快速熔斷器:快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流,因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力??焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以銀片沖制的有V形深...
晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號。它屬于NPNP四層器件,三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極G以外的...
反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管,在25℃時(shí)反向電流若為25...
[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓,而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b),這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c),輸入正向觸發(fā)信號,...
1:小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A。2:大;**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3:大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等。可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋...
2、保護(hù)單臺長期工作的電機(jī)熔體電流可按比較大起動電流選取,也可按下式選?。篒RN ≥ (1.5~2.5)IN式中IRN--熔體額定電流;IN--電動機(jī)額定電流。如果電動機(jī)頻繁起動,式中系數(shù)可適當(dāng)加大至3~3.5,具體應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定。3、保護(hù)多臺長期工作的電...
2、保護(hù)單臺長期工作的電機(jī)熔體電流可按比較大起動電流選取,也可按下式選取:IRN ≥ (1.5~2.5)IN式中IRN--熔體額定電流;IN--電動機(jī)額定電流。如果電動機(jī)頻繁起動,式中系數(shù)可適當(dāng)加大至3~3.5,具體應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定。3、保護(hù)多臺長期工作的電...
面接觸型二極管是一種特制的硅二極管,它不僅能通過較大的電流,而且性能穩(wěn)定可靠,多用于開關(guān)、脈沖及低頻電路中。面接觸型二極管是二極管中的一種。二極管種類有很多,按照所用的半導(dǎo)體材料,可分為鍺二極管(Ge管)和硅二極管(Si管)。根據(jù)其不同用途,可分為檢波二極管、...
在電子技術(shù)中常用的數(shù)碼管,發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過電流時(shí)會發(fā)出光來,這是由于電子與空穴直接復(fù)合時(shí)放出能量的結(jié)果。它的光譜范圍比較窄,其波長由所使用的基本材料而定。 [4]用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo),稱為二極管...
5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。可控...
(4)不能實(shí)現(xiàn)遙控,需要與電動刀開關(guān)、開關(guān)組合才有可能。非選擇型斷路器:1、主要優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)(1)故障斷開后,可以手操復(fù)位,不必更換元件,除非切斷大短路電流后需要維修;(2)有反時(shí)限特性的長延時(shí)脫扣器和瞬時(shí)電流脫扣器兩段保護(hù)功能,分別作為過載和短路防護(hù)用,各司其...
熔斷器的選擇主要依據(jù)負(fù)載的保護(hù)特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類型。對于容量小的電動機(jī)和照明支線,常采用熔斷器作為過載及短路保護(hù),因而希望熔體的熔化系數(shù)適當(dāng)小些。通常選用鉛錫合金熔體的熔斷器。對于較大容量的電動機(jī)和照明干線,則應(yīng)著重考慮短路保護(hù)和分?jǐn)嗄芰ΑMǔ?..
(2)限幅電路在電子電路中,常用限幅電路對各種信號進(jìn)行處理。它是用來讓信號在預(yù)置的電平范圍內(nèi),有選擇地傳輸一部分信號。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用,但有些時(shí)候需要用到**限幅二極管,如保護(hù)儀表時(shí)。 [6](3)穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管,它是一...
至于型號后綴字母的觸發(fā)電流,各個廠家的**含義如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F(xiàn)=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流,通常為25-35mA;PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的...
2、保護(hù)單臺長期工作的電機(jī)熔體電流可按比較大起動電流選取,也可按下式選取:IRN ≥ (1.5~2.5)IN式中IRN:熔體額定電流;IN:電動機(jī)額定電流。如果電動機(jī)頻繁起動,式中系數(shù)可適當(dāng)加大至3~3.5,具體應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定。3、保護(hù)多臺長期工作的電機(jī)(...
因此,在本征半導(dǎo)體的兩個不同區(qū)域摻入三價(jià)和五價(jià)雜質(zhì)元素,便形成了P型區(qū)和N型區(qū),根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性,可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散,它們的擴(kuò)散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]PN...
·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。 同時(shí), 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電...
2. 額定電壓:熔斷器所在電路中的最高電壓不應(yīng)超過熔斷器的額定電壓。3.額定電流:通過熔斷器的工作電流不應(yīng)超過額定電流的75%。4. 短路截流能力:熔斷器所在的電路中可能出現(xiàn)的最大短路電流不應(yīng)超過熔斷器的短路截流能力。5. 熔斷特性:熔斷器在出現(xiàn)需要切斷的過載...
為了克服上述問題,可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化,以防止誤觸發(fā)。一般,電阻取100R,電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,這種...
應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見,雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時(shí),我們稱為正向電壓,并用符號U21表示。當(dāng)這個電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電...
IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。MOSFET由于實(shí)現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET...
當(dāng)無光照時(shí),光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報(bào)警等方面。當(dāng)制成大面積的光電二極管時(shí),可當(dāng)作一種能源而稱為光電池。此時(shí)它不需要外加電源,能夠直接把光能變成電能。 [4]發(fā)光二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是...
噴射式熔斷器是將熔體裝在由固體產(chǎn)氣材料制成的絕緣管內(nèi)。固體產(chǎn)氣材料可采用電工反白紙板或有機(jī)玻璃材料等。當(dāng)短路電流通過熔體時(shí),熔體隨即熔斷產(chǎn)生電弧,高溫電弧使固體產(chǎn)氣材料迅速分解產(chǎn)生大量高壓氣體,從而將電離的氣體帶電弧在管子兩端噴出,發(fā)出極大的聲光,并在交流電流...
(3)現(xiàn)今產(chǎn)品多具有智能特點(diǎn),除保護(hù)功能外,還有電量測量、故障記錄,以及通信接口,實(shí)現(xiàn)配電裝置及系統(tǒng)集中監(jiān)控管理。2、主要問題(1)價(jià)格很高,因此只宜在配電線路首端和特別重要場所的分干線使用;(2)尺寸較大。信息技術(shù)設(shè)備(ITE)熔斷器標(biāo)識要求依照GB4943...
熔斷器:1、熔斷器的主要優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)(1)選擇性好。上下級熔斷器的熔斷體額定電流只要符合國標(biāo)和IEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的過電流選擇比為1.6:1 的要求,即上級熔斷體額定電流不小于下級的該值的1.6 倍,就視為上下級能有選擇性切斷故障電流;(2)限流特性好,分?jǐn)嗄芰Ω?;?..
電力熔斷器是熔斷器(fuse)的其中一種,是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時(shí),以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時(shí)間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。熔斷器廣泛應(yīng)用于高低壓配電系...
電力熔斷器是熔斷器(fuse)的其中一種,是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時(shí),以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時(shí)間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。熔斷器廣泛應(yīng)用于高低壓配電系...
2. 額定電壓:熔斷器所在電路中的最高電壓不應(yīng)超過熔斷器的額定電壓。3.額定電流:通過熔斷器的工作電流不應(yīng)超過額定電流的75%。4. 短路截流能力:熔斷器所在的電路中可能出現(xiàn)的最大短路電流不應(yīng)超過熔斷器的短路截流能力。5. 熔斷特性:熔斷器在出現(xiàn)需要切斷的過載...
一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級,小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時(shí),半導(dǎo)體受熱激發(fā),少數(shù)載流子數(shù)目增加,反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí),反向電流會突然增大,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿...
Rlimit =10~100Ω,C=10~470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射(或柵源)極之間是容性結(jié)構(gòu),柵極回路的寄生電感又是不可避免的,如果沒有柵極電阻,那柵極回路在驅(qū)動器驅(qū)動...