快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過(guò)載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過(guò)載電流,因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力??焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以...
3、線路中各級(jí)熔斷器熔體額定電流要相應(yīng)配合,保持前一級(jí)熔體額定電流必須大于下一級(jí)熔體額定電流;4、熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體,不允許隨意加大熔體或用其他導(dǎo)體代替熔體。熔斷器巡視檢查:1、檢查熔斷器和熔體的額定值與被保護(hù)設(shè)備是否相配合;2、檢查熔斷器外...
從晶閘管的內(nèi)部分析工作過(guò)程:晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié),可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管.當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。中每個(gè)晶...
因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子,它與周?chē)墓柙有纬晒矁r(jià)鍵,因缺少一個(gè)電子,在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位,當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位,使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子,而原來(lái)的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子,形成了空穴,但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)...
光敏二極管,又叫光電二極管(英語(yǔ):photodiode )是一種能夠?qū)⒐飧鶕?jù)使用方式,轉(zhuǎn)換成電流或者電壓信號(hào)的光探測(cè)器。管芯常使用一個(gè)具有光敏特征的PN結(jié),對(duì)光的變化非常敏感,具有單向?qū)щ娦?,而且光?qiáng)不同的時(shí)候會(huì)改變電學(xué)特性,因此,可以利用光照強(qiáng)弱來(lái)改變電路中...
自復(fù)熔斷器是可多次動(dòng)作使用的熔斷器,在日本稱(chēng)為長(zhǎng)久熔斷器。在分?jǐn)噙^(guò)載或短路電流后瞬間,熔體能自動(dòng)恢復(fù)到原狀。自復(fù)熔斷器是可多次動(dòng)作使用的熔斷器,在日本稱(chēng)為長(zhǎng)久熔斷器。在分?jǐn)噙^(guò)載或短路電流后瞬間,熔體能自動(dòng)恢復(fù)到原狀 [1]。外殼由奧氏體不銹鋼制成,外殼中心埋有...
3、調(diào)節(jié)功率開(kāi)關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,開(kāi)關(guān)器件通斷快,開(kāi)關(guān)損耗?。环粗畡t慢,同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過(guò)快將使開(kāi)關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高,從而產(chǎn)生較大的干擾,嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無(wú)法工作,因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種...
測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都...
再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來(lái)命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。雙 向:Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端:Triode(取**...
(1)短路故障或過(guò)載運(yùn)行而正常熔斷;(2)熔體使用時(shí)間過(guò)久,熔體因受氧化或運(yùn)行中溫度高,使熔體特性變化而誤斷;(3)熔體安裝時(shí)有機(jī)械損傷,使其截面積變小而在運(yùn)行中引起誤斷。2、拆換熔體時(shí),要求做到:(1)安裝新熔體前,要找出熔體熔斷原因,未確定熔斷原因,不要拆...
熔斷器:1、熔斷器的主要優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)(1)選擇性好。上下級(jí)熔斷器的熔斷體額定電流只要符合國(guó)標(biāo)和IEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的過(guò)電流選擇比為1.6:1 的要求,即上級(jí)熔斷體額定電流不小于下級(jí)的該值的1.6 倍,就視為上下級(jí)能有選擇性切斷故障電流;(2)限流特性好,分?jǐn)嗄芰Ω?;?..
90年代中期,溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT,它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來(lái)的硅干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)的新刻蝕工藝,但仍然是穿通(PT)型芯片結(jié)構(gòu)。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中,實(shí)現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時(shí)間之間折衷的更重要的改進(jìn)。硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急...
因此,在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和五價(jià)雜質(zhì)元素,便形成了P型區(qū)和N型區(qū),根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性,可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散,它們的擴(kuò)散使原來(lái)交界處的電中性被破壞。 [6]PN...
光敏二極管是將光信號(hào)變成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。它的**部分也是一個(gè)PN結(jié),和普通二極管相比,在結(jié)構(gòu)上不同的是,為了便于接受入射光照,PN結(jié)面積盡量做的大一些,電極面積盡量小些,而且PN結(jié)的結(jié)深很淺,一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒(méi)有光照時(shí)...
快速熔斷器的結(jié)構(gòu)熔斷器由磁殼、導(dǎo)電板、熔體、石英砂、消弧劑、指示器六部分組成。熔體的材質(zhì)為純銀,形狀為矩形薄片,且具有圓孔狹頸 [1]??焖偃蹟嗥鞯臏缁≡砜焖偃蹟嗥鞯娜垠w是由純銀制成的,由于純銀的電阻率低、延展性好、化學(xué)穩(wěn)定性好,因此快速熔斷器的熔體可做成薄...
測(cè)量靜態(tài)測(cè)量:把萬(wàn)用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大; 表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此...
快速熔斷器:快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過(guò)載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過(guò)載電流,因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力??焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以銀片沖制的有V形深...
額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示...
電子電路應(yīng)用二極管幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導(dǎo)體二極管。半導(dǎo)體二極管在電路中的使用能夠起到保護(hù)電路,延長(zhǎng)電路壽命等作用。半導(dǎo)體二極管的發(fā)展,使得集成電路更加優(yōu)化,在各個(gè)領(lǐng)域都起到了積極的作用。二極管在集成電路中的作用很多,維持著集成電路正常工作。下面簡(jiǎn)...
N溝型的 IGBT工作是通過(guò)柵極-發(fā)射極間加閥值電壓VTH以上的(正)電壓,在柵極電極正下方的p層上形成反型層(溝道),開(kāi)始從發(fā)射極電極下的n-層注入電子。該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子,從集電極襯底p+層開(kāi)始流入空穴,進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制(雙極工作),所以可...
fsw max. : 比較高開(kāi)關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門(mén)極電壓差時(shí)的 IGBT門(mén)極總電荷RG extern : IGBT 外部的門(mén)極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門(mén)極電阻但是實(shí)際上在很多情況下,數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門(mén)極電荷參數(shù)...
2. 額定電壓:熔斷器所在電路中的最高電壓不應(yīng)超過(guò)熔斷器的額定電壓。3.額定電流:通過(guò)熔斷器的工作電流不應(yīng)超過(guò)額定電流的75%。4. 短路截流能力:熔斷器所在的電路中可能出現(xiàn)的最大短路電流不應(yīng)超過(guò)熔斷器的短路截流能力。5. 熔斷特性:熔斷器在出現(xiàn)需要切斷的過(guò)載...
Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如,常見(jiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負(fù)電壓-9V,則U=24V,假設(shè) F=10KHz,Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,柵極電阻應(yīng)選取2W電阻,或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻...
(2)限幅電路在電子電路中,常用限幅電路對(duì)各種信號(hào)進(jìn)行處理。它是用來(lái)讓信號(hào)在預(yù)置的電平范圍內(nèi),有選擇地傳輸一部分信號(hào)。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用,但有些時(shí)候需要用到**限幅二極管,如保護(hù)儀表時(shí)。 [6](3)穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管,它是一...
常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。 圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱(chēng)為源區(qū),附于其上的電極稱(chēng)為源極。N+ 區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱(chēng)為柵極。...
(3)部分?jǐn)嗦菲鞣謹(jǐn)嗄芰^小,如額定電流較小的斷路器裝設(shè)在靠近大容量變壓器位置時(shí),會(huì)使分?jǐn)嗄芰Σ粔颉,F(xiàn)有高分?jǐn)嗄芰Φ漠a(chǎn)品可以滿(mǎn)足,但價(jià)較高。選擇型斷路器:1、主要優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)(1)具有非選擇性斷路器上述各項(xiàng)優(yōu)點(diǎn);(2)具有多種保護(hù)功能,有長(zhǎng)延時(shí)、瞬時(shí)、短延時(shí)和接...
雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類(lèi)似,但因雙向可控硅能雙向?qū)?在正負(fù)半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點(diǎn),更方便交流功率控制。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱(chēng)為電角度...
2023年5月,新加坡—麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學(xué)家開(kāi)發(fā)了世界上**小的LED。 發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱(chēng)為L(zhǎng)ED。由含鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見(jiàn)光,因而可以用來(lái)制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈...
(2)限幅電路在電子電路中,常用限幅電路對(duì)各種信號(hào)進(jìn)行處理。它是用來(lái)讓信號(hào)在預(yù)置的電平范圍內(nèi),有選擇地傳輸一部分信號(hào)。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用,但有些時(shí)候需要用到**限幅二極管,如保護(hù)儀表時(shí)。 [6](3)穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管,它是一...
低壓熔斷器(low voltage fuse)是2020年公布的電力名詞。低壓熔斷器***用于低壓供配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)中,主要用于短路保護(hù),有時(shí)也可用于過(guò)載保護(hù)。熔斷器串聯(lián)在電路中,當(dāng)電路發(fā)生短路或嚴(yán)重過(guò)載時(shí),熔斷器中的熔體將自動(dòng)熔斷,從而切斷電路,起到保護(hù)作...