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5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。可控...

可控硅一個關鍵用途在于做為無觸點開關。在自動化設備中,用無觸點開關代替通用繼電器已被逐步應用。其***特點是無噪音,壽命長?？煽毓?**陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)...

在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態(tài)。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅...

變?nèi)荻O管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量，變?nèi)荻O管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發(fā)現(xiàn)萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變?nèi)荻O管有漏電故障或已經(jīng)擊穿壞。 [8]單色發(fā)光二極管在萬用表外部附接一節(jié)能1.5V干電池，將萬用表置R×10或...

（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過零觸發(fā)-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā)，導通可控硅。（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅，常見的是移相觸...

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設備，如果超過此功率，因元件開關損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。可控硅...

Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結構，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅動器驅動...

5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。可控...

光敏二極管是將光信號變成電信號的半導體器件。它的**部分也是一個PN結，和普通二極管相比，在結構上不同的是，為了便于接受入射光照，PN結面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，而且PN結的結深很淺，一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時...

電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上...

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護等用途。圖1是它的構造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路，可等效于基極開路、發(fā)射極與集電極對稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只N...

（3）煤礦中的應用由于發(fā)光二極管較普通發(fā)光器件具有效率高、能耗小、壽命長、光度強等特點，因此礦工燈以及井下照明等設備使用了發(fā)光二極管。雖然還未完全普及，但在不久將得到普遍應用，發(fā)光二極管將在煤礦應用中取代普通發(fā)光器件。 [6]（4）城市的裝飾燈在當今繁華的商業(yè)...

在正常工作情況下，電流可以從引線端子A進入，通過瓷心細孔內(nèi)的金屬鈉，傳導到不銹鋼外殼，并由出線端子B引出。當短路電流通過熔斷器時，短路電流將瓷心細孔部分的金屬鈉迅速加熱，使之由固體變成高溫高壓狀態(tài)的等離子體蒸氣，電阻率迅速增加，從而對短路電流起強烈的限流作用，...

大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅動電路除上面介紹的由分立元件構成之外，已制造出集成化的IGBT**驅動電路。其性能更好，整機的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT...

晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結構與符號。它屬于NPNP四層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的...

這種方法雖然準確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=4.5Ci...

因此，在本征半導體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]PN...

維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流，它與結溫有關，結溫越高， 則 IH 越小。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數(shù)。此值超限將可能導致可控硅出現(xiàn)誤導通的現(xiàn)象。由于可控硅的...

這種器件在電路中能夠實現(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優(yōu)點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，...

1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研制出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世，是20世紀的一項重大發(fā)明，是微電子**的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管...

畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半...

確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù)，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時，半導體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿...

它們在反向電壓作用下參加漂移運動，使反向電流明顯變大，光的強度越大，反向電流也越大。這種特性稱為“光電導”。光敏二極管在一般照度的光線照射下，所產(chǎn)生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負載，負載上就獲得了電信號，而且這個電信號隨著光的變化而相應變化。光敏二極管是...

發(fā)光二極管在很多領域得到普遍應用，下面介紹幾點其主要應用：（1）電子用品中的應用發(fā)光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應用。從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機等的顯示屏都將發(fā)光二極管用作屏背光源。 [6]（2）汽車以及...

為了使熔斷器起到其應有的作用，確保整車用電器安全工作，選擇合適的類型及規(guī)格就變得尤為重要。熔斷器的選型涉及以下因素：施加在熔斷器上的電流特性、電壓特性、熔斷器的環(huán)境溫度、安裝尺寸限制、應用線路等。當外加電壓和安裝尺寸一定的情況下，熔斷器的選擇主要從電流特性、環(huán)...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋...

IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機、民用小容量電機、變換器（逆變器）、照相機的頻閃觀測器、感應加熱（InductionHeating）電飯鍋等領域。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型，...

常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF...