù)異常自動報警，實(shí)時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅度提高HTOL效率。閔行區(qū)國內(nèi)HTOL測試機(jī)

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第二時間點(diǎn)讀點(diǎn)、第三時間點(diǎn)讀點(diǎn)至第n時間點(diǎn)讀點(diǎn)。在每個時間點(diǎn)讀點(diǎn)過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。具體的，在閃存(例如norflash)產(chǎn)品htol可靠性驗證的階段的測試流程例如依次為：初始(***時間點(diǎn))讀點(diǎn)、48小時(第二時間點(diǎn))讀點(diǎn)、168小時(第三時間點(diǎn))讀點(diǎn)、500小時(第四時間點(diǎn))讀點(diǎn)、1000小時(第n時間點(diǎn))讀點(diǎn)。本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)而直接進(jìn)行htol測試時，發(fā)現(xiàn)閃存htol可靠性驗證在48小時(hrs)讀點(diǎn)失效。

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