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企業(yè)商機(jī)-茵菲菱新能源(上海)有限公司
  • 浦東新區(qū)銷售熔斷器聯(lián)系人
    浦東新區(qū)銷售熔斷器聯(lián)系人

    低壓熔斷器(low voltage fuse)是2020年公布的電力名詞。低壓熔斷器***用于低壓供配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)中,主要用于短路保護(hù),有時(shí)也可用于過(guò)載保護(hù)。熔斷器串聯(lián)在電路中,當(dāng)電路發(fā)生短路或嚴(yán)重過(guò)載時(shí),熔斷器中的熔體將自動(dòng)熔斷,從而切斷電路,起到保護(hù)作...

    2025-05-17
  • 閔行區(qū)質(zhì)量IGBT模塊費(fèi)用
    閔行區(qū)質(zhì)量IGBT模塊費(fèi)用

    這次從穿通(PT)型技術(shù)先進(jìn)到非穿通(NPT)型技術(shù),是**基本的,也是很重大的概念變化。這就是:穿通(PT)技術(shù)會(huì)有比較高的載流子注入系數(shù),而由于它要求對(duì)少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞。另一方面,非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有...

    2025-05-17
  • 長(zhǎng)寧區(qū)進(jìn)口晶閘管廠家現(xiàn)貨
    長(zhǎng)寧區(qū)進(jìn)口晶閘管廠家現(xiàn)貨

    至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流,各個(gè)廠家的**含義如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F(xiàn)=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,型號(hào)沒(méi)有后綴字母之觸發(fā)電流,通常為25-35mA;PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒(méi)有統(tǒng)一的...

    2025-05-17
  • 嘉定區(qū)如何熔斷器聯(lián)系人
    嘉定區(qū)如何熔斷器聯(lián)系人

    安秒特性:熔斷器的動(dòng)作是靠熔體的熔斷來(lái)實(shí)現(xiàn)的,熔斷器有個(gè)非常明顯的特性,就是安秒特性。熔斷器(圖6)對(duì)熔體來(lái)說(shuō),其動(dòng)作電流和動(dòng)作時(shí)間特性即熔斷器的安秒特性,也叫反時(shí)延特性,即:過(guò)載電流小時(shí),熔斷時(shí)間長(zhǎng);過(guò)載電流大時(shí),熔斷時(shí)間短。對(duì)安秒特性的理解,我們從焦耳定律...

    2025-05-17
  • 青浦區(qū)質(zhì)量IGBT模塊品牌
    青浦區(qū)質(zhì)量IGBT模塊品牌

    門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來(lái)表示,它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響,但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值,在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用...

    2025-05-17
  • 楊浦區(qū)質(zhì)量晶閘管設(shè)計(jì)
    楊浦區(qū)質(zhì)量晶閘管設(shè)計(jì)

    (二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅??煽毓栝_關(guān)(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅...

    2025-05-17
  • 浦東新區(qū)質(zhì)量二極管供應(yīng)商
    浦東新區(qū)質(zhì)量二極管供應(yīng)商

    當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng),形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。 [5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí),PN結(jié)空間電...

    2025-05-16
  • 浦東新區(qū)進(jìn)口熔斷器供應(yīng)商
    浦東新區(qū)進(jìn)口熔斷器供應(yīng)商

    在正常工作情況下,電流可以從引線端子A進(jìn)入,通過(guò)瓷心細(xì)孔內(nèi)的金屬鈉,傳導(dǎo)到不銹鋼外殼,并由出線端子B引出。當(dāng)短路電流通過(guò)熔斷器時(shí),短路電流將瓷心細(xì)孔部分的金屬鈉迅速加熱,使之由固體變成高溫高壓狀態(tài)的等離子體蒸氣,電阻率迅速增加,從而對(duì)短路電流起強(qiáng)烈的限流作用,...

    2025-05-16
  • 寶山區(qū)質(zhì)量熔斷器設(shè)計(jì)
    寶山區(qū)質(zhì)量熔斷器設(shè)計(jì)

    斷路器是指能夠關(guān)合、承載和開斷正?;芈窏l件下的電流并能在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)關(guān)合、承載和開斷異常回路條件下的電流的開關(guān)裝置。斷路器按其使用范圍分為高壓斷路器與低壓斷路器,高低壓界線劃分比較模糊,一般將3kV以上的稱為高壓電器。斷路器可用來(lái)分配電能,不頻繁地啟動(dòng)異步電動(dòng)...

    2025-05-16
  • 嘉定區(qū)質(zhì)量熔斷器報(bào)價(jià)
    嘉定區(qū)質(zhì)量熔斷器報(bào)價(jià)

    路器一般由觸頭系統(tǒng)、滅弧系統(tǒng)、操作機(jī)構(gòu)、脫扣器、外殼等構(gòu)成。當(dāng)短路時(shí),大電流(一般10至12倍)產(chǎn)生的磁場(chǎng)克服反力彈簧,脫扣器拉動(dòng)操作機(jī)構(gòu)動(dòng)作,開關(guān)瞬時(shí)跳閘。當(dāng)過(guò)載時(shí),電流變大,發(fā)熱量加劇,雙金屬片變形到一定程度推動(dòng)機(jī)構(gòu)動(dòng)作(電流越大,動(dòng)作時(shí)間越短)。有電子型...

    2025-05-16
  • 普陀區(qū)品牌晶閘管銷售價(jià)格
    普陀區(qū)品牌晶閘管銷售價(jià)格

    (四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。常用可控硅的封...

    2025-05-16
  • 寶山區(qū)選擇熔斷器設(shè)計(jì)
    寶山區(qū)選擇熔斷器設(shè)計(jì)

    3、熔斷器應(yīng)與配電裝置同時(shí)進(jìn)行維修工作:(1)清掃灰塵,檢查接觸點(diǎn)接觸情況;(2)檢查熔斷器外觀(取下熔斷器管)有無(wú)損傷、變形,瓷件有無(wú)放電閃爍痕跡;(3)檢查熔斷器,熔體與被保護(hù)電路或設(shè)備是否匹配,如有問(wèn)題應(yīng)及時(shí)調(diào)查;(4)注意檢查在TN接地系統(tǒng)中的N線,設(shè)...

    2025-05-16
  • 楊浦區(qū)品牌熔斷器報(bào)價(jià)
    楊浦區(qū)品牌熔斷器報(bào)價(jià)

    1、英標(biāo)熔斷器英式熔斷器主要用于英聯(lián)邦國(guó)家生產(chǎn)的設(shè)備。英標(biāo)熔斷器殼體采用陶瓷材質(zhì),產(chǎn)品具有體積小、性價(jià)比高等特點(diǎn),特別受到240V以下的UPS廠商青睞。2、美標(biāo)熔斷器美式熔斷器應(yīng)用**為***,涵蓋了大部分電力電子產(chǎn)品應(yīng)用。美標(biāo)熔斷器殼體采用三聚氰胺網(wǎng)格布加陶...

    2025-05-16
  • 普陀區(qū)選擇晶閘管供應(yīng)商
    普陀區(qū)選擇晶閘管供應(yīng)商

    維持電流: IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高, 則 IH 越小。 [1]·電壓上升率的**: dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。由于可控硅的...

    2025-05-16
  • 浦東新區(qū)哪里IGBT模塊報(bào)價(jià)
    浦東新區(qū)哪里IGBT模塊報(bào)價(jià)

    導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小,使通態(tài)壓降小。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí),溝道被禁止,沒(méi)有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下,如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降,集電極電流則逐漸降低,這是因?yàn)閾Q向開始后,在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子(少子)...

    2025-05-16
  • 奉賢區(qū)如何IGBT模塊供應(yīng)商
    奉賢區(qū)如何IGBT模塊供應(yīng)商

    正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn),其電壓和電流容量還很有限,遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求,特別是在高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中,要求器件的電壓等級(jí)達(dá)到10KV以上。目前只能通過(guò)IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用。國(guó)外的一些廠家如瑞士ABB公司采...

    2025-05-16
  • 崇明區(qū)品牌晶閘管廠家現(xiàn)貨
    崇明區(qū)品牌晶閘管廠家現(xiàn)貨

    可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌?..

    2025-05-15
  • 黃浦區(qū)銷售晶閘管品牌
    黃浦區(qū)銷售晶閘管品牌

    大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(以硅單晶為基本...

    2025-05-15
  • 寶山區(qū)品牌IGBT模塊銷售廠家
    寶山區(qū)品牌IGBT模塊銷售廠家

    · 驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動(dòng)功率PG。驅(qū)動(dòng)器的比較大平均輸出電流必須大于計(jì)算值?!?驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計(jì)算得到的比較大峰值電流?!?驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對(duì)I...

    2025-05-15
  • 虹口區(qū)如何熔斷器聯(lián)系人
    虹口區(qū)如何熔斷器聯(lián)系人

    4、法標(biāo)熔斷器法標(biāo)熔斷器具有循環(huán)性能強(qiáng)、體積小、構(gòu)造獨(dú)特等特點(diǎn),適用于占用空間小的小型UPS、小型交流驅(qū)動(dòng)器以及其它小功率應(yīng)用。 [2]對(duì)于高電流保護(hù)區(qū),所選熔斷器應(yīng)具備以下性能: ①容量大,通常在幾十到幾百A; ②能夠承受瞬間高電流、高脈沖; ③安全可靠性高...

    2025-05-15
  • 金山區(qū)如何IGBT模塊銷售廠家
    金山區(qū)如何IGBT模塊銷售廠家

    1979年,MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期,用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

    2025-05-15
  • 松江區(qū)哪里熔斷器銷售廠家
    松江區(qū)哪里熔斷器銷售廠家

    ②限流特性好,分?jǐn)嗄芰Ω撸虎巯鄬?duì)尺寸較??;NT系列熔斷器④價(jià)格較便宜。(2)熔斷器的主要缺點(diǎn)①故障熔斷后必須更換熔斷體;②保護(hù)功能單一,只有一段過(guò)電流反時(shí)限特性,過(guò)載、短路和接地故障都用此防護(hù);③發(fā)生一相熔斷時(shí),對(duì)三相電動(dòng)機(jī)將導(dǎo)致兩相運(yùn)轉(zhuǎn)的不良后果,當(dāng)然可用帶...

    2025-05-15
  • 松江區(qū)哪里IGBT模塊銷售價(jià)格
    松江區(qū)哪里IGBT模塊銷售價(jià)格

    N溝型的 IGBT工作是通過(guò)柵極-發(fā)射極間加閥值電壓VTH以上的(正)電壓,在柵極電極正下方的p層上形成反型層(溝道),開始從發(fā)射極電極下的n-層注入電子。該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子,從集電極襯底p+層開始流入空穴,進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制(雙極工作),所以可...

    2025-05-15
  • 普陀區(qū)銷售熔斷器設(shè)計(jì)
    普陀區(qū)銷售熔斷器設(shè)計(jì)

    2、保護(hù)單臺(tái)長(zhǎng)期工作的電機(jī)熔體電流可按比較大起動(dòng)電流選取,也可按下式選?。篒RN ≥ (1.5~2.5)IN式中IRN:熔體額定電流;IN:電動(dòng)機(jī)額定電流。如果電動(dòng)機(jī)頻繁起動(dòng),式中系數(shù)可適當(dāng)加大至3~3.5,具體應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定。3、保護(hù)多臺(tái)長(zhǎng)期工作的電機(jī)(...

    2025-05-15
  • 虹口區(qū)哪里IGBT模塊品牌
    虹口區(qū)哪里IGBT模塊品牌

    Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到)如果IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線,那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會(huì)更接近實(shí)際值:門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = ...

    2025-05-15
  • 長(zhǎng)寧區(qū)如何二極管供應(yīng)商
    長(zhǎng)寧區(qū)如何二極管供應(yīng)商

    在電子技術(shù)中常用的數(shù)碼管,發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過(guò)電流時(shí)會(huì)發(fā)出光來(lái),這是由于電子與空穴直接復(fù)合時(shí)放出能量的結(jié)果。它的光譜范圍比較窄,其波長(zhǎng)由所使用的基本材料而定。 [4]用來(lái)表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo),稱為二極管...

    2025-05-15
  • 崇明區(qū)如何二極管供應(yīng)商
    崇明區(qū)如何二極管供應(yīng)商

    二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 [1]。二極管有兩個(gè)電極,正極,又叫陽(yáng)極;負(fù)極,又叫陰極,給二極管兩極間加上正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通, 加上反向電壓時(shí),二極管截止。 二極管的導(dǎo)通和截止,則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開 [2]。二極管具有單向?qū)щ?..

    2025-05-15
  • 金山區(qū)選擇IGBT模塊銷售廠家
    金山區(qū)選擇IGBT模塊銷售廠家

    絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,在實(shí)際使用中除IGBT自身外,IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT ...

    2025-05-15
  • 楊浦區(qū)銷售二極管費(fèi)用
    楊浦區(qū)銷售二極管費(fèi)用

    △V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)應(yīng)小于2伏。雙向觸發(fā)二極管的正向轉(zhuǎn)折電壓值一般有三個(gè)等級(jí):20-60V、100-150V、200-250V。由于轉(zhuǎn)折電壓都大于20V,可以用萬(wàn)用表電阻擋正反向測(cè)雙向二極管,表針均應(yīng)不動(dòng)(RX10k),但還不能完...

    2025-05-15
  • 浦東新區(qū)質(zhì)量晶閘管銷售廠家
    浦東新區(qū)質(zhì)量晶閘管銷售廠家

    晶閘管T在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)。它屬于NPNP四層器件,三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?,故除門極G以外的...

    2025-05-15
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