HTOL的注意要點(diǎn)高溫工作壽命的測(cè)試條件主要遵循JESD22-A108進(jìn)行,除了給器件合適的偏置與負(fù)載外,主要包括溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力,這兩者都屬于加速因子。合理設(shè)置溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力,以便在合理的時(shí)間和成本下完成壽命評(píng)估。對(duì)于硅基產(chǎn)品,溫度應(yīng)力一般設(shè)置在結(jié)溫>=125℃,GaAs等其它耐高溫材料則可以設(shè)置更高的溫度,具體根據(jù)加速要求而定。但無(wú)論哪種材料,均需要結(jié)溫小于材料的極限工作溫度或者熱關(guān)斷(thermalshutdown)溫度。HTOL硬件的散熱設(shè)計(jì)有利于加速因子的提高,這樣可以節(jié)省試驗(yàn)時(shí)間。電壓應(yīng)力一般采用最高工作電壓進(jìn)行,如果需要提高加速度,則可以采用更高的電壓進(jìn)行試驗(yàn),但是無(wú)論電壓應(yīng)力還是溫度應(yīng)力都不允許器件處于過(guò)電應(yīng)力的狀態(tài)。 TH801智能老化系統(tǒng),監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)異常自動(dòng)報(bào)警,實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析,可以整體降低30~50%的成本。青浦區(qū)一體化HTOL測(cè)試機(jī)
在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過(guò)程為:將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷,若iref<i,則閃存讀出“1”;若iref>i,則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果:本發(fā)明所提供的閃存htol測(cè)試方法,對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試,所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失,以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量,從而使閃存htol讀“0”通過(guò),解決了閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問(wèn)題,提高閃存質(zhì)量。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖;圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除直接進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖;黃浦區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)哪家強(qiáng)集成電路動(dòng)態(tài)老化設(shè)備,上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)。
可靠性測(cè)試整體解決方案:可靠性設(shè)備,HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試試驗(yàn),滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬,數(shù)字,混合信號(hào),SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì),原理圖設(shè)計(jì),PCBlayout加工制作,老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試,可靠性測(cè)試試驗(yàn),出具可靠性報(bào)告等全方面服務(wù)。上海頂策科技有限公司,擁有20年以上的豐富測(cè)試技術(shù)積累及運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn),以及多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán),自成立以來(lái)已經(jīng)為超過(guò)500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量,高效率,低成本,一條龍測(cè)試解決方案!
上海頂策科技有限公司,提供可靠性測(cè)試整體解決方案,包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備,以及測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試試驗(yàn),滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī),實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度,以及每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù),確保芯片處于正常HTOL狀態(tài),保證HTOL測(cè)試質(zhì)量。通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析,大幅提高HTOL效率,節(jié)省更多時(shí)間、FA成本。全程數(shù)據(jù)記錄,讓HTOL問(wèn)題更容易分析,更有追溯性;有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄,讓報(bào)告更有說(shuō)服力,下游客戶更放心。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng),實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度,確保芯片處于正常HTOL狀態(tài),保證HTOL測(cè)試質(zhì)量。
芯片HTOL測(cè)試一條龍服務(wù),可靠性設(shè)備,HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試試驗(yàn),滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬,數(shù)字,混合信號(hào),SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì),原理圖設(shè)計(jì),PCBlayout加工制作,老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試,可靠性測(cè)試試驗(yàn),出具可靠性報(bào)告,上海頂策科技有限公司提供高質(zhì)量、高效率、低成本HTOL測(cè)試方案。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù),大幅度提高HTOL效率,節(jié)省更多時(shí)間、FA成本,全程數(shù)據(jù)記錄,讓HTOL問(wèn)題更容易分析,更有追溯性,有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄,讓報(bào)告更有說(shuō)服力,下游客戶更放心。上海頂策科技有限公司自主研發(fā)智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)TH801實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度。智能化HTOL測(cè)試機(jī)品牌排行榜
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閃存參考單元的隧穿氧化層103中會(huì)捕獲一些主要從生產(chǎn)工藝帶來(lái)的淺能級(jí)的空穴,在浮柵里面會(huì)注入所需要的電子。編譯過(guò)程中浮柵104可以捕獲電子,擦除過(guò)程中隧穿氧化層103會(huì)捕獲空穴;在經(jīng)過(guò)多次的編譯以及擦除后,會(huì)在浮柵104中有更多的電子,隧穿氧化層103中有更多的空**7中經(jīng)編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經(jīng)編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等,從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過(guò)程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級(jí)的空穴,這些深能級(jí)的空穴不容易移動(dòng),而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍,在htol測(cè)試過(guò)程中高溫下會(huì)比較容易丟失,從而補(bǔ)償了閃存參考單元從生產(chǎn)工藝帶來(lái)的淺能級(jí)的空穴在htol測(cè)試過(guò)程中的丟失。青浦區(qū)一體化HTOL測(cè)試機(jī)
上海頂策科技有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來(lái)、有夢(mèng)想有目標(biāo),有組織有體系的公司,堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來(lái)的道路上大放光明,攜手共畫(huà)藍(lán)圖,在上海市等地區(qū)的儀器儀表行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源,也收獲了良好的用戶口碑,為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ),也希望未來(lái)公司能成為*****,努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量,我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息,斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**上海頂策科技供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌,共創(chuàng)佳績(jī),一直以來(lái),公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針,員工精誠(chéng)努力,協(xié)同奮取,以品質(zhì)、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng),我們一直在路上!