htonl()簡(jiǎn)述：將主機(jī)的無(wú)符號(hào)長(zhǎng)整形數(shù)轉(zhuǎn)換成網(wǎng)絡(luò)字節(jié)順序。#include<arpa/(uint32_thostlong);hostlong：主機(jī)字節(jié)順序表達(dá)的32位數(shù)。注釋?zhuān)罕竞瘮?shù)將一個(gè)32位數(shù)從主機(jī)字節(jié)順序轉(zhuǎn)換成網(wǎng)絡(luò)字節(jié)順序。返回值：htonl()返回一個(gè)網(wǎng)絡(luò)字節(jié)順序的值。參見(jiàn)：htons(),ntohl(),ntohs().在Linux系統(tǒng)下：#include<arpa/(uint32_thostlong);相關(guān)函數(shù)：uint16_thtons(uint16_thostshort);uint32_tntohl(uint32_tnetlong);uint16_tntohs(uint16_tnetshort);網(wǎng)際協(xié)議在處理這些多字節(jié)整數(shù)時(shí)，使用大端字節(jié)序。在主機(jī)本身就使用大端字節(jié)序時(shí)，這些函數(shù)通常被定義為空宏?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「gocpplua」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。 上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，隨時(shí)導(dǎo)出測(cè)試數(shù)據(jù)，簡(jiǎn)化可靠性測(cè)試溯源問(wèn)題。怎樣選擇HTOL測(cè)試機(jī)專(zhuān)賣(mài)

高效率HTOL自研設(shè)備，高質(zhì)量HTOL品質(zhì)保障，低成本HTOL測(cè)試方案。上海頂策科技有限公司TH801智能一體化老化測(cè)試機(jī)，自主研發(fā)在線(xiàn)實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)，通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可以實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高HTOL效率，節(jié)省更多時(shí)間、FA成本，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問(wèn)題更容易分析，更有追溯性；有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報(bào)告更有說(shuō)服力，下游客戶(hù)更放心。可靠性測(cè)試事業(yè)部提供可靠性測(cè)試整體解決方案，包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備，以及測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，可以滿(mǎn)足各類(lèi)芯片可靠性測(cè)試需求。智能HTOL測(cè)試機(jī)型號(hào)上海頂策科技有限公司自主研發(fā)智能HTOL測(cè)試機(jī)TH801實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)確保芯片處于正常狀態(tài)，保證HTOL測(cè)試質(zhì)量。

    3.試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法備注JESD22-A108F-20171.應(yīng)力持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合要求，在必要時(shí)進(jìn)行測(cè)量；2.如果制造商提供了驗(yàn)證數(shù)據(jù)，不需要在偏置下進(jìn)行冷卻。中斷偏置1min，不應(yīng)認(rèn)為消除了偏置。1.測(cè)量所用時(shí)間不應(yīng)納入器件試驗(yàn)時(shí)間；2.偏置指電源對(duì)引腳施加的電壓。，一般在老化結(jié)束96h內(nèi)進(jìn)行；2.在消除偏置之前，器件在室溫下冷卻到穩(wěn)定狀態(tài)的10℃以?xún)?nèi)。如果應(yīng)力消失，則試驗(yàn)時(shí)間延長(zhǎng)。GJB548B-2015方法：1.四種標(biāo)準(zhǔn)都保證了器件高溫工作時(shí)間的完整性?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。

本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標(biāo)號(hào)如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質(zhì)層；106-控制柵；107-側(cè)墻；具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測(cè)試方法，以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精細(xì)的比例，*用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖，上海頂策科技的HTOL測(cè)試機(jī)TH801，自有發(fā)明專(zhuān)利的智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線(xiàn)實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)。

    芯片可靠性測(cè)試（HTOL）HTOL(HighTemperatureOperatingLife)是芯片可靠性的一項(xiàng)關(guān)鍵性的基礎(chǔ)測(cè)試，用應(yīng)力（電壓、溫度等拉偏）加速的方式模擬芯片的長(zhǎng)期運(yùn)行，評(píng)估芯片壽命和長(zhǎng)期上電運(yùn)行的可靠性。廣電計(jì)量服務(wù)內(nèi)容：老化方案開(kāi)發(fā)測(cè)試硬件設(shè)計(jì)ATE開(kāi)發(fā)調(diào)試可靠性試驗(yàn)HTOL試驗(yàn)方案：在要求點(diǎn)(如0、168、500、1000hr)進(jìn)行ATE測(cè)試，確定芯片是否OK,記錄每顆芯片的關(guān)鍵參數(shù)，并分析老化過(guò)程中的變化。對(duì)芯片覆蓋率要求如：CPU/DSP/MCU/logic：ATPG的stuck-atfaultcoverage＞70％。MemoryBIST:覆蓋所有memory。3、模擬電路：覆蓋PLL/AD/DA/SERDES等關(guān)鍵IP。 上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度，以及每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。國(guó)產(chǎn)HTOL測(cè)試機(jī)現(xiàn)貨

上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，擁有智能動(dòng)態(tài)在線(xiàn)實(shí)時(shí)檢測(cè)技術(shù)，同時(shí)一體化結(jié)合ATE與高溫老化爐。怎樣選擇HTOL測(cè)試機(jī)專(zhuān)賣(mài)

    GJB548B-2015方法，否則采用額定工作電壓S級(jí)**少時(shí)間有240h到120h共6個(gè)級(jí)別；B級(jí)**少時(shí)間160h到12h共10個(gè)級(jí)別；H級(jí)**少時(shí)間352h到80h共11級(jí)別；K級(jí)**少時(shí)間從700h到320h共6個(gè)級(jí)別。S級(jí)最低溫度從125℃到150℃共6個(gè)級(jí)別；B級(jí)別最低溫度從125℃到250℃；H級(jí)最低溫度從100℃到150℃；K級(jí)最低溫度從100℃到125℃?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 怎樣選擇HTOL測(cè)試機(jī)專(zhuān)賣(mài)