進(jìn)一步的,對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行編譯,包括:在所述源極上施加***編程電壓,在所述漏極上施加第二編程電壓,在所述控制柵上施加第三編程電壓,在所述襯底上施加第四編程電壓;其中,所述***編程電壓小于所述第二編程電壓;所述第二編程電壓小于所述第三編程電壓。進(jìn)一步的,所述***編程電壓的范圍為~0v,所述第二編程電壓的范圍為~,所述第三編程電壓的范圍為8v~10v,所述第四編程電壓的范圍為~-1v。進(jìn)一步的,編譯過(guò)程中的脈沖寬度為100μs~150μs。進(jìn)一步的,對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行擦除,包括:將所述源極和漏極均懸空,在所述控制柵上施加***擦除電壓,在所述襯底上施加第二擦除電壓;其中,所述***擦除電壓為負(fù)電壓,所述第二擦除電壓為正電壓。進(jìn)一步的,所述***擦除電壓的范圍為-10v~-8v,所述第二擦除電壓的范圍為8v~10v。進(jìn)一步的,擦除過(guò)程中的脈沖寬度為10ms~20ms。進(jìn)一步的,對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除,循環(huán)次數(shù)為10次~20次。進(jìn)一步的,對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試包括:對(duì)所述閃存依次進(jìn)行***時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第二時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第三時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)至第n時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)。
上海頂策科技有限公司,20年以上的豐富測(cè)試技術(shù)積累及運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn),擁有多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)。閔行區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)哪家好
1.試驗(yàn)?zāi)康臉?biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)?zāi)康膫渥ESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對(duì)于固態(tài)器件隨時(shí)間的影響。試驗(yàn)可以加速地模擬器件的運(yùn)行狀態(tài),主要用于器件的可靠性測(cè)試。本實(shí)驗(yàn)在較短時(shí)間內(nèi)對(duì)器件施加高溫偏置,通常也被稱為老化或老煉。,這些器件隨著時(shí)間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。GJB548B-2015方法,這些器件隨著時(shí)間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。AEC-Q100參照J(rèn)ESD220-A108F-2017————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。 閔行區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)哪家好上海頂策科技有限公司提供芯片可靠性測(cè)試一條龍解決方案。
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