AEC-Q1001.對于非易失性存儲(chǔ)器樣品，在HTOL之前進(jìn)行預(yù)處理：等級(jí)0：150℃，1000h等級(jí)1：125℃，1000h等級(jí)2：105℃，1000h等級(jí)3：85℃，1000h2.各等級(jí)溫度對應(yīng)的時(shí)間是比較低要求，通過計(jì)算或測量獲取HTOL的Tj（結(jié)溫）；3.當(dāng)進(jìn)行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作溫度時(shí)的Tj，那么Tj可以代替Ta（環(huán)境溫度），但是要低于***比較大Tj；4.如果Tj被用來作為HTOL的條件，在Ta和1000h條件下的器件需要使用；(max)需要保證交直流參數(shù)?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 TH801智能老化系統(tǒng)，設(shè)備體積小，重量輕，功耗小，節(jié)能環(huán)保，干凈整潔，操作簡單，易于上手。金山區(qū)怎樣選擇HTOL測試機(jī)

涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等一條龍服務(wù)。擁有自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單科監(jiān)測技術(shù)的可靠性測試設(shè)備，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加信號(hào)，非常方便HTOLSetup，實(shí)時(shí)監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，以及每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測試質(zhì)量，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，讓報(bào)告更有說服力，下游客戶更放心。徐匯區(qū)HTOL測試機(jī)24小時(shí)服務(wù)上海頂策科技有限公司自成立以來，已經(jīng)為超過500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)、高效、低成本測試解決方案。

    芯片可靠性測試（HTOL）HTOL(HighTemperatureOperatingLife)是芯片可靠性的一項(xiàng)關(guān)鍵性的基礎(chǔ)測試，用應(yīng)力（電壓、溫度等拉偏）加速的方式模擬芯片的長期運(yùn)行，評估芯片壽命和長期上電運(yùn)行的可靠性。廣電計(jì)量服務(wù)內(nèi)容：老化方案開發(fā)測試硬件設(shè)計(jì)ATE開發(fā)調(diào)試可靠性試驗(yàn)HTOL試驗(yàn)方案：在要求點(diǎn)(如0、168、500、1000hr)進(jìn)行ATE測試，確定芯片是否OK,記錄每顆芯片的關(guān)鍵參數(shù)，并分析老化過程中的變化。對芯片覆蓋率要求如：CPU/DSP/MCU/logic：ATPG的stuck-atfaultcoverage＞70％。MemoryBIST:覆蓋所有memory。3、模擬電路：覆蓋PLL/AD/DA/SERDES等關(guān)鍵IP。

提供可靠性測試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測試需求。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測技術(shù)，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率，節(jié)省更多時(shí)間、FA成本，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，讓報(bào)告更有說服力，下游客戶更放心?？煽啃詼y試事業(yè)部提供可靠性測試整體解決方案，包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備，以及測試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測試實(shí)驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測試需求。TH801智能老化系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測試質(zhì)量。

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一種閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進(jìn)行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。具體的，待測閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測試過程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖，金山區(qū)怎樣選擇HTOL測試機(jī)