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本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，具體地，涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備中的工藝盤(pán)組件，以及一種包括該工藝盤(pán)組件的半導(dǎo)體設(shè)備。背景技術(shù)：半導(dǎo)體設(shè)備通常由工藝腔和設(shè)置在工藝腔內(nèi)的工藝盤(pán)組成，工藝盤(pán)用于承載待加工的工件，工件與工藝腔中通入的工藝氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或者由工藝氣體形成沉積物沉積在工件表面，完成晶片的外延等半導(dǎo)體工藝。為了保證工藝盤(pán)上熱量的均勻性，通常采用電機(jī)等設(shè)備驅(qū)動(dòng)工藝盤(pán)旋轉(zhuǎn)，目前的工藝盤(pán)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)通常包括滑動(dòng)軸、襯套和石英轉(zhuǎn)軸。其中，石英轉(zhuǎn)軸用于驅(qū)動(dòng)工藝盤(pán)旋轉(zhuǎn)，襯套套設(shè)在滑動(dòng)軸上，石英轉(zhuǎn)軸套設(shè)在襯套上，且滑動(dòng)軸、襯套和石英轉(zhuǎn)軸三者軸線重合，襯套通過(guò)貼合面之間的摩擦作用將滑動(dòng)軸的扭矩傳遞至石英轉(zhuǎn)...

工藝盤(pán)組件還包括升降機(jī)構(gòu)11，升降機(jī)構(gòu)11與軸承座10連接，用于驅(qū)動(dòng)軸3承座沿傳動(dòng)筒4的軸線方向運(yùn)動(dòng)。在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，傳動(dòng)筒4通過(guò)軸承軸向固定于軸承座10內(nèi)，因此升降機(jī)構(gòu)11可以帶動(dòng)傳動(dòng)筒4升降，進(jìn)而帶動(dòng)工藝盤(pán)轉(zhuǎn)軸1和工藝盤(pán)01在腔室中升降。推薦地，如圖2至4所示，工藝盤(pán)組件還包括波浪管6，波浪管6套設(shè)在傳動(dòng)筒4的外側(cè)，波浪管6的一端與軸承座10固定連接，波浪管6的另一端用于與工藝腔密封連接。需要說(shuō)明的是，波浪管6的上端與工藝腔(圖未示)的腔室連通，波浪管6的下端與傳動(dòng)機(jī)構(gòu)之間不連通，由于將波浪管氣孔61輸入的工藝氣體導(dǎo)入腔室中以及將反應(yīng)后的氣體由波浪管氣孔61導(dǎo)出。在軸承座1...

工藝盤(pán)組件還包括升降機(jī)構(gòu)11，升降機(jī)構(gòu)11與軸承座10連接，用于驅(qū)動(dòng)軸3承座沿傳動(dòng)筒4的軸線方向運(yùn)動(dòng)。在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，傳動(dòng)筒4通過(guò)軸承軸向固定于軸承座10內(nèi)，因此升降機(jī)構(gòu)11可以帶動(dòng)傳動(dòng)筒4升降，進(jìn)而帶動(dòng)工藝盤(pán)轉(zhuǎn)軸1和工藝盤(pán)01在腔室中升降。推薦地，如圖2至4所示，工藝盤(pán)組件還包括波浪管6，波浪管6套設(shè)在傳動(dòng)筒4的外側(cè)，波浪管6的一端與軸承座10固定連接，波浪管6的另一端用于與工藝腔密封連接。需要說(shuō)明的是，波浪管6的上端與工藝腔(圖未示)的腔室連通，波浪管6的下端與傳動(dòng)機(jī)構(gòu)之間不連通，由于將波浪管氣孔61輸入的工藝氣體導(dǎo)入腔室中以及將反應(yīng)后的氣體由波浪管氣孔61導(dǎo)出。在軸承座1...

PbS）很早就用于無(wú)線電檢波，氧化亞銅（Cu2O）用作固體整流器，閃鋅礦（ZnS）是熟知的固體發(fā)光材料，碳化硅（SiC）的整流檢波作用也較早被利用。硒（Se）是**早發(fā)現(xiàn)并被利用的元素半導(dǎo)體，曾是固體整流器和光電池的重要材料。元素半導(dǎo)體鍺（Ge）放大作用的發(fā)現(xiàn)開(kāi)辟了半導(dǎo)體歷史新的一頁(yè)，從此電子設(shè)備開(kāi)始實(shí)現(xiàn)晶體管化。中國(guó)的半導(dǎo)體研究和生產(chǎn)是從1957年***制備出高純度（～）的鍺開(kāi)始的。采用元素半導(dǎo)體硅（Si）以后，不僅使晶體管的類型和品種增加、性能提高，而且迎來(lái)了大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的時(shí)代。以砷化鎵（GaAs）為**的Ⅲ－Ⅴ族化合物的發(fā)現(xiàn)促進(jìn)了微波器件和光電器件的迅速發(fā)展。半導(dǎo)體材...

本實(shí)用新型涉及治具領(lǐng)域，尤其涉及一種針對(duì)半導(dǎo)體零件的抓數(shù)治具。背景技術(shù)：半導(dǎo)體零件即半導(dǎo)體晶體，晶體是脆性的，加工過(guò)程中會(huì)在邊緣形成碎石塊似的崩碎。如有較大應(yīng)力加載到晶體的解理方向上，會(huì)造成很大的崩碎面積，破壞中間已加工好的表面。因此，在加工端面前，應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體晶體進(jìn)行端面邊緣的倒角，使得在加工端面時(shí)，不容易產(chǎn)生破壞性的崩口。然而，在實(shí)際加工時(shí)，大部分的晶體多多少少的會(huì)發(fā)生不影響晶體性能的輕微崩口，以及極少部分會(huì)發(fā)生破壞性的崩口，為了防止破壞后的晶體被繼續(xù)使用，因此，我們需要制作一個(gè)治具，用于檢測(cè)晶體的崩口尺寸，將破壞嚴(yán)重的晶體剔除。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的以...

碳化硅的自擴(kuò)散系數(shù)小，在不添加燒結(jié)助劑的情況下，很難燒結(jié)，即使在高溫高壓下也很難燒結(jié)出致密的組織。而采用金屬元素的氧化物為燒結(jié)助劑能夠降低燒結(jié)溫度，促進(jìn)燒結(jié)體組織致密化，從而提高碳化硅陶瓷的力學(xué)性能。***分散劑包括四甲基氫氧化銨、聚乙烯吡咯烷酮、丙烯酸銨、丙烯酸鈉、聚乙烯醇及聚乙烯醇縮丁醛中的至少一種。***分散劑能夠使碳化硅微粉和稀土元素的氯化物在***溶劑中混合均勻，從而利于后續(xù)的噴霧及熱處理過(guò)程。具體地，步驟s110包括：步驟s112：將金屬元素的氯化物、***分散劑、***溶劑及碳化硅微粉混合，得到***漿料。具體地，金屬元素的氯化物的加入量按金屬元素的氧化物的質(zhì)量為碳化硅微...

表1實(shí)施例和對(duì)比例的碳化硅陶瓷的力學(xué)性能數(shù)據(jù)從上表1中可以看出，實(shí)施例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度均在400mpa左右，實(shí)施例2得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度甚至高達(dá)451mpa，遠(yuǎn)高于對(duì)比例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度。實(shí)施例得到的碳化硅陶瓷的顯微硬度至少為2441hv，致密度均在3g/cm3以上，而對(duì)比例得到的碳化硅陶瓷的抗顯微硬度和致密度均較低。由此可以看出，采用實(shí)施例中的碳化硅陶瓷的制備方法得到的碳化硅陶瓷的力學(xué)性能較好。以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為...

以避免軸承座10與工藝腔碰撞導(dǎo)致傳送組件精度下降。為進(jìn)一步提高傳動(dòng)筒4的穩(wěn)定性，避免外界物質(zhì)進(jìn)入軸承座10，推薦地，如圖3、圖4所示，工藝盤(pán)組件還包括密封襯套5，密封襯套5環(huán)繞設(shè)置在傳動(dòng)筒4的外壁上。需要說(shuō)明的是，密封襯套5與軸承座之間為固定連接關(guān)系，如圖4所示，推薦地，密封襯套5的內(nèi)壁上還設(shè)置有用于容納密封圈的密封圈槽，在傳動(dòng)筒4轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，與軸承座固定連接的密封襯套5持續(xù)地與傳動(dòng)筒4摩擦。為提高密封襯套5的耐磨性能，推薦地，密封襯套5為不銹鋼材料。在實(shí)驗(yàn)研究中，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備工藝效果不佳的原因在于，個(gè)別軸套類部件上的密封件在傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)過(guò)程中會(huì)逐漸沿軸向移動(dòng)，偏離預(yù)定...

上述碳化硅陶瓷的制備方法能夠獲得具有較好的力學(xué)性能的碳化硅陶瓷。附圖說(shuō)明圖1為一實(shí)施方式的碳化硅陶瓷的制備方法的工藝流程圖。具體實(shí)施方式為了便于理解本發(fā)明，下面將結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更***的描述。具體實(shí)施方式中給出了本發(fā)明的較佳的實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容的理解更加透徹***。除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體地實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)...

表1實(shí)施例和對(duì)比例的碳化硅陶瓷的力學(xué)性能數(shù)據(jù)從上表1中可以看出，實(shí)施例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度均在400mpa左右，實(shí)施例2得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度甚至高達(dá)451mpa，遠(yuǎn)高于對(duì)比例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度。實(shí)施例得到的碳化硅陶瓷的顯微硬度至少為2441hv，致密度均在3g/cm3以上，而對(duì)比例得到的碳化硅陶瓷的抗顯微硬度和致密度均較低。由此可以看出，采用實(shí)施例中的碳化硅陶瓷的制備方法得到的碳化硅陶瓷的力學(xué)性能較好。以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為...

為提高上述包括工藝盤(pán)轉(zhuǎn)軸1、驅(qū)動(dòng)襯套2和驅(qū)動(dòng)軸3在內(nèi)的傳動(dòng)結(jié)構(gòu)的密閉性，推薦地，工藝盤(pán)組件還包括傳動(dòng)筒4，驅(qū)動(dòng)軸3和驅(qū)動(dòng)襯套2設(shè)置在傳動(dòng)筒4內(nèi)，且驅(qū)動(dòng)軸3背離工藝盤(pán)轉(zhuǎn)軸1的一端與傳動(dòng)筒4固定連接，傳動(dòng)筒4用于帶動(dòng)驅(qū)動(dòng)軸3轉(zhuǎn)動(dòng)。需要說(shuō)明的是，上述傳動(dòng)筒4的方案即為前面所述的“驅(qū)動(dòng)軸體部320與其它在軸承中固定的轉(zhuǎn)軸結(jié)構(gòu)固定連接”的方案，如圖3、圖13所示，傳動(dòng)筒4的外壁上可以包括外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42，外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42環(huán)繞設(shè)置在傳動(dòng)筒4的外壁上，在實(shí)際使用中，外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42的上下兩面(這里的上下是指圖中的上下關(guān)系)分別用于與滾針軸承連接，以實(shí)現(xiàn)軸向定位；外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42的外側(cè)面用于與深溝球軸承的內(nèi)圈...

***漿料中的金屬元素的氯化物在環(huán)氧丙烷的作用下沉淀。步驟s116：將第二漿料進(jìn)行噴霧，然后在真空條件、700℃～900℃下進(jìn)行加熱處理，得到預(yù)處理顆粒。具體地，在閉式噴霧塔中將第二漿料進(jìn)行噴霧。步驟s116中加熱處理的時(shí)間為1h～4h。將第二漿料噴霧后再進(jìn)行加熱處理，使得稀土元素或鍶元素的氯化物轉(zhuǎn)化為氧化物且均勻分布在碳化硅表面。采用上述步驟能夠使稀土元素或鍶元素均勻沉降在碳化硅顆粒的表面，在后續(xù)處理過(guò)程中，稀土元素或鍶元素會(huì)存在于晶界處，具有促進(jìn)燒結(jié)、降低氣孔率的作用，從而提高碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度等力學(xué)性能。而傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程中，通常將金屬元素的氧化物作為助燒劑直接與碳化...

并實(shí)現(xiàn)對(duì)工藝盤(pán)的角度進(jìn)行調(diào)整，進(jìn)一步推薦地，當(dāng)采用上述配合面軸向錯(cuò)開(kāi)的設(shè)計(jì)時(shí)，驅(qū)動(dòng)通孔211與驅(qū)動(dòng)連接部310之間為過(guò)盈配合，第二襯套部220的圓柱面與安裝孔之間為過(guò)盈配合。在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，設(shè)置工藝盤(pán)轉(zhuǎn)軸1、驅(qū)動(dòng)襯套2與驅(qū)動(dòng)軸3之間均為過(guò)盈配合，從而使得工藝盤(pán)轉(zhuǎn)軸1和驅(qū)動(dòng)襯套2能夠在安裝后保持與驅(qū)動(dòng)軸3之間的同軸度。并且，*通過(guò)調(diào)整驅(qū)動(dòng)軸3的朝向即可微調(diào)工藝盤(pán)轉(zhuǎn)軸1的角度，并**終實(shí)現(xiàn)對(duì)工藝盤(pán)的角度進(jìn)行調(diào)整。為避免驅(qū)動(dòng)通孔211與驅(qū)動(dòng)連接部310之間的配合面尺寸的偏差導(dǎo)致零件損壞，推薦地，如圖6所示，驅(qū)動(dòng)通孔211的內(nèi)壁上形成有避讓槽211a，避讓槽211a與驅(qū)動(dòng)通孔211內(nèi)壁...

驅(qū)動(dòng)軸3通過(guò)非圓柱體的驅(qū)動(dòng)連接部310與異形孔之間的配合將扭矩傳遞至驅(qū)動(dòng)襯套2，從而能夠在工藝盤(pán)組件進(jìn)行變速運(yùn)動(dòng)時(shí)，避免驅(qū)動(dòng)軸3與驅(qū)動(dòng)襯套2之間發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，保證了驅(qū)動(dòng)襯套2與驅(qū)動(dòng)軸3之間的對(duì)位精度，進(jìn)而提高了工藝盤(pán)轉(zhuǎn)軸1旋轉(zhuǎn)角度的控制精度。為實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)襯套2與工藝盤(pán)轉(zhuǎn)軸1的匹配，同時(shí)提高驅(qū)動(dòng)襯套2與工藝盤(pán)轉(zhuǎn)軸1之間的對(duì)位精度，推薦地，如圖5至圖12所示，驅(qū)動(dòng)襯套2的外壁上形成有至少一個(gè)定位凸起222，對(duì)應(yīng)的，安裝孔的側(cè)壁上形成有至少一個(gè)定位槽，定位凸起222一一對(duì)應(yīng)地插入定位槽中。如圖11、圖12所示為本實(shí)用新型的實(shí)施例中驅(qū)動(dòng)襯套2插入工藝盤(pán)轉(zhuǎn)軸1的底端安裝孔時(shí)，定位凸起222插入定位...

附圖標(biāo)記說(shuō)明01：工藝盤(pán)1：工藝盤(pán)轉(zhuǎn)軸2：驅(qū)動(dòng)襯套210：***襯套部211：驅(qū)動(dòng)通孔211a：避讓槽220：第二襯套部221：軸通孔222：定位凸起3：驅(qū)動(dòng)軸310：驅(qū)動(dòng)連接部320：驅(qū)動(dòng)軸體部311：定位平面312：圓柱面4：傳動(dòng)筒41：內(nèi)凸臺(tái)結(jié)構(gòu)42：外凸臺(tái)結(jié)構(gòu)43：擋環(huán)槽5：密封襯套6：波浪管7：擋環(huán)8：調(diào)平件9：傳動(dòng)架91：傳動(dòng)法蘭92：法蘭連接件10：軸承座101：上法蘭102：下法蘭11：升降機(jī)構(gòu)12：電機(jī)13：定位塊具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式*用于說(shuō)明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。本...

半導(dǎo)體是1種介于導(dǎo)電與不導(dǎo)電之間的1種材料，是可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件以及集成電路的材料。在現(xiàn)在社會(huì)中半導(dǎo)體材料的利用很***，下面小編簡(jiǎn)單介紹下半導(dǎo)體材料的利用吧。半導(dǎo)體材料的利用不同的半導(dǎo)體器件對(duì)于半導(dǎo)體材料有不同的形態(tài)請(qǐng)求，包含單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導(dǎo)體材料的不同形態(tài)請(qǐng)求對(duì)于應(yīng)不同的工藝。經(jīng)常使用的半導(dǎo)體材料工藝有提純、單晶的以及薄膜外延生長(zhǎng)。半導(dǎo)體材料所有的半導(dǎo)體材料都需要對(duì)于原料進(jìn)行提純，請(qǐng)求的純度在六個(gè)“九”以上，**高達(dá)一一個(gè)“九”以上。提純的法子分兩大類，1類是不扭轉(zhuǎn)材料的化學(xué)組成進(jìn)行提純，稱為物理提純;另外一類是把元素先變?yōu)榛衔镞M(jìn)行提純，再將提純后的化合物...

所述第二基準(zhǔn)塊與**基準(zhǔn)塊一體成型；所述**基準(zhǔn)塊的一側(cè)設(shè)置有**基準(zhǔn)面，所述第二基準(zhǔn)塊上設(shè)置有第二基準(zhǔn)面，所述第二基準(zhǔn)面垂直于**基準(zhǔn)面，所述**基準(zhǔn)面和第二基準(zhǔn)面的連接處設(shè)置有與**基準(zhǔn)塊和第二基準(zhǔn)塊連接的圓弧避讓槽；所述**基準(zhǔn)塊和第二基準(zhǔn)塊遠(yuǎn)離圓弧避讓槽的一側(cè)設(shè)置有圓弧基準(zhǔn)臺(tái)，所述圓弧基準(zhǔn)臺(tái)的圓心位于**基準(zhǔn)面與第二基準(zhǔn)面的連接處。采用此技術(shù)方案，設(shè)置的**基準(zhǔn)面和第二基準(zhǔn)面有助于半導(dǎo)體零件的貼合；設(shè)置的圓弧避讓槽不*有助于抓數(shù)治具的加工，而且有助于半導(dǎo)體零件的貼合；設(shè)置的圓弧基準(zhǔn)臺(tái)有助于通過(guò)圓弧的切邊抓數(shù)以計(jì)算或抓取半導(dǎo)體零件的尺寸以及導(dǎo)角的尺寸。作為推薦，所示抓數(shù)治具還設(shè)置...

***漿料中的金屬元素的氯化物在環(huán)氧丙烷的作用下沉淀。步驟s116：將第二漿料進(jìn)行噴霧，然后在真空條件、700℃～900℃下進(jìn)行加熱處理，得到預(yù)處理顆粒。具體地，在閉式噴霧塔中將第二漿料進(jìn)行噴霧。步驟s116中加熱處理的時(shí)間為1h～4h。將第二漿料噴霧后再進(jìn)行加熱處理，使得稀土元素或鍶元素的氯化物轉(zhuǎn)化為氧化物且均勻分布在碳化硅表面。采用上述步驟能夠使稀土元素或鍶元素均勻沉降在碳化硅顆粒的表面，在后續(xù)處理過(guò)程中，稀土元素或鍶元素會(huì)存在于晶界處，具有促進(jìn)燒結(jié)、降低氣孔率的作用，從而提高碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度等力學(xué)性能。而傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程中，通常將金屬元素的氧化物作為助燒劑直接與碳化...

圓弧避讓槽6，圓弧基準(zhǔn)臺(tái)7，底座8，半導(dǎo)體零件9。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述：參照?qǐng)D1至圖3所示，一種針對(duì)半導(dǎo)體零件的抓數(shù)治具，包括抓數(shù)治具1，所述抓數(shù)治具1包括設(shè)置的**基準(zhǔn)塊2以及與**基準(zhǔn)塊2垂直連接的第二基準(zhǔn)塊3，所述第二基準(zhǔn)塊3與**基準(zhǔn)塊2一體成型；所述**基準(zhǔn)塊2的一側(cè)設(shè)置有**基準(zhǔn)面4，所述第二基準(zhǔn)塊3上設(shè)置有第二基準(zhǔn)面5，所述第二基準(zhǔn)面5垂直于**基準(zhǔn)面4，所述**基準(zhǔn)面4和第二基準(zhǔn)面5的連接處設(shè)置有與**基準(zhǔn)塊2和第二基準(zhǔn)塊3連接的圓弧避讓槽6；所述**基準(zhǔn)塊2和第二基準(zhǔn)塊3遠(yuǎn)離圓弧避讓槽6的一側(cè)設(shè)置有圓弧基準(zhǔn)臺(tái)7，所述圓弧基準(zhǔn)臺(tái)7的圓心位于...

應(yīng)使用子程序[1]。CNC加工(3張)CNC加工CNC優(yōu)缺點(diǎn)編輯CNC數(shù)控加工有下列優(yōu)點(diǎn)：①大量減少工裝數(shù)量，加工形狀復(fù)雜的零件不需要復(fù)雜的工裝。如要改變零件的形狀和尺寸，只需要修改零件加工程序，適用于新產(chǎn)品研制和改型。②加工質(zhì)量穩(wěn)定，加工精度高，重復(fù)精度高，適應(yīng)飛行器的加工要求。③多品種、小批量生產(chǎn)情況下生產(chǎn)效率較高，能減少生產(chǎn)準(zhǔn)備、機(jī)床調(diào)整和工序檢驗(yàn)的時(shí)間，而且由于使用**佳切削量而減少了切削時(shí)間。④可加工常規(guī)方法難于加工的復(fù)雜型面，甚至能加工一些無(wú)法觀測(cè)的加工部位。數(shù)控加工的缺點(diǎn)是機(jī)床設(shè)備費(fèi)用昂貴，要求維修人員具有較高水平。CNC加工數(shù)控加工編輯數(shù)控加工是指用數(shù)控的加工工具進(jìn)行的...

本實(shí)用新型涉及治具領(lǐng)域，尤其涉及一種針對(duì)半導(dǎo)體零件的抓數(shù)治具。背景技術(shù)：半導(dǎo)體零件即半導(dǎo)體晶體，晶體是脆性的，加工過(guò)程中會(huì)在邊緣形成碎石塊似的崩碎。如有較大應(yīng)力加載到晶體的解理方向上，會(huì)造成很大的崩碎面積，破壞中間已加工好的表面。因此，在加工端面前，應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體晶體進(jìn)行端面邊緣的倒角，使得在加工端面時(shí)，不容易產(chǎn)生破壞性的崩口。然而，在實(shí)際加工時(shí)，大部分的晶體多多少少的會(huì)發(fā)生不影響晶體性能的輕微崩口，以及極少部分會(huì)發(fā)生破壞性的崩口，為了防止破壞后的晶體被繼續(xù)使用，因此，我們需要制作一個(gè)治具，用于檢測(cè)晶體的崩口尺寸，將破壞嚴(yán)重的晶體剔除。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的以...

然后將碳化硅顆粒在真空條件、700℃下進(jìn)行熱處理4h，得到預(yù)處理顆粒。(2)將第二分散劑聚乙烯醇溶解在水中形成溶液，將***碳源石墨和預(yù)處理顆粒在該溶液中均勻分散，再以環(huán)氧樹(shù)脂與酚醛樹(shù)脂的混合物作為粘結(jié)劑加入其中，進(jìn)行球磨，球磨過(guò)程中的轉(zhuǎn)速為100轉(zhuǎn)/分，球磨時(shí)間為5h，得到第三漿料，將第三漿料在噴霧造粒塔中噴霧，得到平均尺寸為60微米的造粒粉。(3)將造粒粉均勻填滿模具，進(jìn)行模壓成型，成型壓強(qiáng)為70mpa，保壓時(shí)間為90s，脫模，然后置入真空包裝袋中，抽真空，**后置于等靜壓機(jī)中等靜壓成型，成型壓力為200mpa，保壓時(shí)間為60s，得到***預(yù)制坯。(4)將***預(yù)制坯放置于真空排膠...

以避免軸承座10與工藝腔碰撞導(dǎo)致傳送組件精度下降。為進(jìn)一步提高傳動(dòng)筒4的穩(wěn)定性，避免外界物質(zhì)進(jìn)入軸承座10，推薦地，如圖3、圖4所示，工藝盤(pán)組件還包括密封襯套5，密封襯套5環(huán)繞設(shè)置在傳動(dòng)筒4的外壁上。需要說(shuō)明的是，密封襯套5與軸承座之間為固定連接關(guān)系，如圖4所示，推薦地，密封襯套5的內(nèi)壁上還設(shè)置有用于容納密封圈的密封圈槽，在傳動(dòng)筒4轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，與軸承座固定連接的密封襯套5持續(xù)地與傳動(dòng)筒4摩擦。為提高密封襯套5的耐磨性能，推薦地，密封襯套5為不銹鋼材料。在實(shí)驗(yàn)研究中，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備工藝效果不佳的原因在于，個(gè)別軸套類部件上的密封件在傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)過(guò)程中會(huì)逐漸沿軸向移動(dòng)，偏離預(yù)定...

再進(jìn)行等靜壓成型的兩步成型方式能夠得到密度更大、更均勻的***預(yù)制坯。步驟s140：將***預(yù)制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進(jìn)行排膠。具體地，排膠過(guò)程在真空排膠爐中進(jìn)行。通過(guò)上述排膠過(guò)程能夠除去***預(yù)制坯中的粘結(jié)劑、分散劑等有機(jī)物質(zhì)。步驟s150：將***預(yù)制坯與第二碳源混合加熱，使第二碳源呈液態(tài)，然后加壓至3mpa～7mpa，得到第二預(yù)制坯。具體地，第二碳源包括石墨、炭黑、石油焦、糠醛、聚碳硅烷、瀝青、酚醛樹(shù)脂及環(huán)氧樹(shù)脂中的至少一種。在本實(shí)施方式中，第二碳源與***碳源可以相同，也可以不同。具體地，步驟s150包括：將***預(yù)制坯與第二碳源在28...

自然界中的物質(zhì)，根據(jù)其導(dǎo)電性能的差異可劃分為導(dǎo)電性能良好的導(dǎo)體（如銀、銅、鐵等）、幾乎不能導(dǎo)電的絕緣體（如橡膠、陶瓷、塑料等）和半導(dǎo)體（如鍺、硅、砷化鎵等）。半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一種物質(zhì)。它的導(dǎo)電能力會(huì)隨溫度、光照及摻入雜質(zhì)的不同而***變化，特別是摻雜可以改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力和導(dǎo)電類型，這是其***應(yīng)用于制造各種電子元器件和集成電路的基本依據(jù)。半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能，用來(lái)制作半導(dǎo)體器件的電子材料。常用的重要半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理是通過(guò)電子和空穴這兩種載流子來(lái)實(shí)現(xiàn)的，因此相應(yīng)的有N型和P型之分。半導(dǎo)體材料通常具有一定的禁帶寬度，其電特性易受外界條件（...

作為推薦，所述圓弧基準(zhǔn)臺(tái)7的半經(jīng)設(shè)置在1mm的倍數(shù)。采用此技術(shù)方案，便于測(cè)量以及計(jì)算。作為推薦，所述抓數(shù)治具1的長(zhǎng)度設(shè)置在40-60mm，寬度設(shè)置在30-50mm。采用此技術(shù)方案，尺寸小，便于使用，以及保存。作為推薦，所述**基準(zhǔn)塊2的寬度和第二基準(zhǔn)塊3的寬度一致，其寬度設(shè)置在8-12mm。采用此技術(shù)方案，有助于減少**基準(zhǔn)塊2和第二基準(zhǔn)塊3的變形。作為推薦，所述抓數(shù)治具1的表面粗糙度設(shè)置在。采用此技術(shù)方案，表面光滑便于使用，以提升半導(dǎo)體零件9的抓數(shù)精度。具體實(shí)施例在使用前，先將半導(dǎo)體零件的一側(cè)貼附于**基準(zhǔn)面，然后，移動(dòng)半導(dǎo)體零件，將半導(dǎo)體零件的另一側(cè)靠緊到第二基準(zhǔn)面，如圖2所示；在...

為地方財(cái)政收入做出積極的貢獻(xiàn)。3、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率，投資利稅率，全部投資回報(bào)率，全部投資回收期，固定資產(chǎn)投資回收期（含建設(shè)期），項(xiàng)目具有較強(qiáng)的盈利能力和抗風(fēng)險(xiǎn)能力。民營(yíng)企業(yè)貼近市場(chǎng)、嗅覺(jué)敏銳、機(jī)制靈活，在推進(jìn)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力建設(shè)方面起到重要作用。認(rèn)定國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新示范企業(yè)和培育工業(yè)設(shè)計(jì)企業(yè)，有助于企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力進(jìn)一步升級(jí)。同時(shí)，大量民營(yíng)企業(yè)走在科技、產(chǎn)業(yè)、時(shí)尚的**前沿，能夠綜合運(yùn)用科技成果和工學(xué)、美學(xué)、心理學(xué)、經(jīng)濟(jì)學(xué)等知識(shí)，對(duì)工業(yè)產(chǎn)品的功能、結(jié)構(gòu)、形態(tài)及包裝等進(jìn)行整合優(yōu)化創(chuàng)新，服務(wù)于工業(yè)設(shè)計(jì)，豐富產(chǎn)品品種、提升產(chǎn)品附加值，進(jìn)而創(chuàng)造出新技術(shù)、新模式、新業(yè)態(tài)。經(jīng)過(guò)多年的積累，我省制造...

***漿料中的金屬元素的氯化物在環(huán)氧丙烷的作用下沉淀。步驟s116：將第二漿料進(jìn)行噴霧，然后在真空條件、700℃～900℃下進(jìn)行加熱處理，得到預(yù)處理顆粒。具體地，在閉式噴霧塔中將第二漿料進(jìn)行噴霧。步驟s116中加熱處理的時(shí)間為1h～4h。將第二漿料噴霧后再進(jìn)行加熱處理，使得稀土元素或鍶元素的氯化物轉(zhuǎn)化為氧化物且均勻分布在碳化硅表面。采用上述步驟能夠使稀土元素或鍶元素均勻沉降在碳化硅顆粒的表面，在后續(xù)處理過(guò)程中，稀土元素或鍶元素會(huì)存在于晶界處，具有促進(jìn)燒結(jié)、降低氣孔率的作用，從而提高碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度等力學(xué)性能。而傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程中，通常將金屬元素的氧化物作為助燒劑直接與碳化...

得到排膠后的***預(yù)制坯。(5)將排膠后的***預(yù)制坯升溫至300℃，加入第二碳源酚醛樹(shù)脂，加熱2h，然后抽真空1h，再以氮?dú)饧訅褐?mpa，進(jìn)行壓力浸滲，讓高含碳液體滲入預(yù)制坯的孔隙中，降溫得到第二預(yù)制坯。(6)將第二預(yù)制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘℃的速度升溫至900℃，保溫3h，排膠后，機(jī)加工得到排膠后的第二預(yù)制坯。(7)將排膠后的第二預(yù)制坯和硅粉按質(zhì)量比為1∶2在石墨坩堝中混合，然后放置于真空高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行反應(yīng)燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1600℃，保溫時(shí)間為3h，冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實(shí)施例3本實(shí)施例的碳化硅陶瓷的制備過(guò)程具體如下：(1)以氧化鈰與碳化硅微粉的質(zhì)量比為5∶100，得...

有機(jī)半導(dǎo)體材料可分為有機(jī)物，聚合物和給體受體絡(luò)合物三類。有機(jī)半導(dǎo)體芯片等產(chǎn)品的生產(chǎn)能力差，但是擁有加工處理方便，結(jié)實(shí)耐用，成本低廉，耐磨耐用等特性。3、非晶半導(dǎo)體材料非晶半導(dǎo)體按鍵合力的性質(zhì)分為共價(jià)鍵非晶半導(dǎo)體和離子鍵非晶半導(dǎo)體兩類，可用液相快冷方法和真空蒸汽或?yàn)R射的方法制備。在工業(yè)上，非晶半導(dǎo)體材料主要用于制備像傳感器，太陽(yáng)能鋰電池薄膜晶體管等非晶體半導(dǎo)體器件。4、化合物半導(dǎo)體材料化合物半導(dǎo)體材料種類繁多，按元素在周期表族來(lái)分類，分為三五族，二六族，四四族等。如今化合物半導(dǎo)體材料已經(jīng)在太陽(yáng)能電池，光電器件，超高速器件，微波等領(lǐng)域占據(jù)重要位置，且不同種類具有不同的應(yīng)用?？傊雽?dǎo)體材料...